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標(biāo)簽 > 等離子體
等離子體又叫做電漿，是由部分電子被剝奪后的原子及原子團(tuán)被電離后產(chǎn)生的正負(fù)離子組成的離子化氣體狀物質(zhì)，尺度大于德拜長(zhǎng)度的宏觀電中性電離氣體，其運(yùn)動(dòng)主要受電磁力支配，并表現(xiàn)出顯著的集體行為。它廣泛存在于宇宙中，常被視為是除去固、液、氣外，物質(zhì)存在的第四態(tài)。
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近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪?、不?huì)形成小丘以及對(duì)電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制...
等離子體清洗工藝的關(guān)鍵技術(shù) 等離子體清洗在封裝生產(chǎn)中的應(yīng)用
等離子體工藝是干法清洗應(yīng)用中的重要部分，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，等離子體清洗的優(yōu)勢(shì)越來越明顯。文章介紹了等離子體清洗的特點(diǎn)和應(yīng)用，討論了它的清洗原理和優(yōu)化...
對(duì)于純FR-4多層印制電路板孔金屬化抄板制造來講，目前業(yè)界已有相當(dāng)成熟之處理經(jīng)驗(yàn)，即于孔金屬前，進(jìn)行堿性高錳酸鉀孔壁凹蝕處理。而對(duì)于純聚四氟乙烯介質(zhì)多層...
如此產(chǎn)生之離子、自由基被連續(xù)的沖撞和受電場(chǎng)作用力而加速，使之與材料表面碰撞，并破壞數(shù)微米范圍以內(nèi)的分子鍵，誘導(dǎo)削減一定厚度，生成凹凸表面，同時(shí)形成氣體成...
等離子體顯示器與液晶顯示器相比有何特點(diǎn) 等離子體顯示器的顯示原理
等離子體顯示器在對(duì)比度、視角和響應(yīng)速度等方面的優(yōu)勢(shì)較為顯著，適合用于娛樂和家庭影院等方面；而液晶顯示器則在功耗、分辨率和便攜性等方面有一定的優(yōu)勢(shì)，適合辦...
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料...
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和A...
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在H...
高壓直流電源用于加速離子，大約為200kV的DC電源供應(yīng)系統(tǒng)被裝配在注入機(jī)內(nèi)。為了通過離子源產(chǎn)生離子，需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾...
為了形成高密度等離子體，需要有激發(fā)混合氣體的射頻（RF）源，并直接使高密度等離子體到達(dá)硅片表面。在HDP-CVD反應(yīng)腔中，主要是由電感耦合等離子體反應(yīng)器...
減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研...
等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對(duì)于成熟的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系...
一般需要超過3×106V/m的電場(chǎng)強(qiáng)度或幾千攝氏度以上的高溫，因?yàn)橹挥性谶@樣極端的條件下氣體分子才會(huì)部分或全部失去電子形成正負(fù)離子。
2023-03-29 標(biāo)簽：等離子體手機(jī)信號(hào)信號(hào)屏蔽器 2645 0
對(duì)于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點(diǎn)都取決于時(shí)間，而時(shí)間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動(dòng)監(jiān)測(cè)終點(diǎn)的方法，所以通常由操作員目測(cè)終點(diǎn)。濕法...
嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量，所以如果沒有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng)，晶圓溫度就會(huì)提高。對(duì)于圖形化刻蝕，晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層，如果晶圓溫度超過1...
等離子體最初用來刻蝕含碳物質(zhì)，例如用氧等離子體剝除光刻膠，這就是所謂的等離子體剝除或等離子體灰化。等離子體中因高速電子分解碰撞產(chǎn)生的氧原子自由基會(huì)很快與...
熱平衡等離子體中，電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應(yīng)室的溫度，...
2022-12-12 標(biāo)簽：等離子體工藝半導(dǎo)體制造 2254 0
其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基，自由基至少帶有一個(gè)不成對(duì)的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學(xué)上非?；钴S，能奪取其他原子或分子的電子形...
早在上世紀(jì) 70 年代，激光就被首次用于切割。在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中，激光切割更被廣泛應(yīng)用于鈑金，塑料、玻璃、陶瓷、半導(dǎo)體以及紡織品、木材和紙質(zhì)等材料加工。
我們?nèi)A林科納討論了一些重要的等離子體蝕刻和沉積問題（從有機(jī)硅化合物）的問題，特別注意表面條件，以及一些原位表面診斷的例子。由于等離子體介質(zhì)與精密的表面分...
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