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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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峰值效率98%，納微12kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，支持英偉達(dá)Backwell GPU
去年底納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的混合設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和...
2025-04-23 標(biāo)簽：電源氮化鎵納微半導(dǎo)體 87 0
安世半導(dǎo)體氮化鎵器件助力浩思動(dòng)力2025上海車(chē)展核心技術(shù)首秀
安世半導(dǎo)體近日宣布，旗下先進(jìn)的氮化鎵(GaN)器件成功應(yīng)用于浩思動(dòng)力(Horse Powertrain)首款超級(jí)集成動(dòng)力系統(tǒng)—Gemini小型增程器的發(fā)...
2025-04-29 標(biāo)簽：氮化鎵安世半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 589 0
納微半導(dǎo)體邀您相約PCIM Europe 2025
納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、電機(jī)馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。
2025-04-27 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵納微半導(dǎo)體 160 0
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開(kāi)關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，...
聯(lián)合電子推出超級(jí)氮化鎵車(chē)載充電機(jī)
聯(lián)合電子發(fā)布CharCON 5U產(chǎn)品后，以>4.0kW/L的高功率密度獲得了越來(lái)越多客戶的認(rèn)可。針對(duì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的特點(diǎn)，聯(lián)合電子持續(xù)加快創(chuàng)新步伐，深化...
2025-04-24 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)氮化鎵車(chē)載充電機(jī) 270 0
氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率(限12V最大輸出)，集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的...
直擊AI服務(wù)器電源痛點(diǎn)！英諾賽科4.2KW氮化鎵方案在2025慕展驚艷登場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/章鷹）4月15日到17日，在慕尼黑上海電子展上，功率器件大廠英諾賽科帶來(lái)了數(shù)字能源、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、機(jī)器人領(lǐng)域最新的氮化鎵器件...
納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達(dá)到電動(dòng)汽車(chē)所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車(chē)載充電機(jī)（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效...
2025-04-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體功率芯片 921 0
納微半導(dǎo)體AI數(shù)據(jù)中心電源方案亮相2025慕尼黑上海電子展
眾所周知，“80 PLUS”是用于評(píng)估并認(rèn)證計(jì)算機(jī)和服務(wù)器內(nèi)部電源效率的重要標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)，而2011年推出的鈦金作為其最嚴(yán)苛的效率標(biāo)準(zhǔn)，也于2025年1月，...
2025-04-16 標(biāo)簽：電源數(shù)據(jù)中心氮化鎵 318 0
似乎我們的所有設(shè)備，都只能一味地“索取”電能，但你有沒(méi)有想過(guò)，有一天我們的電子設(shè)備也能在電網(wǎng)需要時(shí)，將儲(chǔ)存的電能反向輸送。
2025-04-15 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片雙向開(kāi)關(guān) 240 0
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào) 功率65W
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào)功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U87...
意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能
??雙方簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲(chǔ)、汽車(chē)等領(lǐng)域打造面向未來(lái)的功率電子技術(shù)。 ??英諾賽科可借助意法...
2025-04-01 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵英諾賽科 855 0
芯干線榮獲2025中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度最佳功率器件/寬禁帶器件
此前，2025年3月27-28日，全球前沿的電子行業(yè)媒體機(jī)構(gòu) AspenCore，在上海金茂君悅大酒店成功舉辦了“國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)(IIC S...
2025-03-31 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)氮化鎵功率模塊 275 0
意法半導(dǎo)體MasterGaN與VIPerGaN產(chǎn)品家族介紹
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新，智能功率氮化鎵（GaN）成為備受矚目的關(guān)鍵技術(shù)。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓的特性，以及智能控制電路和...
2025-03-24 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 546 0
氮化鎵技術(shù)再突破！英飛凌重磅發(fā)布新品，助力人形機(jī)器人能效革新
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月14日，在英飛凌ICIC峰會(huì)上，英飛凌首次在國(guó)內(nèi)展示英飛凌發(fā)布兩項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新，分別是英飛凌300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μ...
2025-03-20 標(biāo)簽：氮化鎵 1683 0
中科院最新實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示：一片比指甲蓋還小的納米金剛石膜，能讓氮化鎵器件壽命暴增8倍！華為被曝光的實(shí)驗(yàn)室視頻更震撼：用激光在GaN芯片上‘雕刻’出微米級(jí)鉆...
納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片
唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布...
CGD官宣突破性技術(shù)：以創(chuàng)新性氮化鎵解決方案撬動(dòng)超百億美元新能源車(chē)主驅(qū)逆變器市場(chǎng)
通過(guò)將ICeGaN HEMT與IGBT混合并聯(lián)集成至單一封裝，實(shí)現(xiàn)高效率與降本雙贏 ? 2025年3月10日，英國(guó)劍橋訊——Cambridge GaN ...
2025-03-11 標(biāo)簽：氮化鎵 601 0
SiC與GaN技術(shù)專(zhuān)利競(jìng)爭(zhēng)：新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機(jī)遇
在過(guò)去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢(shì)，如降低功率損耗、更高的開(kāi)關(guān)速度以及能...
全日程更新丨2025英飛凌寬禁帶開(kāi)發(fā)者論壇向你發(fā)出邀請(qǐng)
英飛凌全球?qū)捊麕ч_(kāi)發(fā)者論壇連續(xù)多年舉辦，匯集了來(lái)自碳化硅SiC和氮化鎵GaN領(lǐng)域的專(zhuān)家，更有一個(gè)來(lái)自中國(guó)客戶的特邀報(bào)告。2025年3月11日北京時(shí)間下午...
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