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標(biāo)簽 > 納微半導(dǎo)體
Navitas 成立于 2014 年,開發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。
納微車規(guī)級第三代“快速”碳化硅MOSFET助力Brightloop打造氫燃料電池充電器
GeneSiC MOSFET技術(shù)為燃料電池和重型運(yùn)輸領(lǐng)域的高壓大功率‘多變換器’賦予無與倫比的功率密度 日前;納微半導(dǎo)體
2025-06-16 標(biāo)簽: 電池充電 氫燃料電池 納微半導(dǎo)體 602 0
前不久,納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
納微半導(dǎo)體推出12kW超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心電源
近日,納微半導(dǎo)體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計(jì),可適配功率密度達(dá)120kW的高功率服
2025-05-27 標(biāo)簽: 數(shù)據(jù)中心 AI 納微半導(dǎo)體 455 0
NVIDIA 采用納微半導(dǎo)體開發(fā)新一代數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu) 800V HVDC 方案,賦能下一代AI兆瓦級算力需求
全球 AI 算力基礎(chǔ)設(shè)施革新迎來關(guān)鍵進(jìn)展。近日,納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor, 納斯達(dá)克代碼:
2025-05-23 標(biāo)簽: NVIDIA 納微半導(dǎo)體 1286 0
納微半導(dǎo)體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn),以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納
2025-05-14 標(biāo)簽: MOSFET 碳化硅 納微半導(dǎo)體 356 0
納微半導(dǎo)體公布2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績
納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計(jì)的2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績。
2025-05-08 標(biāo)簽: 氮化鎵 碳化硅 納微半導(dǎo)體 753 0
峰值效率98%,納微12kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源,支持英偉達(dá)Backwell GPU
去年底納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源,其采用了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的混合設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了>97
2025-05-06 標(biāo)簽: 電源 氮化鎵 納微半導(dǎo)體 3551 0
納微半導(dǎo)體邀您相約PCIM Europe 2025
納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025,全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽
2025-04-27 標(biāo)簽: 數(shù)據(jù)中心 氮化鎵 納微半導(dǎo)體 413 0
納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊,該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFE
2025-04-22 標(biāo)簽: 功率模塊 碳化硅 納微半導(dǎo)體 429 0
納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認(rèn)證
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達(dá)到電動汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn),可為車載充電機(jī)(OBC)和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC
2025-04-17 標(biāo)簽: 氮化鎵 功率半導(dǎo)體 功率芯片 1705 0
Navitas 成立于 2014 年,開發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源,它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注,還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
GaN 的重要性與日俱增,因?yàn)樗軌蛱峁┍葌鹘y(tǒng)硅半導(dǎo)體顯著改進(jìn)的性能,同時(shí)減少提供該性能所需的能量和物理空間。GaN 技術(shù)將通過提高效率、降低清潔能源的成本以及減少制造功率半導(dǎo)體所需的材料和能源來加速向可持續(xù)未來的過渡。
Navitas 是 GaN 的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,在單個(gè)易于使用的集成電路 (IC) 中提供驅(qū)動、控制和保護(hù)。Navitas GaNFast IC是易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出”構(gòu)建塊,可將開關(guān)速度提高 100 倍,同時(shí)將節(jié)能效果提高 40%。
通過選擇 Navitas GaN,產(chǎn)品開發(fā)人員能夠創(chuàng)建比以往更小、更輕、更快、更環(huán)保的電源轉(zhuǎn)換和電源管理解決方案。從智能手機(jī)、筆記本電腦和平板電腦的快速充電器到電視、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、電動汽車和可再生能源發(fā)電,GaNFast IC 可實(shí)現(xiàn)最高能效、最高集成度和最高功率密度。
Navitas 的管理團(tuán)隊(duì)在電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新和業(yè)務(wù)創(chuàng)造方面有著非凡的記錄。該公司由管理團(tuán)隊(duì)和頂級風(fēng)險(xiǎn)投資家 Atlantic Bridge、Capricorn Investment Group 和 Malibu IQ 資助,他們都在建立對電子行業(yè)產(chǎn)生重大影響的業(yè)務(wù)方面擁有良好的記錄。
一文看懂氮化鎵:納微最全介紹,帶你極速認(rèn)識第三代半導(dǎo)體
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū),從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。
2021-07-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵納微半導(dǎo)體 2.3萬 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片
納微半導(dǎo)體于2022年9月正式發(fā)布新一采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片,作為全新一代產(chǎn)品,其集成了兩個(gè)GaN FET...
2022-09-09 標(biāo)簽:驅(qū)動器功率芯片納微半導(dǎo)體 2105 0
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器,邏輯和保護(hù)...
充電器,已經(jīng)成為每個(gè)人的生活必需品。充電器的結(jié)構(gòu)是否緊湊,能否提供更高的功率和更短的充電時(shí)間,對消費(fèi)電子企業(yè)和消費(fèi)者都非常重要,在這種背景下,讓氮化鎵已...
