等離子體蝕刻工藝對集成電路可靠性的影響

隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設計上的改善對于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對高能量電子和空穴注入柵氧化...

2025-03-01 標簽：集成電路等離子體晶圓 722 0

不同氮化鎵蝕刻技術(shù)的比較

GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...

2023-12-01 標簽：半導體晶圓氮化鎵 1243 0

將銅互連擴展到2nm的研究

晶體管尺寸在3nm時達到臨界點，納米片F(xiàn)ET可能會取代finFET來滿足性能、功耗、面積和成本目標。同樣，正在評估2nm銅互連的重大架構(gòu)變化，此舉將重新...

2023-11-14 標簽：半導體晶圓蝕刻工藝 622 0

等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性

近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學機械拋光(CMP)方法用于制...

2023-11-08 標簽：等離子體等離子蝕刻工藝 861 0

降低半導體金屬線電阻的沉積和蝕刻技術(shù)

銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中...

2023-09-22 標簽：半導體蝕刻蝕刻工藝 1115 0

低能量電子束曝光技術(shù)

直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對聚合物抗蝕劑進行構(gòu)圖，然后通過干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯...

2023-09-07 標簽：半導體蝕刻工藝電子束 809 0

耐蝕點蝕鍍銅工藝

隨著5G技術(shù)的推出，導致電子電路和IC基板在設計中要求更高的密度。由于5G應用的性質(zhì)，這些設計中的高可靠性和出色的電氣性能也越來越重要。

2023-09-01 標簽：半導體鍍銅工藝蝕刻工藝 3787 0

酸蝕刻對鈦醫(yī)藥材料納米形態(tài)表面特性及活化能的影響

鈦金屬具有較高的比強度和生物相容性，并且由于在金屬表面自發(fā)形成的鈍化膜而具有優(yōu)異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成，保護內(nèi)部活性鈦金屬免受侵蝕性介...

2023-09-01 標簽：傳感器半導體蝕刻工藝 748 0

六氟化硫等離子體的熱反應離子蝕刻

眾所周知，微機電系統(tǒng)(MEMS)嚴重依賴于集成電路制造中使用的材料，例如單晶硅。然而，由于金屬、玻璃和壓電陶瓷的特殊性質(zhì)，這些材料在MEMS中的使用正在...

2023-09-01 標簽：集成電路半導體晶圓 626 0

單片微波集成電路中砷化鎵的干蝕刻

目前高功率砷化鎵基單片微波集成電路(MMICs)已廣泛應用于軍事、無線和空間通信系統(tǒng)。使用連接晶片正面和背面的襯底通孔，這些MMICs的性能顯著提高。

2023-07-13 標簽：集成電路半導體蝕刻工藝 902 0

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使...

2023-05-30 標簽：晶體管蝕刻工藝3d nand 2312 0

濕式化學蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì)，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強烈的共振。然而，...

2023-05-25 標簽：半導體晶圓蝕刻 1731 0

如何在蝕刻工藝中實施控制？

蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來...

2023-05-19 標簽：pcb控制系統(tǒng)設備 1389 0

AlN和Sc0.2Al0.8N薄膜的濕法化學腐蝕

用鈧?cè)〈恍╀X可以增加壓電性能，但也使薄膜的沉積和圖案形成更具挑戰(zhàn)性。

2023-03-21 標簽：蝕刻工藝壓電材料刻蝕 1791 0

半導體蝕刻工藝課堂素材分享（4）（下）

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2022-08-02 標簽：半導體蝕刻工藝 5311 0

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造（下）

接上回的實驗演示 ? 實驗演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設計和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑...

2022-05-11 標簽：光學蝕刻蝕刻工藝 1158 0

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造（上）

?引言 我們報道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進行連續(xù)非球面光學表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級的橫向尺度和幾微米量級...

2022-05-11 標簽：光學蝕刻蝕刻工藝 1397 0

超聲波頻率對化學蝕刻過程的影響實驗報告

超聲增強化學腐蝕被用來制作多孔硅層，通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用這種方法可...

2022-05-06 標簽：超聲波蝕刻蝕刻工藝 1544 0

關(guān)于硅的濕化學蝕刻機理的研究報告

摘要 本文從晶體生長科學的角度回顧了單晶的濕化學蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更...

2022-01-25 標簽：半導體晶體化學 2452 0