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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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日本企業(yè)加速氮化鎵半導(dǎo)體生產(chǎn),力推電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航升級(jí)
日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體器件，旨在提升電動(dòng)汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅（SiC）在電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用上競(jìng)爭(zhēng)...
2024-10-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiC氮化鎵 902 0
英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵功率半導(dǎo)體優(yōu)化無線功率
10月16日，中國(guó)網(wǎng)絡(luò)空間安全協(xié)會(huì)發(fā)布了一篇題為《警惕！英特爾產(chǎn)品網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險(xiǎn)凸顯，系統(tǒng)排查刻不容緩》的文章，讀后引人深思。若文章內(nèi)容屬實(shí)，底層硬件芯片...
2024-10-22 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵車聯(lián)網(wǎng) 573 0
英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵半導(dǎo)體優(yōu)化無線充電功率
全球領(lǐng)先的功率系統(tǒng)與物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技股份公司（股票代碼：FSE： IFX， OTCQX： IFNNY）近期宣布與加拿大企業(yè)AWL-Elect...
集成之巔，易用至極！納微發(fā)布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片
采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片，具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測(cè)功能，助力打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。...
2024-10-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 976 0
近日，納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源...
2024-10-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 631 0
有獎(jiǎng)直播 | 羅姆氮化鎵電源技術(shù)開創(chuàng)高效小型化未來
ROHM擁有多年電源產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，近年更以寬能隙半導(dǎo)體GaN產(chǎn)品線，提供客戶中低壓功率組件更多的選擇。超低導(dǎo)通電阻加上優(yōu)異的高速開關(guān)性能，絕對(duì)值得您深入了解。
2024-10-16 標(biāo)簽：電源氮化鎵羅姆半導(dǎo)體 391 0
良工（lengon）是浙江寧波良工電器有限公司旗下電氣品牌，始創(chuàng)于1990年，其產(chǎn)品主要包括電源插座、轉(zhuǎn)換器、墻壁開關(guān)等。
2024-09-30 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器氮化鎵快充 524 0
氮化鎵襯底晶圓行業(yè)發(fā)展前景分析及市場(chǎng)趨勢(shì)研究報(bào)告
根據(jù)Global Info Research電子及半導(dǎo)體項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)最新調(diào)研，預(yù)計(jì)2030年全球氮化鎵襯底晶圓產(chǎn)值達(dá)到305百萬美元，2024-2030年期...
晶通半導(dǎo)體獲6000萬Pre-A輪融資,加速氮化鎵技術(shù)創(chuàng)新
9月19日，晶通半導(dǎo)體（深圳）有限公司（簡(jiǎn)稱“晶通半導(dǎo)體”）正式宣布完成了總額達(dá)6000萬元人民幣的Pre-A輪融資，本輪融資吸引了賽富投資基金、知名天...
2024-09-23 標(biāo)簽：氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片功率半導(dǎo)體 793 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）提升芯片產(chǎn)能的最顯著方式，就是擴(kuò)大晶圓尺寸，就像硅晶圓從6英寸到8英寸再到如今的12英寸。雖然在12英寸之后，繼續(xù)擴(kuò)大晶圓...
碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和...
英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革
●憑借這一突破性的300mmGaN技術(shù)，英飛凌將推動(dòng)GaN市場(chǎng)快速增長(zhǎng)●利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率●300...
英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)， 推動(dòng)行業(yè)變革
2024年9月11日訊，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵（GaN...
40W雙C口氮化鎵快充方案助力Iphone16系列順利發(fā)售！
誠(chéng)芯微多款合封氮化鎵方案齊上陣，涵蓋20W、30W、45W、65W、100W等多功率段。一顆合封氮化鎵芯片可輕松取代初級(jí)側(cè)兩到三顆芯片的功能，通過高集成...
兩位IEEE Fellow授課│第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級(jí)研修班10月上海開班
來源：內(nèi)容來自中國(guó)電源學(xué)會(huì)01組織機(jī)構(gòu)主辦單位：中國(guó)電源學(xué)會(huì)承辦單位：中國(guó)電源學(xué)會(huì)科普工作委員會(huì)、英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實(shí)驗(yàn)中心、上海臨...
2024-09-04 標(biāo)簽：電力電子氮化鎵半導(dǎo)體器件 729 0
基于氮化鎵的電源芯片U8722BAS具有更低成本效益GaN是一種改變我們的生活方式，應(yīng)用前景廣泛的特新材料。氮化鎵技術(shù)正在提供更快的開關(guān)速度、更小的尺寸...
買家現(xiàn)身！這家氮化鎵晶圓代工廠收到10億元競(jìng)標(biāo)
來源：集邦化合物半導(dǎo)體 7月底，總部位于比利時(shí)奧德納爾德（Oudenaarde, Belgium）的硅基GaN（氮化鎵）晶圓代工廠宣布申請(qǐng)破產(chǎn)，近日傳出...
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌,引領(lǐng)技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)
自去年以來，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)升溫，成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業(yè)界巨頭紛紛通過并購GaN技術(shù)公司，加速在這一領(lǐng)域的布...
2024-08-26 標(biāo)簽：氮化鎵GaN功率半導(dǎo)體 768 0
氮化鎵是一種由氮和鎵結(jié)合而來的化合物，其中氮在元素周期表排序第7位，鎵排序第31位，7月31日世界氮化鎵日因此得名，同時(shí)也以英文名GaN Day傳播到全...
芯干線科技出席第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇
火熱的7月，火熱的慕尼黑上海電子展(electronica China)！2024年7月8日至9日，備受矚目的"第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)...
2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 716 0
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