高頻高速PCB測(cè)試解決方案

高頻高速PCB廣泛應(yīng)用于AI、高速通信、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。其性能的穩(wěn)定性和可靠性決定了整個(gè)系統(tǒng)的信號(hào)完整性和運(yùn)行效率。高速PCB產(chǎn)業(yè)鏈中的各環(huán)節(jié)...

2025-05-20 標(biāo)簽：pcb測(cè)試信號(hào) 678 0

離子污染度的測(cè)試方法

離子污染對(duì)電子設(shè)備的影響電子技術(shù)迅猛發(fā)展的今天，電子設(shè)備的復(fù)雜性和集成度不斷攀升，電路板上的元件布局日益緊湊，線路間距縮小，這使得對(duì)電路板（PCB/PC...

2024-12-24 標(biāo)簽：測(cè)試電路板ROSE 678 0

LED紅墨水測(cè)試

紅墨水滲透測(cè)試紅墨水滲透測(cè)試（RedDyePenetrationTest），也稱為L(zhǎng)ED紅墨水試驗(yàn)，是一種用于評(píng)估電子電路板組裝（PCBAssembly...

2025-02-08 標(biāo)簽：ledpcb測(cè)試 676 0

興達(dá)易控232自由口轉(zhuǎn)Profinet網(wǎng)關(guān)配置測(cè)試案例

232自由口轉(zhuǎn)Profinet網(wǎng)關(guān)(XD-PNR100/300)，是一種用于將自由協(xié)議轉(zhuǎn)換為Profinet協(xié)議的設(shè)備，可以實(shí)現(xiàn)不同網(wǎng)絡(luò)之間的通信和數(shù)據(jù)...

2024-05-05 標(biāo)簽：測(cè)試網(wǎng)關(guān)Profinet 674 0

灼熱絲試驗(yàn)測(cè)試步驟詳解

什么是灼熱絲測(cè)試？灼熱絲測(cè)試是一種評(píng)估電子電器產(chǎn)品在過(guò)熱情況下起火危險(xiǎn)性的重要實(shí)驗(yàn)。灼熱絲測(cè)試的目的與設(shè)備灼熱絲測(cè)試的目的是為了確保電子電器產(chǎn)品在設(shè)計(jì)和...

2025-01-08 標(biāo)簽：測(cè)試試驗(yàn)灼熱絲 673 0

循環(huán)腐蝕試驗(yàn)（CCT）：一種評(píng)估材料耐久性的動(dòng)態(tài)測(cè)試方法

鹽霧試驗(yàn)的演變與應(yīng)用鹽霧試驗(yàn)作為評(píng)估材料耐腐蝕性能的重要手段，其發(fā)展歷程體現(xiàn)了對(duì)自然環(huán)境模擬的不斷深入。從最初的恒定鹽霧測(cè)試，到噴霧-干燥循環(huán)，再到循環(huán)...

2024-11-23 標(biāo)簽：測(cè)試cct 669 0

C-V2X測(cè)試探秘系列之電磁兼容試驗(yàn)方法

在智能網(wǎng)聯(lián)汽車中，各種通信技術(shù)如2G/3G/4G/5G、GNSS（全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)）、V2X（車聯(lián)網(wǎng)通信）等在行業(yè)內(nèi)被廣泛使用。這些技術(shù)讓汽車能夠?qū)崿F(xiàn)緊...

2025-01-08 標(biāo)簽：測(cè)試電磁兼容試驗(yàn) 669 0

探索電子背散射衍射（EBSD）：基礎(chǔ)原理與應(yīng)用領(lǐng)域

EBSD分析的樣品制備與數(shù)據(jù)處理在材料科學(xué)領(lǐng)域，電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)是一種強(qiáng)大的工具，它能夠提供材料微觀結(jié)構(gòu)的詳細(xì)信息。為了確保EBSD分析的...

2024-10-31 標(biāo)簽：測(cè)試數(shù)據(jù)采集 656 0

圖像尺寸測(cè)量?jī)x在人造骨骼尺寸測(cè)量中的創(chuàng)新應(yīng)用

圖像尺寸測(cè)量?jī)x的出現(xiàn)為人造骨骼尺寸測(cè)量帶來(lái)了革命性的突破。它依托先進(jìn)的光學(xué)成像技術(shù)與精密的算法軟件，能夠快速、精準(zhǔn)地測(cè)量人造骨骼的平面尺寸。

2024-12-27 標(biāo)簽：測(cè)試機(jī)器視覺(jué)圖像測(cè)量 653 0

科普知識(shí)丨綜合熱分析儀操作步驟

綜合熱分析儀，作為材料科學(xué)研究中的重要工具，其操作步驟的掌握對(duì)于獲得準(zhǔn)確的熱分析數(shù)據(jù)至關(guān)重要。以下是使用綜合熱分析儀進(jìn)行樣品測(cè)試的基本操作步驟，旨在幫助...

