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標(biāo)簽 > 灌電流
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UC1834-DIE 航天級(jí)、5V 至 35V 輸入、400mA、1.5V 輸出,帶限流器線性穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UC1834-DIE 集成電路針對(duì)低輸入輸出設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化 差分線性穩(wěn)壓器。高增益放大器和灌電流或源極驅(qū)動(dòng)輸出有助于 高輸出電流設(shè)計(jì),使用外部傳輸器件。...
2025-03-25 標(biāo)簽:集成電路線性穩(wěn)壓器增益放大器 287 0
TPS1211-Q1 汽車級(jí) 3.5V 至 45V 高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,具有保護(hù)和診斷功能數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS1211-Q1 系列是具有保護(hù)和診斷功能的 45V 智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。該器件具有 3.5V–40V 的寬工作電壓范圍,適用于 12V 系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 ...
2025-05-07 標(biāo)簽:電源驅(qū)動(dòng)器FET 284 0
TPS1213-Q1 汽車級(jí) 45V 低 Iq 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器,具有低功耗模式和可調(diào)短路保護(hù)功能數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS12130-Q1 是一款具有保護(hù)和診斷功能的 45V 低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。該器件具有 3.5V–40V 的寬工作電壓范圍,專為 12V 系統(tǒng)...
2025-05-06 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源電壓 277 0
UCC21330-Q1 汽車級(jí) 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有禁用邏輯和可編程死區(qū)時(shí)間數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21330-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MO...
TPS1214-Q1 具有低 Iq、低功耗、負(fù)載喚醒、I2t 和診斷功能的汽車級(jí)高側(cè)開關(guān)控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS1214-Q1 是具有保護(hù)和診斷功能的低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器系列。該器件具有 3.5V 至 73V 的寬工作電壓范圍和 74V 的絕對(duì)最大額定值...
2025-05-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器控制器FET 275 0
UCC21520-Q1 具有雙輸入、禁用、死區(qū)時(shí)間的汽車類 4A、6A、5.7kVRMS 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21520-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、I...
TPS51716 完整的 DDR2/3/3L/4 存儲(chǔ)器電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實(shí)現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個(gè)同步降...
UCC21540A-Q1 汽車5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有5V UVLO和3.3mm通道間距數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A...
ISO5852S-Q1 汽車5.7kVrms 2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
ISO5852S-Q1 器件的電壓為 5.7kV ~RMS~ ,用于 IGBT 和 MOSFET 的增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有分離輸出 OUTH 和 ...
ISO5451 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有主動(dòng)保護(hù)功能數(shù)據(jù)手冊(cè)
ISO5451 是一款 5.7kV RMS 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于 IGBT 和 MOSFET,具有 2.5A 拉電流和 5A 灌電流。輸入側(cè)采...
TPSI3052 具有集成 15V 柵極電源的隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPSI3052 是一款完全集成的隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器,當(dāng)與外部電源開關(guān)結(jié)合使用時(shí),可形成完整的隔離式固態(tài)繼電器 (SSR)。憑借 15V 的標(biāo)稱柵極驅(qū)動(dòng)電...
2025-05-07 標(biāo)簽:固態(tài)繼電器電源開關(guān)灌電流 253 0
UCC27284 具有 5V UVLO 和使能的 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27284 是一款堅(jiān)固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,最大開關(guān)節(jié)點(diǎn) (HS) 額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓?fù)?..
2025-05-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源電壓 251 0
UCC21542 5.7kVrms,4A/6A 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...
2025-05-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器晶體管 250 0
UCC21717-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 10A 拉/灌單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21717-Q1 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進(jìn)的集成保護(hù)、一流...
UCC27712 帶互鎖的 1.8-A/2.8-A、620V 半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27712 是一款 620V 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 1.8A 拉電流和 2.8A 灌電流,旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT。 ...
TPS4812-Q1 汽車級(jí) 100V 低 IQ 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器,具有雙向電流監(jiān)控、I2t 和診斷功能數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS4812-Q1 是具有保護(hù)和診斷功能的低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器系列。該器件具有 3.5V 至 95V、100V 絕對(duì)最大值的寬工作電壓范圍,適用于...
2025-05-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電阻器FET 247 0
ISO5452-Q1 汽車5.7kVrms 2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
ISO5452-Q1 的電壓為 5.7 kV ~RMS~ ,用于 IGBT 和 MOSFET 的增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有分離輸出 OUTH 和 OU...
TPS59116 完整的 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲(chǔ)器電源解決方案,用于嵌入式計(jì)算的同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流...
2025-04-28 標(biāo)簽:電容器ldo線性穩(wěn)壓器 246 0
UC2709 具有 40V VDD 和 5V 穩(wěn)壓輸出的 1.5A/1.5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UC3709 系列功率驅(qū)動(dòng)器是一種有效的低成本解決方案,可解決為功率 MOSFET 的電容柵極提供快速導(dǎo)通和關(guān)斷的問題。這些器件采用高速肖特基工藝制成,...
UCC5350L-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 ±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC5350L-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 Si...
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