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      標(biāo)簽　>　第三代半導(dǎo)體

      第三代半導(dǎo)體

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      第三代半導(dǎo)體主要是材料的變化。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段。

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      第三代半導(dǎo)體簡介

      　　半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段：

      　　第一代材料是硅，以硅（Si）和鍺（Ge ）為代表，就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。

      　　第二代材料是以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（ GaP ）為代表，目前的大部分通信設(shè)備的材料。

      　　第三點(diǎn)材料以氮化鎵（ GaN）、碳化硅（ SiC）、金剛石為代表 ，未來5G時(shí)代的標(biāo)配。

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      第三代半導(dǎo)體知識

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      第三代半導(dǎo)體技術(shù)

      SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

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      P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無...

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      第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體區(qū)別

      半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì)，是電子工業(yè)中不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了從第一代到...

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      英諾賽科 2KW 48V 雙向ACDC儲能電源方案

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      2KW 48V雙向ACDC儲能模塊采用All GaN解決方案，包括前端AC-DC無橋圖騰柱PFC和后端DC-DC隔離全橋LLC轉(zhuǎn)換器，可實(shí)現(xiàn)單雙向工作。...

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      2024-02-29 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1911 0

      ?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

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      半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...

      2023-12-21 標(biāo)簽：晶體管功率器件氮化鎵 3715 0

      淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢

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      新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...

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      STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)針對5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。 電路設(shè)計(jì)包括前端無橋圖...

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      基于ST 的ST-ONEHP的140W的符合PD3.1的ERP能效標(biāo)準(zhǔn)的參考電源設(shè)計(jì)

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      專門設(shè)計(jì)來控制ZVS非互補(bǔ)有源的鉗式反激(ACF)轉(zhuǎn)換器，以創(chuàng)建高功率密度充電器和適配器帶USB-PD EPR接口。

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      第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...

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      第三代半導(dǎo)體資訊

      安世半導(dǎo)體氮化鎵器件助力浩思動(dòng)力2025上海車展核心技術(shù)首秀

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      安世半導(dǎo)體近日宣布，旗下先進(jìn)的氮化鎵(GaN)器件成功應(yīng)用于浩思動(dòng)力(Horse Powertrain)首款超級集成動(dòng)力系統(tǒng)—Gemini小型增程器的發(fā)...

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      意法半導(dǎo)體：推進(jìn)8英寸SiC戰(zhàn)略，引領(lǐng)行業(yè)規(guī)模化發(fā)展

      ???????? ? ??文章來源：行家說三代半 ? ??作者：行家說-許若冰 ? ? 回顧2024年，碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個(gè)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步，并經(jīng)...

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      兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作 高算力MCU+第三代功率半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案

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      ? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵...

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      第三代功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體榮獲領(lǐng)益智造“金石供應(yīng)商”稱號

      ? 日前，廣東領(lǐng)益智造股份有限公司（簡稱“領(lǐng)益智造”）2025年供應(yīng)商大會于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開。納微達(dá)斯（無錫）半導(dǎo)體有限公司（簡稱“納微半導(dǎo)體”...

      2025-03-14 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 947 0

      破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

      破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）剛剛過去的2024年里，第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用，在清潔能源、新能源汽車市場進(jìn)一步滲透的同時(shí)，數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人...

      2025-01-05 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 4784 0

      第三代半導(dǎo)體對防震基座需求前景?

      第三代半導(dǎo)體對防震基座需求前景?

      隨著科技的發(fā)展，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi)，各國都在加大對第三代半導(dǎo)體的投入，建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國，多地都有相關(guān)大...

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      第三代半導(dǎo)體防震基座的技術(shù)難點(diǎn)有哪些？

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      高性能材料研發(fā)：需要具備更高阻尼性能、更低自然頻率、更好的耐腐蝕性和耐高溫性的特殊材料，如先進(jìn)的復(fù)合材料、特種合金等。目前部分高性能材料依賴進(jìn)口，限制了...

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      第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識

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      第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)...

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      2024-11-12 標(biāo)簽：康佳封測第三代半導(dǎo)體 494 0

      第1波嘉賓劇透！六大院士專家精彩分享：AEMIC第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新大會暨先進(jìn)半導(dǎo)體展

      第1波嘉賓劇透！六大院士專家精彩分享：AEMIC第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新大會暨先進(jìn)半導(dǎo)體展

      第2屆第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù) 創(chuàng)新大會暨先進(jìn)半導(dǎo)體展 ? “芯”材料? 新領(lǐng)航?? 11月6-8日，深圳國際會展中心（寶安） ? ? 主辦單位 中國...

      2024-09-10 標(biāo)簽：第三代半導(dǎo)體 396 0

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      第三代半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊

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        電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立， 是一個(gè)以電子技術(shù)知識為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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        提供全球最前沿?zé)o人駕駛科技趨勢，中國無人駕駛開發(fā)者社區(qū)
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        京瓷株式會社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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        AIoT
        +關(guān)注
        AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲于云端、邊緣端，再通過大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬物數(shù)據(jù)化、萬物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問題。
      • 測試電路
        測試電路
        +關(guān)注
      • 功放板
        功放板
        +關(guān)注
      • ELMOS
        ELMOS
        +關(guān)注
      • 功放制作
        功放制作
        +關(guān)注
        功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
      • 科創(chuàng)板
        科創(chuàng)板
        +關(guān)注
        擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購重組審核規(guī)則、上市委員會及科技創(chuàng)新咨詢委員會相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。
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