SiC規(guī)模將超560億？

結(jié)合全球功率半導(dǎo)體市場數(shù)據(jù)推算，2022年SiC功率半導(dǎo)體的滲透率為4.85%，2023年滲透率為6.53%，2028年預(yù)計(jì)將達(dá)到18.58%左右。

2024-01-25 標(biāo)簽：SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 610 0

全球IGBT/碳化硅模塊生產(chǎn)廠商概覽

　　在全球范圍內(nèi)，有多家企業(yè)生產(chǎn)IGBT/碳化硅模塊，以下是一些知名的企業(yè)。

2024-01-25 標(biāo)簽：IGBT碳化硅 1577 0

國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)比對分析

碳化硅具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場高、介電常數(shù)低及化學(xué)穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點(diǎn)，是具有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ牡谌滦桶雽?dǎo)體材料。

2024-01-24 標(biāo)簽：SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3122 0

SiC巨頭的2024，很悲觀

Wolfspeed 的問題源于其另一家工廠的生產(chǎn)混亂，該工廠是最大的碳化硅晶圓制造商之一。晶圓是其芯片的基礎(chǔ)，供應(yīng)不足正在抑制莫霍克谷芯片工廠的生產(chǎn)。

2024-01-23 標(biāo)簽：晶圓SiC碳化硅 1476 0

半導(dǎo)體硅片行業(yè)報(bào)告，國產(chǎn)替代進(jìn)程加速

第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC氮化鎵 1374 0

碳化硅基MEMS器件助力高性能氣體檢測應(yīng)用

MEMS器件廣泛應(yīng)用于機(jī)械、光學(xué)、射頻、生物等領(lǐng)域，氣體檢測正是其重要應(yīng)用方向之一。

2024-01-23 標(biāo)簽：接收器氣體傳感器MEMS器件 1423 0

一文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢

共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕...

2024-02-21 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體封裝 2144 0

安建半導(dǎo)體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片...

2024-01-20 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 1911 0

10億元、25萬片！江蘇新增一SiC項(xiàng)目

考察中，雙方就博藍(lán)特第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目落地延陵鎮(zhèn)進(jìn)行了深度洽談，博藍(lán)特計(jì)劃在延陵鎮(zhèn)投資10億元建設(shè)年產(chǎn)25萬片的6-8英寸碳化硅襯底，該項(xiàng)目建成...

2024-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 1265 0

碳化硅IDM巨頭實(shí)現(xiàn)突破，年產(chǎn)能24萬片！

業(yè)內(nèi)周知，功率SiC IDM 仍是其主流商業(yè)模式，而6英寸是龍頭廠商的主流SiC晶圓尺寸。在供不用求的刺激下，行業(yè)內(nèi)已有多家公司基于這一成熟平臺(tái)有多種產(chǎn)...

2024-01-19 標(biāo)簽：MOSFET功率器件IDM 1851 0

第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）行業(yè)研究報(bào)告：市場空間、未來展望、產(chǎn)業(yè)鏈深度梳理

近年來，隨著5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長，硅基半導(dǎo)體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時(shí)限制體積、發(fā)熱和成本的快速...

2024-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體檢測SiC 1.9萬 0