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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性
國產(chǎn)SiC模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率...
SiC碳化硅功率模塊賦能商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)高效升級的技術(shù)革新
在“雙碳”目標推動下,商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)的能效提升需求日益迫切。傳統(tǒng)IGBT模塊受限于高損耗與低開關(guān)頻率,難以滿足高效、高頻、高溫場景的嚴苛要求。碳化硅...
萬億碳化硅市場背后的隱形冠軍:納米銀燒結(jié)材料國產(chǎn)化提速
當新能源汽車的續(xù)航里程突破1000公里、800V高壓快充成為標配,SiC功率器件正悄然重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。在這場技術(shù)革命背后,一種名為“納米銀燒結(jié)”...
2025-05-17 標簽:碳化硅 8853 0
基本半導(dǎo)體亮相2025上海國際充換電與光儲充展覽會
此前,5月14-16日,2025第四屆上海國際充換電與光儲充展覽會(簡稱:CPSE上海充換電展)在上海汽車會展中心盛大開幕。基本半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率...
安世半導(dǎo)體Nexperia 2024年財報:營收20.6億美元,市場份額從2023年的8.9%提升至9.7%
安世半導(dǎo)體近日公布了2024財年財務(wù)業(yè)績。在宏觀經(jīng)濟持續(xù)不確定和市場周期性疲軟的背景下,公司展現(xiàn)出強大的抗風(fēng)險能力,通過強化執(zhí)行力和堅持創(chuàng)新投入,實現(xiàn)了...
納微半導(dǎo)體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET
納微半導(dǎo)體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準,以滿足最嚴苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“...
2025-05-14 標簽:MOSFET碳化硅納微半導(dǎo)體 389 0
英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述(一)
本文是按照2024年“第十八屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件年會”演講稿整理碳化硅為提升綠色能源鏈中的各種應(yīng)用提供了巨大潛力IGBT在大功率電力電子行...
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布擴大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合,推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 65...
Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分別...
2025-05-09 標簽:MOSFET碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 5836 0
近日,PNJ(PNJunction)亮相PCIM Europe 2025,在德國紐倫堡迎來展會首日盛況。本屆展會聚焦電力電子、智能運動、可再生能源與能源...
近日,基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產(chǎn)品性能進一步提升,封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ...
2025-05-09 標簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 372 0
基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕。基本半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動解決方案...
2025-05-09 標簽:功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 393 0
納微半導(dǎo)體公布2025年第一季度財務(wù)業(yè)績
納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計的2025年第一季度財務(wù)業(yè)績。
2025-05-08 標簽:氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 781 0
英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù),實現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電
為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)正在擴展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出了新型Coo...
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET...
此前,2025年4月23日至5月2日,第二十一屆上海國際汽車工業(yè)展覽會(Auto Shanghai 2025)在國家會展中心(上海)盛大舉行。本屆車展以...
在碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛...
2025-04-30 標簽:英飛凌碳化硅SiC MOSFET 195 0
SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權(quán)衡
碳化硅(SiC)MOSFET的Vgs正負驅(qū)動電壓限制的根本原因源于其柵氧化層(通常為SiO?)的電場耐受能力和界面特性,需在柵氧可靠性與器件性能之間進行...
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