現(xiàn)在可以達(dá)到僅7 nm的fin寬度，比30個(gè)硅原子稍大一點(diǎn)。半導(dǎo)體制造已經(jīng)跨越了從納米級(jí)到原子級(jí)工藝的門檻。工程師現(xiàn)在必須關(guān)注結(jié)構(gòu)的尺寸變化，僅相當(dāng)于幾個(gè)原子大小。由于多重圖案模式等復(fù)雜集成增加了工藝數(shù)量，進(jìn)一步限制了每個(gè)
2021-02-08 10:53:00
6590 
本期，我們將繼續(xù)探索半導(dǎo)體制造過程中的兩大關(guān)鍵步驟：刻蝕和薄膜沉積。
2022-08-01 10:58:184517 
目前為止，在日常生活中使用的每一個(gè)電氣和電子設(shè)備中，都是由利用半導(dǎo)體器件制造工藝制造的集成電路組成。電子電路是在由純半導(dǎo)體材料(例如硅和其他半導(dǎo)體化合物)組成的晶片上創(chuàng)建的，其中包括光刻和化學(xué)工藝的多個(gè)步驟。
2022-09-22 16:04:441861 
等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)
2022-11-15 09:57:312626 單晶硅刻蝕用來形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。
2023-02-13 11:13:235905 
在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個(gè)“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點(diǎn)，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10506 在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
在這個(gè)半導(dǎo)體制程工藝即將面臨更新?lián)Q代之際，我們不妨從設(shè)計(jì)、制造和代工不同角度審視一下，迎接全新工藝的半導(dǎo)體企業(yè)的應(yīng)對(duì)策略。
2011-09-30 09:16:231715 
我們已經(jīng)從前兩篇的文章中了解了半導(dǎo)體制造的前幾大步驟，包括晶圓加工、氧化、光刻、刻蝕和薄膜沉積。 ? 在今天的推文中，我們將繼續(xù)介紹最后三個(gè)步驟：互連、測(cè)試和封裝，以完成半導(dǎo)體芯片的制造
2021-08-02 13:49:0416085 表現(xiàn)依舊存在較大的改進(jìn)空間。從2019年底到2020年初，業(yè)內(nèi)也召開了多次與半導(dǎo)體制造業(yè)相關(guān)的行業(yè)會(huì)議，對(duì)2020年和以后的半導(dǎo)體工藝進(jìn)展速度和方向進(jìn)行了一些預(yù)判。今天本文就綜合各大會(huì)議的消息和廠商披露
2020-07-07 11:38:14
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對(duì)外提供6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)和工藝加工服務(wù)，包括：產(chǎn)品代工、短流程加工、單項(xiàng)工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長(zhǎng)期
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導(dǎo)體制冷—— 2 1 世紀(jì)的綠色“冷源”唐春暉（上海理工大學(xué)光學(xué)與電子信息工程學(xué)院，上海 200093）摘要：基于節(jié)能和環(huán)保已是當(dāng)今一切科技發(fā)展進(jìn)步的基本要求，對(duì)半導(dǎo)體制冷技術(shù)原理以及應(yīng)用情況做了
2010-04-02 10:14:56
大家有沒有用過半導(dǎo)體制冷的，我現(xiàn)在選了一種制冷片，72W的，我要對(duì)一個(gè)2.5W的熱負(fù)載空間（100x100x100mm）降溫，用了兩片，在環(huán)溫60度時(shí)熱負(fù)載所處的空間只降到30度，我采用的時(shí)泡沫膠
2012-08-15 20:07:10
半導(dǎo)體制冷的機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級(jí)，在外電場(chǎng)的作用下，電荷載體從高能級(jí)的材料向低能級(jí)的材料運(yùn)動(dòng)時(shí)，便會(huì)釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的制造方法，其實(shí)歸根究底，就是在矽半導(dǎo)體上制造電子元器件，電子元器件包括很多品種：整流橋，二極管，電容等各種IC類，更復(fù)雜的還有整流模塊等等。ASEMI半導(dǎo)體的每一個(gè)電子元器件的完成都是由精密復(fù)雜
2018-11-08 11:10:34
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
們的投入中，80%的開支會(huì)用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。而先進(jìn)工藝中所用到的EUV極紫外光刻機(jī)，一臺(tái)設(shè)備的單價(jià)就可以達(dá)到1.2億美元，可見半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16
半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
。例如實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體制造設(shè)備、晶圓加工流程的自動(dòng)化，目的是大幅度減少工藝中的操作者，因?yàn)槿耸莾艋g中的主要沾污源。由于芯片快速向超大規(guī)模集成電路發(fā)展，芯片設(shè)計(jì)方法變化、特征尺寸減小。這些變化向工藝制造提出挑戰(zhàn)
2020-09-02 18:02:47
