科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能

科銳目前正在美國(guó)紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 （SiC） 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。

2020-08-31 標(biāo)簽：氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1179 0

投資4億元的寬禁帶工程研究中心，研發(fā)成果有哪些？

在材料方面，除了硅基，第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門技術(shù)，我國(guó)除了在硅基方面進(jìn)行追趕外，在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入，有了不少的創(chuàng)新研究。國(guó)家總共...

2020-08-17 標(biāo)簽：射頻氮化鎵碳化硅 1.9萬 1

安世半導(dǎo)體做客唯樣直播間！高產(chǎn)能巨無霸養(yǎng)成記首度公開！

汽車、5G、工業(yè)及電源、物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)可穿戴設(shè)備、消費(fèi)類電子、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域，世界上幾乎所有相關(guān)的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)都采用Nexperia的器件。

2020-08-10 標(biāo)簽：氮化鎵電子設(shè)計(jì)安世半導(dǎo)體 2730 0

5G基站電源設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)及優(yōu)化策略

可是最近的一篇報(bào)道，引起了人們對(duì)5G基站能源消耗的關(guān)注。新聞的內(nèi)容是為了減少能耗，節(jié)約電費(fèi)，中國(guó)聯(lián)通在洛陽某地的5G基站在每天21點(diǎn)到次日9點(diǎn)就將關(guān)閉。...

2020-08-07 標(biāo)簽：電源氮化鎵功率密度 1.2萬 0

解析連接器半導(dǎo)體材料之氮化鎵（GaN）篇

半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)...

2020-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體連接器氮化鎵 3328 0

納微氮化鎵器件助力OPPO新一代快充

OPPO作為快充行業(yè)的先行者，一直引領(lǐng)著智能手機(jī)的快充市場(chǎng)，最早期的VOOC閃充“充電五分鐘，通話兩小時(shí)”深入人心，演進(jìn)自SuperVOOC架構(gòu)的125...

2020-07-31 標(biāo)簽：OPPO氮化鎵超級(jí)閃充 1312 0

賀利氏專家等你來撩，直播探討應(yīng)用于5G產(chǎn)品的SiP封裝材料

SIP WEBINAR 系統(tǒng)級(jí)封裝線上研討會(huì)第三期開播在即，行業(yè)知名系統(tǒng)級(jí)封裝大會(huì)自2020年5月，推出第一期SiP Webinar以來便受到行業(yè)內(nèi)人士...

2020-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵5Gsip封裝 3901 0

Soitec將EpiGaN N.V更名為Soitec Belgium N.V. ，拓展用于5G射頻和功率系統(tǒng)產(chǎn)品組合

中國(guó) / 法國(guó)貝寧，2020年7月14日創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司近日宣布將EpiGaN N.V更名為Soite...

2020-07-14 標(biāo)簽：射頻氮化鎵5G 1356 0

三安集成：6英寸車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品線預(yù)計(jì)在2021年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

葉念慈介紹了三安集成可以提供的主要產(chǎn)品和解決方案；本次慕尼黑上海電子展上重點(diǎn)展示的產(chǎn)品和服務(wù)；SiC等第三代半導(dǎo)體技術(shù)在汽車上的應(yīng)用情況，以及三安集成在...

2020-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵射頻芯片碳化硅 1.5萬 0

可協(xié)助5G發(fā)展的技術(shù) 激子行為

據(jù)俄科院西伯利亞分院網(wǎng)站報(bào)道，該分院計(jì)算數(shù)學(xué)、數(shù)學(xué)地質(zhì)物理所、半導(dǎo)體物理所會(huì)同德國(guó)保羅—德魯?shù)鹿虘B(tài)電子學(xué)研究所（柏林）的聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)計(jì)算了激子（一種準(zhǔn)粒...

2020-07-09 標(biāo)簽：氮化鎵5G 439 0

氮化鎵發(fā)展深度評(píng)估

從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的...

2020-07-06 標(biāo)簽：氮化鎵 1895 0

安世半導(dǎo)體2020年首發(fā)氮化鎵新品，透露了哪些信息？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）最近，聞泰科技發(fā)布公告稱將進(jìn)一步收購安世剩余股權(quán)，并將增資為安世半導(dǎo)體進(jìn)行工藝升級(jí)等項(xiàng)目。而在年初，安世半導(dǎo)體也任命了張學(xué)...

2020-06-17 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵安世半導(dǎo)體 9201 0

氮化鎵材質(zhì)的FET取代了傳統(tǒng)的硅材料

最近風(fēng)靡的氮化鎵充電器，對(duì)我們消費(fèi)者最直觀的感覺就是小。當(dāng)然，在充電功率等同的情況下，體積越大的充電器，散熱必然就越好，如果一個(gè)充電器不做好電路可靠性就...

2020-06-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 5578 0

Nexperia宣布推出新一代氮化鎵技術(shù)；中芯國(guó)際回復(fù)首輪問詢…

據(jù)有關(guān)媒體報(bào)道，近段時(shí)間內(nèi)，包括蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科、AMD等在內(nèi)，都紛紛向臺(tái)積電大幅追加第四季度的7nm訂單。第四季度是個(gè)耐人尋味的時(shí)間點(diǎn)，因?yàn)槊婪?月...

2020-06-09 標(biāo)簽：中芯國(guó)際氮化鎵Nexperia 4946 0

Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代650V氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

新一代氮化鎵技術(shù)針對(duì)汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用；新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK

2020-06-11 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵Nexperia 3406 0