全球主要晶圓廠制程節(jié)點技術(shù)路線圖

雕刻電路圖案的核心制造設備是光刻機，它的精度決定了制程的精度。光刻機的運作原理是先把設計好的芯片圖案印在掩膜上，用激光穿過掩膜和光學鏡片，將芯片圖案曝光...

2023-11-24 標簽：臺積電晶體管光刻機 8124 0

芯片制程中常見的介質(zhì)材料有哪些？都有什么作用？

在芯片制程中，介質(zhì)層起到了非常重要的作用。它不僅在芯片中提供了必要的電氣隔離，還在多層互連結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)了信號的高效傳輸。那么目前芯片制程中常見的介質(zhì)材料有...

2023-10-19 標簽：MOSFET晶體管介電常數(shù) 7197 0

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)之平面結(jié)構(gòu)

電流從漏極流向源極時，電流在硅片內(nèi)部橫向流動，而且主要從硅片的上表層流過，因此沒有充分應用芯片的尺寸；而且，這種結(jié)構(gòu)的耐壓，由柵極下面P層寬度和摻雜決定

2023-11-04 標簽：MOSFET電壓晶體管 6887 0

芯片制程常見的金屬材料及其特性

銀 (Ag)： 導電漿料：用于某些先進的封裝技術(shù)。 電鍍：電鍍錫銀合金 鎳 (Ni)： 硅化物形成：與硅反應形成鎳硅化物，用于某些接觸應用。 磁性金屬：...

2023-11-15 標簽：芯片CMOS封裝技術(shù) 6649 0

什么是SOI襯底？SOI襯底的優(yōu)勢是什么？

SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄...

2023-10-10 標簽：集成電路寄生電容SOI 5512 0

淺談芯片制程工序中片內(nèi)&片間均勻性的定義和計算

均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個關(guān)鍵指標。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。

2023-11-01 標簽：晶圓光刻半導體工藝 4692 0

EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術(shù)仍被認為是實現(xiàn)半導體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預計EUV光刻將在未來繼續(xù)推動芯片制程的進步。

2023-05-18 標簽：光刻人工智能EUV 3590 0

互連/接觸/通孔/填充分別代表了什么

在芯片制程中，互連、接觸、通孔和填充是常見術(shù)語，這四個術(shù)語代表了金屬化中不同的連接方式。那么互連、接觸、通孔和填充塞分別代表了什么？有什么作用呢？

2023-11-06 標簽：芯片集成電路晶體管 3207 0

存內(nèi)計算——助力實現(xiàn)28nm等效7nm功效

可重構(gòu)芯片嘗試在芯片內(nèi)布設可編程的計算資源，根據(jù)計算任務的數(shù)據(jù)流特點，動態(tài)構(gòu)造出最適合的計算架構(gòu)，國內(nèi)團隊設計并在12nm工藝下制造的CGRA芯片，已經(jīng)...

2024-05-17 標簽：芯片AI芯片制程 2626 0

芯片制程之常見的金屬化制程

氣態(tài)前驅(qū)體在晶圓上反應，形成所需的薄膜沉積在晶圓表面。CVD可用于沉積多種金屬，如鎢、銅、鈦等。

2023-11-16 標簽：電阻電容晶圓 2617 0

全球第一個2納米芯片制造技術(shù)，誕生在了紐約州奧爾巴尼的IBM研究院

然而，隨著FinFET和其他3D晶體管設計的出現(xiàn)，現(xiàn)在的工藝節(jié)點名稱是對「等效2D晶體管」設計的解釋。一般用晶體管密度可以更準確的衡量，如同英特爾倡導的那樣。

2021-05-11 標簽：晶體管納米芯片制程 4783 0