傷害員工、污染環(huán)境，半導(dǎo)體工廠需要有極為嚴(yán)格的污染防治措施，包括實(shí)時(shí)處理工作場(chǎng)所的空氣、妥善處理生產(chǎn)廢料等等。在半導(dǎo)體制造業(yè)中，由于其昂貴設(shè)備的敏感性和制造過程的復(fù)雜性，工廠的布局變得不可以輕易更改
2020-09-24 15:17:16
控制；控制圖 中圖分類號(hào)：TN301 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)：1003-353X(2004)03-0058-03 1 前言 近年來，半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)歷了快速的改變,技術(shù)的提升也相對(duì)地增加了工藝過程
2018-08-29 10:28:14
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
的試劑，無論是單獨(dú)工作還是與其他化學(xué)品混合，對(duì)于半導(dǎo)體制造中的濕法清洗工藝。通過適當(dāng)?shù)膽?yīng)用，它可以避免使用一些需要在高溫下操作的高腐蝕性化學(xué)品，從而減少 CoO，包括化學(xué)品費(fèi)用、沖洗水量、安全問題
2021-07-06 09:36:27
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：IC制造工藝編號(hào)：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
新加坡知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管！此職位為內(nèi)部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機(jī)臺(tái)poly刻蝕經(jīng)驗(yàn)。刻蝕設(shè)備主管需要熟悉LAM8寸機(jī)臺(tái)。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡(jiǎn)歷發(fā)到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會(huì)轉(zhuǎn)發(fā)給HR。
2017-04-29 14:23:25
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
我想用單片機(jī)開發(fā)板做個(gè)熱療儀，開發(fā)板是某寶上買的那種，有兩個(gè)猜想：一個(gè)用半導(dǎo)體制冷片發(fā)熱，一個(gè)用電熱片。但我不會(huì)中間要不要接個(gè)DA轉(zhuǎn)換器還是繼電器什么的，查過一些資料，如果用半導(dǎo)體制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
求大神解答，半導(dǎo)體制冷片的正負(fù)極能反接嗎，如果可以，那原來的制冷面是不是可變成散熱面而原來的散熱面變成制冷面？？
2016-03-03 16:53:12
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
基于半導(dǎo)體制冷片的高精度溫度控制系統(tǒng)，總結(jié)的太棒了
2021-05-08 06:20:22
如何實(shí)現(xiàn)基于STM32的半導(dǎo)體制冷片(TEC)溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)？
2021-12-23 06:07:59
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問問你們有沒好點(diǎn)的意見，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
{:1:}想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識(shí)
2012-02-12 11:15:05
，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。刻蝕（英語：etching）是半導(dǎo)體器件制造中利用化學(xué)途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。刻蝕對(duì)于器件的電學(xué)性能十分重要。如果刻蝕過程中出現(xiàn)失誤，將造成難以恢復(fù)
2017-10-09 19:41:52
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
刻蝕工藝以滿足工藝集成要求; 3、 與其他工程師緊密配合，進(jìn)行半導(dǎo)體工藝流程分析 任職要求： 1、大學(xué)本科學(xué)歷（含）以上 2、掌握半導(dǎo)體基礎(chǔ)理論，制品及器件技術(shù)，熟悉設(shè)備 、工藝 、 制造等相關(guān)內(nèi)容
2016-10-26 17:05:04
中國(guó)半導(dǎo)體制造行業(yè)的兩大企業(yè)，華虹半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱“華虹”)和宏力半導(dǎo)體制造公司(簡(jiǎn)稱“宏力”)于29日聯(lián)合宣布雙方已完成了合并交易。
2011-12-30 08:58:501867 半導(dǎo)體制造刻蝕設(shè)備調(diào)度算法的研究_賈小恒
2017-03-19 11:28:16
2 半導(dǎo)體制作工藝CH
2017-10-18 10:19:4747 本文首先介紹了半導(dǎo)體制造工藝流程及其需要的設(shè)備和材料，其次闡述了IC晶圓生產(chǎn)線的7個(gè)主要生產(chǎn)區(qū)域及所需設(shè)備和材料，最后詳細(xì)的介紹了半導(dǎo)體制造工藝，具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-05-23 17:32:3169224 
本文首先介紹了半導(dǎo)體制造工藝流程及其需要的設(shè)備和材料，其次闡述了IC晶圓生產(chǎn)線的7個(gè)主要生產(chǎn)區(qū)域及所需設(shè)備和材料，最后詳細(xì)的介紹了半導(dǎo)體制造工藝，具體的跟隨小編一起來了解一下。 一、半導(dǎo)體制造
