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標(biāo)簽 > 電子顯微鏡
電子顯微鏡,簡稱電鏡,英文名Electron Microscope(簡稱EM),經(jīng)過五十多年的發(fā)展已成為現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可缺少的重要工具。電子顯微鏡由鏡筒、真空裝置和電源柜三部分組成。
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透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,簡稱TEM),可以看到在光學(xué)顯微鏡下無法看清的小于0.2um的細微結(jié)構(gòu)...
簡述球差校正透射電鏡的原理、優(yōu)勢、應(yīng)用與發(fā)展
透射電子顯微鏡(簡稱透射電鏡)以被高壓加速后的高能電子束為入射光源,利用電子束與物質(zhì)的相互作用,對物質(zhì)的微結(jié)構(gòu)進行成像與分析的一種儀器。
原位XRD技術(shù)是當(dāng)前儲能領(lǐng)域研究中重要的分析手段,它不僅可排除外界因素對電極材料產(chǎn)生的影響,提高數(shù)據(jù)的真實性和可靠性,還可對電極材料的電化學(xué)過程進行實時...
各種顯微分析設(shè)備(SEM, TEM, AFM, STM)分享!
入射電子與樣品中原子的價電子發(fā)生非彈性散射作用而損失的那部分能量(30~50eV)激發(fā)核外電子脫離原子,能量大于材料逸出功的價電子從樣品表面逸出成為真空...
本文采LiFePO4作為正極材料,鋰片作為負極材料,制備成扣式鋰離子電池,以面密度、壓實密度和厚度一致性三個參數(shù)為指標(biāo),系統(tǒng)地研究這些參數(shù)對電池性能的影...
刻蝕速率是測量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量,因此刻蝕速率是一個重要參數(shù)。
HVPE主要是利用生長過程中的化學(xué)反應(yīng),如歧化反應(yīng)、化學(xué)還原反應(yīng)以及熱分解反應(yīng)等實現(xiàn)外延晶體薄膜的制備,具有生長溫度高、源爐通氣量大、生長速率大的特點,...
集成電路制程設(shè)備領(lǐng)域原子層沉積技術(shù)解析
原子層沉積技術(shù)(Atomic layer deposition, ALD)近年在集成電路制程設(shè)備產(chǎn)業(yè)中受到相當(dāng)大的矚目,對比于其他在線鍍膜系統(tǒng),原子層沉...
全息投影技術(shù)是一種利用光學(xué)原理,通過記錄和再現(xiàn)物體的光波信息,實現(xiàn)三維立體圖像的顯示技術(shù)。 一、全息投影技術(shù)的原理 全息的概念 全息(Holograph...
掃描電子顯微鏡(SEM簡稱掃描電鏡)是一個集電子光學(xué)技術(shù)、真空技術(shù)、精細機械結(jié)構(gòu)以及現(xiàn)代計算機控制技術(shù)于一體的復(fù)雜系統(tǒng)
摘要 :自從激光技術(shù)問世以來,全息技術(shù)在基于激光良好的相干性的基礎(chǔ)上得到了蓬勃的發(fā)展。全息技術(shù)的日漸成熟,使得投影技術(shù)逐漸走向真正的3D世界。
蜂窩狀多孔結(jié)晶異質(zhì)電催化劑實現(xiàn)高效的CO2吸附/活化
多孔異質(zhì)結(jié)構(gòu)電催化劑具有多功能和協(xié)同效應(yīng)有利于高效的電催化 CO2 還原反應(yīng) (CO2RR),但它仍面臨巨大挑戰(zhàn)。
如果晶粒的邊界不移動,就不能生長成晶粒,但是,晶粒邊界的運動很難預(yù)測。因此,晶粒邊界(g.b.)是關(guān)鍵問題,但是就小編的了解,很難根據(jù)晶體材料的表現(xiàn)判斷...
外觀檢查是通過目視檢查或使用某些簡單的儀器(例如,體視顯微鏡,金相顯微鏡甚至放大鏡)來檢查PCB的外觀,以找到 零件故障和相關(guān)的物理證據(jù)。
掃描電子顯微鏡(SEM)已廣泛用于材料表征、計量和過程控制的研究和先進制造中,我們在對半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)進行觀測時,常常會遇到充電效應(yīng),本文討論了與樣品充...
透射電子顯微鏡(TEM)概述透射電子顯微鏡(TEM)是材料科學(xué)、納米技術(shù)等領(lǐng)域中不可或缺的研究工具。對于新接觸TEM的科研人員而言,理解其基礎(chǔ)原理和操作...
sem掃描電鏡是測什么的?哪些學(xué)科領(lǐng)域會經(jīng)常使用到掃描電鏡?
SEM掃描電鏡即掃描電子顯微鏡,主要用于以下方面的檢測:1、材料微觀形貌觀察-材料表面結(jié)構(gòu):可以清晰地觀察到材料表面的微觀結(jié)構(gòu),如金屬材料的表面紋理、陶...
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