2024-08-26 標(biāo)簽：測(cè)試儀器熱分析儀 651 0

PW方塊電阻的測(cè)試條件

圖5-34所示為PW方塊電阻的版圖，圖5-35所示為它的剖面圖。PW方塊電阻是通過(guò)DNW 隔離襯底（P-sub），如果沒(méi)有DNW的隔離，這個(gè)PW 方塊電...

2024-11-29 標(biāo)簽：電阻測(cè)試 650 1

碳化硅MOSFET的柵極應(yīng)力測(cè)試

了解半導(dǎo)體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測(cè)試的關(guān)鍵，這些測(cè)試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的限制范圍內(nèi)運(yùn)行，并滿足汽車和其他電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中對(duì)每十億個(gè)部...

2024-08-06 標(biāo)簽：測(cè)試MOSFET碳化硅 649 0

參考曲線狀態(tài)評(píng)估指南

在使用OSI系列設(shè)備進(jìn)行應(yīng)變或溫度傳感測(cè)試時(shí)，取參考是尤為重要的一個(gè)步驟。參考曲線能為我們提供諸如光纖樣品鏈路狀態(tài)、長(zhǎng)度等關(guān)鍵信息。因此，準(zhǔn)確理解參考曲...

2024-11-23 標(biāo)簽：測(cè)試光纖溫度傳感 649 0

如何選擇和設(shè)置外部晶體適配 BlueNRG-X

如何選擇和設(shè)置外部晶體適配 BlueNRG-X

2023-10-25 標(biāo)簽：測(cè)試晶體BlueNRG 648 0

快問(wèn)快答：什么是密封性檢測(cè)儀？測(cè)試方法、技術(shù)參數(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中，產(chǎn)品密封性是產(chǎn)品質(zhì)量、性能和使用壽命的基石。汽車、電子、醫(yī)療、食品包裝等各行業(yè)，均需依賴嚴(yán)格的密封性測(cè)試，確保產(chǎn)品在嚴(yán)苛環(huán)境下依然表現(xiàn)...

2025-03-03 標(biāo)簽：測(cè)試密封性檢測(cè)儀 647 0

綜合布線連接硬件RJ45連接器測(cè)試方案

AEM公司的?8端口網(wǎng)分測(cè)試單元——MMVNA,?可單機(jī)/?雙機(jī)/多機(jī)協(xié)同運(yùn)行，測(cè)試端口擴(kuò)展無(wú)上限。僅需?2臺(tái) MMVNA?即可構(gòu)成?16端口矢量網(wǎng)分測(cè)...

2024-09-30 標(biāo)簽：測(cè)試連接器RJ45 642 0

一文讀懂芯片可靠性試驗(yàn)項(xiàng)目

可靠性試驗(yàn)的定義與重要性可靠性試驗(yàn)是一種系統(tǒng)化的測(cè)試流程，通過(guò)模擬芯片在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的各種環(huán)境條件和工作狀態(tài)，對(duì)芯片的性能、穩(wěn)定性和壽命進(jìn)行全面評(píng)...

2025-02-21 標(biāo)簽：芯片測(cè)試可靠性試驗(yàn) 642 0

“LoRa模塊脫機(jī)測(cè)試套件”產(chǎn)品實(shí)操測(cè)試教程

資料介紹Exx-xxxT(M)Bx-SC系列產(chǎn)品操作教程，以下是以T系列產(chǎn)品E32-433TBH-SC作為示例。1.1資料的下載在收到產(chǎn)品后

2024-11-22 標(biāo)簽：測(cè)試開(kāi)發(fā)板LoRa 641 0

提升高功率半導(dǎo)體可靠性——使用Simcenter通過(guò)工業(yè)級(jí)熱表征加速測(cè)試和故障診斷

內(nèi)容摘要消費(fèi)和工業(yè)電子系統(tǒng)的能源需求都在增加。因此，電子電力元器件供應(yīng)商和原始設(shè)備制造商(OEM)面臨著提供航空、電動(dòng)汽車、火車、發(fā)電和可再生能源生產(chǎn)所...

2024-08-30 標(biāo)簽：測(cè)試半導(dǎo)體高功率 640 0