2022-11-09 標(biāo)簽:充電器GaN納微半導(dǎo)體 812 0
納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實(shí)現(xiàn)最佳充電效果
碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料,正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片,應(yīng)用于可再生能源、儲能、 微網(wǎng)、電動汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。
納微新一代GaNSense? Control合封芯片的應(yīng)用電路
GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅(qū)動器的所有優(yōu)點(diǎn),加上單個(gè)表面貼裝封裝中的控制和保護(hù)...
2023-04-25 標(biāo)簽:充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 532 0
2018-06-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 0 1857
納微半導(dǎo)體推出智能GaNFast氮化鎵功率芯片立即下載
2023-02-22 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 0 480
納微半導(dǎo)體成立全球首家氮化鎵功率芯片設(shè)計(jì)中心立即下載
2023-02-22 標(biāo)簽:電動汽車氮化鎵納微半導(dǎo)體 0 459
納微半導(dǎo)體 (Navitas) 在重要亞洲電子會議上 展示氮化鎵(GaN) 功率IC
納微 (Navitas) 半導(dǎo)體宣布,將在11月3號到6號在上海舉辦的中國電源學(xué)會學(xué)術(shù)年會(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應(yīng)用。
2017-10-30 標(biāo)簽:GaN納微半導(dǎo)體 1.4萬 0
納微(Navitas)宣布GaNFast?功率IC應(yīng)用在前所未有的14mm超薄外形通用型45W電源適配器Mu One。這個(gè)用于全球范圍的超薄適配器可輕松...
2018-03-06 標(biāo)簽:適配器氮化鎵納微半導(dǎo)體 9712 0
納微半導(dǎo)體助力一加ACE手機(jī)首款標(biāo)配氮化鎵充電器發(fā)布
GaNFast?功率芯片為一加ACE手機(jī)實(shí)現(xiàn)超快充,電量從1%到100%只需充電17分鐘 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月11號訊 - 納微半...
2022-08-12 標(biāo)簽:手機(jī)氮化鎵納微半導(dǎo)體 9579 0
氮化鎵新動態(tài):傳感器融入芯片、導(dǎo)通電阻大幅下降
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文、李誠)氮化鎵和碳化硅一樣,不斷地挑戰(zhàn)著硅基材料的物理極限,多用于電力電子、微波射頻領(lǐng)域,在電力電子的應(yīng)用中,氮化鎵的禁帶寬度是硅基...
2021-11-16 標(biāo)簽:傳感器氮化鎵納微半導(dǎo)體 9161 0
納微半導(dǎo)體 GaN功率IC實(shí)現(xiàn) 世界上最小的65W USB-PD 手提電腦電源適配器
納微 (Navitas) 半導(dǎo)體宣布推出世界上最小的65W USB-PD (Type-C) 電源適配器參考設(shè)計(jì),以跟上過去十年來筆記型電腦在更小尺寸和更...
業(yè)界第一個(gè)GaNFast?功率IC同時(shí)實(shí)現(xiàn)了MHz頻率和最高效率運(yùn)行,這些優(yōu)異性能意味著移動快速充電器和適配器、LED電視、電動車/混合動力汽車、LED...
2018-04-17 標(biāo)簽:ic納微半導(dǎo)體 8725 0
氮化鎵功率器件再升級:GaNsense?技術(shù)能帶來怎樣的改變?
相比傳統(tǒng)的硅器件,氮化鎵器件的開關(guān)速度要比硅快20倍,體積和重量更小,在一些系統(tǒng)里可以節(jié)能40%以上。同時(shí)相比于硅,氮化鎵功率器件的功率密度可以提升3倍...
2021-11-26 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 6262 0
納微(Navitas) 宣布與文曄科技達(dá)成分銷協(xié)議,以期加強(qiáng)客戶關(guān)系,并加速GaNFast?功率IC在中國、臺灣和韓國市場的滲透率和銷售額增長。全球首款...
2018-06-21 標(biāo)簽:gan納微半導(dǎo)體 6040 0
納微在2018國際電力電子技術(shù)及應(yīng)用會議上 發(fā)布GaNFast技術(shù)發(fā)展成果
納微(Navitas)半導(dǎo)體公司宣布成為2018年11月4日至7日在中國深圳舉辦的第二屆國際電力電子技術(shù)及應(yīng)用會議(IEEE PEAC‘2018)的鉆石...
2018-10-09 標(biāo)簽:電力電子功率IC納微半導(dǎo)體 5614 0
Navitas納微半導(dǎo)體將在2019 CPSSC上展示GaNFast技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位
Navitas 納微半導(dǎo)體今天宣布將于2019年11月1日至4日在中國深圳舉行的中國電源學(xué)會(CPSSC)上展示20多款由GaNFast技術(shù)驅(qū)動的手機(jī)...
2019-10-23 標(biāo)簽:功率器件納微半導(dǎo)體Navitas 4633 0
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