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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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碳化硅功率模塊儲(chǔ)能變流器SiC-PCS在工商業(yè)儲(chǔ)能領(lǐng)域的滲透率加速狂飆
SiC碳化硅模塊版工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)全面替代傳統(tǒng)IGBT方案的必然性:碳化硅儲(chǔ)能變流器SiC-PCS在工商業(yè)儲(chǔ)能領(lǐng)域的滲透率加速提升并徹底終結(jié)I...
效率飆升3倍!碳化硅如何改寫儲(chǔ)能市場(chǎng)游戲規(guī)則?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)隨著儲(chǔ)能高速發(fā)展,對(duì)于性能的要求也越來(lái)越高。而SiC器件憑借高開(kāi)關(guān)頻率、低損耗、耐高溫等特性,在儲(chǔ)能功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(PCS)...
意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)達(dá)成戰(zhàn)略合作
日前,服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(ST)與重慶郵電大學(xué)在重慶安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上正...
2025-03-21 標(biāo)簽:新能源汽車意法半導(dǎo)體碳化硅 487 0
新品 | 采用電平位移驅(qū)動(dòng)器和碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評(píng)估板
新品采用電平位移驅(qū)動(dòng)器和碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評(píng)估板電子設(shè)備會(huì)污染電網(wǎng),導(dǎo)致電網(wǎng)失真,威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此,電...
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視,碳化硅(SiC)器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能,使其...
安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM31智能...
只有采用SiC碳化硅功率模塊的變流器PCS才能讓工商業(yè)儲(chǔ)能印鈔機(jī)狂飆
采用碳化硅(SiC)功率模塊的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)之所以被稱為“印鈔機(jī)”,是因?yàn)槠湓谛省⒊杀?、可靠性和系統(tǒng)集成等方面實(shí)現(xiàn)了革命性突破,顯著提升了...
SiC全橋碳化硅模塊在家儲(chǔ)系統(tǒng)電池充放電DC-DC中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
BMH027MR07E1G3碳化硅全橋模塊在家儲(chǔ)系統(tǒng)電池PACK充放電DC-DC中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì) BMH027MR07E1G3作為一款650V全橋碳化硅MO...
只能靠版圖微調(diào)與營(yíng)銷話術(shù)的國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司被掃入歷史塵埃
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司當(dāng)前面臨的困境,本質(zhì)上是技術(shù)路徑依賴與底層工藝能力缺失的必然結(jié)果。其“無(wú)言之痛”不僅體現(xiàn)在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的喪失,更折射出中國(guó)半...
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊取代英飛凌PIM模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊BMS065MR12EP2CA2替代IGBT模塊FP35R12N2T7_B67的綜合技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析 FP35R12N2T7_...
為何國(guó)產(chǎn)650V碳化硅MOSFET成為超結(jié)MOSFET的噩夢(mèng)
國(guó)產(chǎn)650V碳化硅(SiC)MOSFET之所以成為超結(jié)(Super Junction, SJ)MOSFET的“噩夢(mèng)”,主要源于其在性能、成本、應(yīng)用場(chǎng)景及...
納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)今日重磅發(fā)布...
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&A
碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技...
全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起
功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)...
2025-03-13 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅 141 0
為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡?
電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其...
2025-03-12 標(biāo)簽:碳化硅 502 0
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊解決工商業(yè)儲(chǔ)能PCS多維度痛點(diǎn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
BMF240R12E2G3解決工商業(yè)儲(chǔ)能PCS多維度痛點(diǎn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析 一、效率提升:高頻、低損耗與高溫穩(wěn)定性 低導(dǎo)通電阻與開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢(shì) BMF240R...
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的陣痛期預(yù)計(jì)持續(xù)到2028年
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當(dāng)前正處于技術(shù)追趕、市場(chǎng)調(diào)整與產(chǎn)業(yè)鏈整合的關(guān)鍵階段,其亂象的陣痛期預(yù)計(jì)將持續(xù)3年左右,行業(yè)出清需到2028年前后完成。
中國(guó)制造2025:SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的高度國(guó)產(chǎn)化
碳化硅功率半導(dǎo)體的高國(guó)產(chǎn)化程度是中國(guó)制造2025戰(zhàn)略的典型成果,通過(guò) 政策引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)鏈整合、技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)需求共振 ,實(shí)現(xiàn)了從“進(jìn)口替代”到“全球競(jìng)爭(zhēng)”...
2025-03-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 669 0
2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年
2025年被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)單管和模塊價(jià)格首次低于進(jìn)口...
東芝TLP5814H 具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“ TLP5814H ”,具備...
2025-03-06 標(biāo)簽:MOSFET光電耦合器柵極驅(qū)動(dòng) 1062 0
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