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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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耐溫更高:可以廣泛地應(yīng)用于溫度超過600 ℃的高溫工況下,而 Si 基器件在 600 ℃左右時(shí),由于超過其耐熱能力而失去阻斷作用。碳化硅極大提高了功率器...
Soitec 發(fā)布首款 200mm SmartSiC? 優(yōu)化襯底,拓展碳化硅產(chǎn)品組合
? 中國北京,2022 年?5 月?6日?——設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)Soitec 近日發(fā)布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSi...
位于美國紐約州的新工廠擴(kuò)大 Wolfspeed 制造產(chǎn)能,滿足從汽車到工業(yè)等諸多應(yīng)用對于 SiC 器件急劇增長的需求。
使用AlN(氮化鋁)成功實(shí)現(xiàn)晶體管操作
在物理性能方面,AIN比碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有更小的損耗和更高的耐壓,因此可以形成高壓高效的電源電路。AlN具有6.0eV的“帶隙”,即...
2022-04-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 3035 0
為何新能源汽車減產(chǎn),SiC生產(chǎn)線依舊需要擴(kuò)產(chǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近期,芯片短缺帶來的影響傳導(dǎo)到新能源汽車、智能手機(jī)等終端市場,這其中對于新能源汽車的影響更加露骨。從1月份至3月份,新能源...
天域半導(dǎo)體將用6.3公頃來用于建設(shè)半導(dǎo)體科技項(xiàng)目
近日,東莞松山湖管委會公布了《東莞市生態(tài)園2022年度土地征收成片開發(fā)方案》,內(nèi)容顯示擬征地6.316公頃,將被用于保障天域半導(dǎo)體科技有限公司所建設(shè)的半...
解決辦法是將碳和硅這兩種儲量豐富的元素以1:1的比例結(jié)合在一起,制成一種叫碳化硅(SiC)的半導(dǎo)體。碳化硅可以承受極高的溫度,并且可在高溫下正常工作。
碳化硅(SiC)在設(shè)計(jì)大功率電子器件方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅,開發(fā)者們對SiC材料的物理特性還有性能有較多的認(rèn)識,這種高性能化合物半導(dǎo)體的被廣泛采用,但在應(yīng)用中如...
同時(shí),結(jié)合浸淫多年的多管并聯(lián)技術(shù),特斯拉可以在其電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中,按照不同的功率等級選擇不同數(shù)量的TPAK并聯(lián),并根據(jù)不同的效率和成本要求選擇碳化硅M...
與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。
碳化硅(SiC)器件制造技術(shù)與硅制造有許多相似之處,但識別材料差異是否會影響清洗能力對于這個(gè)不斷發(fā)展的領(lǐng)域很有意義。材料參數(shù)差異包括擴(kuò)散系數(shù)、表面能和化...
未來兩年高端化是整車廠主戰(zhàn)場,軍備競賽開啟。補(bǔ)能時(shí)間是電動車面臨的核心短板之一,升級800V結(jié)構(gòu)有利于實(shí)現(xiàn)快充,在短期內(nèi)形成對中低端車型的差異化競爭力。...
隨著我們進(jìn)入由物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、大數(shù)據(jù)和人工智能 (AI) 驅(qū)動的新計(jì)算時(shí)代,對更節(jié)能芯片的需求不斷增長。在這種情況下,我們通常會想到摩爾定律和減小晶...
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) M...
2022-04-01 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體器件碳化硅 4929 0
Microchip Technology Inc.宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合
許多基于硅的設(shè)計(jì)在提高效率、降低系統(tǒng)成本和應(yīng)用創(chuàng)新方面已經(jīng)達(dá)到極限。雖然高壓碳化硅為實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)提供了一種有效的替代方案,但到目前為止,3.3 kV碳化...
納微半導(dǎo)體宣布全球首個(gè)氮化鎵功率芯片20年質(zhì)保承諾
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù),其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù),集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管...
Microchip推3.3 kV碳化硅(SiC)功率器件 微笑醫(yī)生獲得THL戰(zhàn)略投資
美國最大、發(fā)展最快的正畸牙科支持組織(“OSO”)微笑醫(yī)生,擁有超過 295 個(gè)地點(diǎn),宣布來自 Thomas H. Lee Partners 的戰(zhàn)略投資...
Stellar E系列電動汽車專用微控制器,促進(jìn)集中式電氣架構(gòu)發(fā)展 簡化車載充電機(jī)高能效功率模塊和數(shù)字化功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì) 來源:意法半導(dǎo)體 日前,中國?...
Microchip推出業(yè)界領(lǐng)先的3.3kV碳化硅(SiC)功率器件,實(shí)現(xiàn)更高的效率與可靠性
3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基勢壘二極管(SBD)擴(kuò)大了設(shè)計(jì)人員對交通、能源和工業(yè)系統(tǒng)中的高壓電力電子產(chǎn)品的選擇范圍。
實(shí)驗(yàn)研究了預(yù)清洗對KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒有適當(dāng)?shù)念A(yù)清洗,表面污染會形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔,導(dǎo)致晶片表面紋理特征不均勻...
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