GaN 技術(shù)能否縮小 5G 毫米波的性能差距？

毫無疑問，5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應(yīng)用。然而，較高頻段，特別是毫米波 (mmWave)，也給實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)帶來了挑戰(zhàn)。因...

2023-10-10 標(biāo)簽：射頻氮化鎵GaN 1086 0

進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，開啟電子技術(shù)的新紀(jì)元

第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢，這些優(yōu)勢源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。

2023-10-10 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 895 0

氮化鎵的好處

GaN是一種寬禁帶材料。因此，它的帶隙（電子從價帶移動到導(dǎo)帶所需的能量）比硅寬得多：約3.4eV對1.12 eV。GaN HE MT增強(qiáng)的電子遷移率與更...

2023-10-10 標(biāo)簽：芯片氮化鎵 1028 0

CGD 的 ICeGaN HEMT 榮獲臺積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”

英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...

2023-10-10 標(biāo)簽：臺積電氮化鎵CGD 700 0

SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的發(fā)展

在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多，并且不會很快從電力應(yīng)用中消失。但一級制造商和原始設(shè)備制造商表示，將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)...

2023-10-08 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1128 0

氮化鎵功率器件測試方案

在當(dāng)今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用...

2023-10-08 標(biāo)簽：測試功率器件氮化鎵 1491 0

GaN技術(shù)：電子領(lǐng)域的下一波浪潮

GaN技術(shù)正在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角，受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費(fèi)電子和航空航天等領(lǐng)域，特別是在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，展現(xiàn)了巨大的潛力。這將...

2023-10-07 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵GaN 813 0

氮化鎵和碳化硅的結(jié)構(gòu)和性能有何不同

作為第三代功率半導(dǎo)體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)樗鼈?..

2023-10-07 標(biāo)簽：MOS氮化鎵功率半導(dǎo)體 1805 0

關(guān)于氮化鎵的干蝕刻綜述

GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干...

2023-10-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1041 0

分析氮化鎵芯片的特點(diǎn)

作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點(diǎn)，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯...

2023-10-07 標(biāo)簽：芯片封裝氮化鎵 1207 0

國星光電聯(lián)合佛照電工推出33W氮化鎵墻插快充新品

86面板墻插是我國普通家庭用電最常見的一種電力接口，當(dāng)?shù)谌雽?dǎo)體氮化鎵功率器件遇上86面板墻插，會帶來怎樣的新驚喜呢？

2023-09-25 標(biāo)簽：驅(qū)動器半導(dǎo)體氮化鎵 1140 0

第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)——氮化鎵、碳化硅

　　隨著全球進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動汽車時代，能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開始...

2023-09-22 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 1251 0

高能效、小尺寸PD快充穩(wěn)壓器應(yīng)用

當(dāng)今開關(guān)電源設(shè)計(jì)中的五大問題： （1）高效率，（2）高功率密度，（3）低待機(jī)功耗，（4）高可靠性，（5）低成本。隨著PD和適配器行業(yè)的發(fā)展，需要相同或...

2023-09-21 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器變換器反激式 1017 0

如何選擇性價比高的氮化鎵芯片？采用KT65C1R200D產(chǎn)品

選擇氮化鎵芯片時，根據(jù)應(yīng)用的需求，確定所需的性能指標(biāo)，包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號的氮化鎵芯片有不同的性能特點(diǎn)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景選擇合...

2023-09-20 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 962 0