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測(cè)試英文名Test、Measure;中文拼音cè shì;由中文“測(cè)”與中文“試”兩個(gè)字組成的詞語。是動(dòng)詞、名詞。測(cè)試行為,一般發(fā)生于為檢測(cè)特定的目標(biāo)是否符合標(biāo)準(zhǔn)而采用專用的工具或者方法進(jìn)行驗(yàn)證,并最終得出特定的結(jié)果。
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測(cè)試治具的優(yōu)劣勢(shì)及使用注意事項(xiàng)說明
測(cè)試治具屬于治具下面的一個(gè)類別,專門對(duì)產(chǎn)品的功能、功率校準(zhǔn)、壽命、性能等進(jìn)行測(cè)試、試驗(yàn)的一種治具。因其主要在生產(chǎn)線上用于產(chǎn)品的各項(xiàng)指標(biāo)的測(cè)試,所以叫測(cè)試治具。
PCBA測(cè)試架是指對(duì)PCBA完成品進(jìn)行測(cè)試的一種設(shè)備。在進(jìn)行PCBA測(cè)試架的制作時(shí),一般需要PCBA加工廠提供Gerber文件以及PCBA樣品,便于測(cè)試...
測(cè)試是具有試驗(yàn)性質(zhì)的測(cè)量,即測(cè)量和試驗(yàn)的綜合。而測(cè)試手段就是儀器儀表。由于測(cè)試和測(cè)量密切相關(guān),在實(shí)際使用中往往并不嚴(yán)格區(qū)分測(cè)試與測(cè)量。測(cè)試的基本任務(wù)就是...
課程8:簡(jiǎn)單的Testbench設(shè)計(jì)
描述測(cè)試信號(hào)的變化和測(cè)試過程的模塊叫做測(cè)試平臺(tái)(Testbench),它可以對(duì)電路模塊進(jìn)行動(dòng)態(tài)的測(cè)試。通過觀測(cè)被測(cè)試模塊的輸出信號(hào)是否符合要求,可以調(diào)試...
熱擴(kuò)散系數(shù)是物體中某一點(diǎn)的溫度的擾動(dòng)傳遞到另一點(diǎn)的速率的量度。以物體受熱升溫的情況為例來分析,在物體受熱升溫的非穩(wěn)態(tài)導(dǎo)熱過程中,進(jìn)入物體的熱量沿途不斷地...
電鍍就是利用電解原理在某些金屬表面上鍍上一薄層其它金屬或合金的過程,是利用電解作用使金屬或其它材料制件的表面附著一層金屬膜的工藝從而起到防止金屬氧化(如...
達(dá)因筆的測(cè)試原理及使用注意事項(xiàng)
達(dá)因筆,又名表面張力測(cè)試筆、電暈處理筆、及塑料薄膜表面張力檢測(cè)筆。是薄膜表面電暈度(達(dá)因)的測(cè)試工具,專門用于測(cè)定薄膜受電暈處理后的效果。
高壓測(cè)試的方法及測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是什么
局部放電試驗(yàn)是非破壞性試驗(yàn)項(xiàng)目,目前有兩類試驗(yàn)方法,一種是以工頻耐壓作為預(yù)激磁電壓,降到局部放電試驗(yàn)電壓(一般為Um/√3的倍數(shù),變壓器為1.5倍,互感...
FPGA的邏輯是通過向內(nèi)部靜態(tài)存儲(chǔ)單元加載編程數(shù)據(jù)來實(shí)現(xiàn)的,存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的值決定了邏輯單元的邏輯功能以及各模塊之間或模塊與I/O間的聯(lián)接方式,并最...
數(shù)字設(shè)計(jì)FPGA應(yīng)用:測(cè)試138工程
中國(guó)大學(xué)MOOC 本課程以目前流行的Xilinx 7系列FPGA的開發(fā)為主線,全面講解FPGA的原理及電路設(shè)計(jì)、Verilog HDL語言及VIVAD...
熱分析技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)及影響測(cè)試的因素有哪些
熱分析(TA)是指用熱力學(xué)參數(shù)或物理參數(shù)隨溫度變化的關(guān)系進(jìn)行分析的方法。國(guó)際熱分析協(xié)會(huì)于1977年將熱分析定義為:“熱分析是測(cè)量在程序控制溫度下,物質(zhì)的...
影響剝離強(qiáng)度的因素與剝離強(qiáng)度測(cè)試儀的使用介紹
剝離強(qiáng)度是指粘貼在一起的材料,從接觸面進(jìn)行單位寬度剝離時(shí)所需要的最大力。剝離時(shí)角度有90度或180度,單位為:牛頓/米(N/m)。它反映材料的粘結(jié)強(qiáng)度。...
所謂硬度,就是材料抵抗更硬物壓入其表面的能力。根據(jù)試驗(yàn)方法和適應(yīng)范圍的不同,硬度單位可分為布氏硬度、維氏硬度、洛氏硬度、顯微維氏硬度等許多種,不同的單位...
在測(cè)試導(dǎo)熱系數(shù)時(shí)需滿足哪些條件
導(dǎo)熱系數(shù)是指在穩(wěn)定傳熱條件下,1m厚的材料,兩側(cè)表面的溫差為1度(K,℃),在1秒內(nèi)(1s),通過1平方米面積傳遞的熱量,單位為瓦/米·度 (W/(m·...
熱重法的特點(diǎn)及在測(cè)試時(shí)的影響因素有哪些
熱重分析是指在程序控制溫度下測(cè)量待測(cè)樣品的質(zhì)量與溫度變化關(guān)系的一種熱分析技術(shù),用來研究材料的熱穩(wěn)定性和組分。TGA在研發(fā)和質(zhì)量控制方面都是比較常用的檢測(cè)...
設(shè)置測(cè)試點(diǎn)的目的及設(shè)計(jì)要求
基本上設(shè)置測(cè)試點(diǎn)的目的是為了測(cè)試電路板上的零組件有沒有符合規(guī)格以及焊性,比如說想檢查一顆電路板上的電阻有沒有問題,最簡(jiǎn)單的方法就是拿萬用電表量測(cè)其兩頭就...
飛針測(cè)試和測(cè)試架的區(qū)別及各自優(yōu)勢(shì)分析
PCB板在生產(chǎn)過程中,難免因外在因素而造成短路、斷路及漏電等電性上的瑕疵,再加上PCB線路板不斷朝高密度、細(xì)間距及多層次的演進(jìn),若未能及時(shí)將不良板篩檢出...
Xilinx VC730 OTN測(cè)試開發(fā)平臺(tái)
了解Xilinx的VC730 OTN測(cè)試開發(fā)平臺(tái),適用于從1到400G的所有OTN應(yīng)用的快速開發(fā)。
Xilinx 4x100G轉(zhuǎn)發(fā)器的參考設(shè)計(jì)介紹
了解在VC730 OTN測(cè)試開發(fā)平臺(tái)上運(yùn)行的Xilinx 4x100G轉(zhuǎn)發(fā)器參考設(shè)計(jì)。 (簡(jiǎn)明版)
2018-11-30 標(biāo)簽:測(cè)試賽靈思轉(zhuǎn)發(fā)器 3094 0
如何使用DPDK進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)性能基準(zhǔn)測(cè)試
描述英特爾如何使用DPDK第3層轉(zhuǎn)發(fā)(l3fwd)示例應(yīng)用程序工作負(fù)載執(zhí)行高吞吐量網(wǎng)絡(luò)性能基準(zhǔn)測(cè)試。
2018-10-31 標(biāo)簽:測(cè)試數(shù)據(jù)intel 6194 0
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