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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應(yīng)。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動(dòng)液態(tài)金屬，并促使與氮化劑的接觸。
2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細(xì)的GaP或GaAs也可制得GaN。
如何最大限度地?cái)U(kuò)大基于氮化鎵 (GaN) 功率放大器的雷達(dá)系統(tǒng)的探測(cè)距離
雷達(dá)已成為軍事監(jiān)視、空中交通管制、太空任務(wù)和汽車安全等無(wú)數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域不可或缺的設(shè)備。對(duì)于設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，最具挑戰(zhàn)性的情況是遠(yuǎn)程雷達(dá)，因?yàn)樵谶@種情況下，返回信...
深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過(guò)集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流等問(wèn)題?，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安...
氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性...
在輕載和空載狀態(tài)下，當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時(shí)，系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,，停止開關(guān)動(dòng)作。當(dāng)FB電壓超過(guò)VSKIP_OUT(典...
EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選...
氮化鎵（GaN）無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) 提升效率、減小尺寸和降低成本方面
本文圍繞氮化鎵（GaN）功率IC在無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)展開研究，通過(guò)設(shè)計(jì)實(shí)例和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...
2025-04-24 標(biāo)簽：氮化鎵GaN無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) 256 0
用于CRPS應(yīng)用的采用氮化鎵功率集成電路的帶平面矩陣變壓器的高頻高效LLC模塊
隨著云計(jì)算和人工智能的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對(duì)電源的需求不斷增加，對(duì)其功率密度和效率也提出了更高要求。在數(shù)據(jù)中心中， Common Redundant Po...
700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
ADPA1106 46 dBm (40 W)、2.7 GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內(nèi)，可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...
氮化鎵技術(shù)驅(qū)動(dòng)的高效逆變器設(shè)計(jì)：硅與GaN器件的比較分析
通過(guò)重新設(shè)計(jì)基于氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍，減少了體積和重量...
Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高級(jí)SPICE模型立即下載
類別：電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵Nexperia
CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書立即下載
類別：IC datasheet pdf 2024-09-04 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵HEMT
DK065G高性能AC-DC氮化鎵電源管理芯片規(guī)格書V1.1立即下載
類別：IC中文資料 2024-07-10 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵AC-DC
峰值效率98%，納微12kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，支持英偉達(dá)Backwell GPU
去年底納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的混合設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和...
2025-04-23 標(biāo)簽：電源氮化鎵納微半導(dǎo)體 84 0
安世半導(dǎo)體氮化鎵器件助力浩思動(dòng)力2025上海車展核心技術(shù)首秀
安世半導(dǎo)體近日宣布，旗下先進(jìn)的氮化鎵(GaN)器件成功應(yīng)用于浩思動(dòng)力(Horse Powertrain)首款超級(jí)集成動(dòng)力系統(tǒng)—Gemini小型增程器的發(fā)...
2025-04-29 標(biāo)簽：氮化鎵安世半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 553 0
納微半導(dǎo)體邀您相約PCIM Europe 2025
納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、電機(jī)馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。
2025-04-27 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵納微半導(dǎo)體 157 0
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，...
聯(lián)合電子推出超級(jí)氮化鎵車載充電機(jī)
聯(lián)合電子發(fā)布CharCON 5U產(chǎn)品后，以>4.0kW/L的高功率密度獲得了越來(lái)越多客戶的認(rèn)可。針對(duì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的特點(diǎn)，聯(lián)合電子持續(xù)加快創(chuàng)新步伐，深化...
氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率(限12V最大輸出)，集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的...
直擊AI服務(wù)器電源痛點(diǎn)！英諾賽科4.2KW氮化鎵方案在2025慕展驚艷登場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/章鷹）4月15日到17日，在慕尼黑上海電子展上，功率器件大廠英諾賽科帶來(lái)了數(shù)字能源、消費(fèi)電子、汽車電子、機(jī)器人領(lǐng)域最新的氮化鎵器件...
納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過(guò)車規(guī)認(rèn)證
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達(dá)到電動(dòng)汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車載充電機(jī)（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效...
2025-04-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體功率芯片 917 0
納微半導(dǎo)體AI數(shù)據(jù)中心電源方案亮相2025慕尼黑上海電子展
眾所周知，“80 PLUS”是用于評(píng)估并認(rèn)證計(jì)算機(jī)和服務(wù)器內(nèi)部電源效率的重要標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)，而2011年推出的鈦金作為其最嚴(yán)苛的效率標(biāo)準(zhǔn)，也于2025年1月，...
2025-04-16 標(biāo)簽：電源數(shù)據(jù)中心氮化鎵 318 0
似乎我們的所有設(shè)備，都只能一味地“索取”電能，但你有沒有想過(guò)，有一天我們的電子設(shè)備也能在電網(wǎng)需要時(shí)，將儲(chǔ)存的電能反向輸送。
2025-04-15 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片雙向開關(guān) 238 0
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