2018-09-04 14:03:026592 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造工藝教程的詳細(xì)資料免費(fèi)下載主要內(nèi)容包括了：1.1 引言 1.2基本半導(dǎo)體元器件結(jié)構(gòu) 1.3半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展歷史 1.4集成電路制造階段 1.5半導(dǎo)體制造企業(yè) 1.6基本的半導(dǎo)體材料 1.7 半導(dǎo)體制造中使用的化學(xué)品 1.8芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境
2018-11-19 08:00:00200 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造教程之工藝晶體的生長(zhǎng)資料概述
一、襯底材料的類型1.元素半導(dǎo)體 Si、Ge…。2. 化合物半導(dǎo)體 GaAs、SiC 、GaN…
2018-11-19 08:00:0040 上?！?月20-22日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)攜旗下前沿半導(dǎo)體制造工藝與技術(shù)亮相SEMICON China 2019，并分享其對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的深刻見解與洞察。作為中國(guó)半導(dǎo)體
2019-03-21 16:57:463815 。第四章和第五章分別討論了光刻和刻蝕技術(shù)。第六章和第七章介紹半導(dǎo)體摻雜的主要技術(shù)；擴(kuò)散法和離子注入法。第八章涉及一些相對(duì)獨(dú)立的工藝步驟，包括各種薄層淀積的方法?！?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)》最后三章集中討論制版和綜合。
2020-03-09 08:00:00229 刻蝕是半導(dǎo)體制造中十分關(guān)鍵的一環(huán)，刻蝕通過物理或化學(xué)方法將硅片表面不需要的材料去除，從而將掩膜圖形正確的復(fù)制到涂膠硅片上。
2021-02-23 16:41:573382 MEMS工藝——半導(dǎo)體制造技術(shù)說明。
2021-04-08 09:30:41237 標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造工藝可以大致分為兩種工藝。一種是在襯底（晶圓）表面形成電路的工藝，稱為“前端工藝”。另一種是將形成電路的基板切割成小管芯并將它們放入封裝的過程，稱為“后端工藝”或封裝工藝。在半導(dǎo)體制造
2022-03-14 16:11:136771 
的半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)也變得復(fù)雜，包括從微粉化一邊倒到三維化，半導(dǎo)體制造工藝也變得多樣化。其中使用的材料也被迫發(fā)生變化，用于制造的半導(dǎo)體器件和材料的技術(shù)革新還沒有停止。為了解決作為半導(dǎo)體制造工藝之一的CMP
2022-03-21 13:39:083886 
刻蝕室半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個(gè)顯著的區(qū)別是各向異性，更適合用于對(duì)形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 達(dá)到的水準(zhǔn)，因此單片式刻蝕、清洗設(shè)備開始在半導(dǎo)體制造過程中發(fā)揮越來越大的作用。 ? 在全自動(dòng)單片清洗設(shè)備中，由于大而薄的硅片對(duì)夾緊力較為敏感，再加上硅片的翹曲率不同，因此對(duì)于硅片的抓取、傳輸提出了更高的要求。
2022-08-15 17:01:354061 
針對(duì)半導(dǎo)體制造工藝的UV-LED光源需求，虹科提供高功率的紫外光源解決方案，可適配步進(jìn)器和掩膜版設(shè)備，更換傳統(tǒng)工具中的傳統(tǒng)燈箱，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的半導(dǎo)體質(zhì)量控制。
2023-03-29 10:35:41712 
經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04479 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571181 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層?！暗谷肭煽肆μ菨{”和“蓋上餅干層”的過程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 
在半導(dǎo)體制造過程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點(diǎn)多，操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:552902 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 
半導(dǎo)體制造是現(xiàn)代微電子技術(shù)的核心，涉及一系列精細(xì)、復(fù)雜的工藝步驟。下面我們將詳細(xì)解析半導(dǎo)體制造的八大關(guān)鍵步驟：
2023-09-22 09:05:191720 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
[半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34541 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531538 如今，半導(dǎo)體制造工藝快速發(fā)展，每一代新技術(shù)都在減小集成電路(IC)上各層特征的間距和尺寸。晶圓上高密度的電路需要更高的精度以及高度脆弱的先進(jìn)制造工藝。
2023-12-25 14:50:47174
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論