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載流子

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載流子技術(shù)

半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)

半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)

半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動(dòng)方式有很多種,比如熱運(yùn)動(dòng)引起的布朗運(yùn)動(dòng)、電場(chǎng)作用下的漂移運(yùn)動(dòng)和由濃度梯度引起的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)等等。它們都對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性造成不同的影響,...

2025-06-23 標(biāo)簽:電流功率半導(dǎo)體載流子 380 0

PN結(jié)發(fā)生齊納擊穿的原因是什么?

PN結(jié)發(fā)生齊納擊穿是一種特殊的物理現(xiàn)象,它在特定的條件下發(fā)生,允許電流在低于雪崩擊穿電壓的情況下流過(guò)PN結(jié)。

2024-05-29 標(biāo)簽:PN結(jié)擊穿電壓載流子 2056 0

二極管的限幅 為什么二極管可以限制信號(hào)幅度呢?

二極管是一種半導(dǎo)體器件,其核心功能是允許電流只能單向流動(dòng)。這一特性使得二極管在電子電路中扮演了多種角色,包括限幅功能。

2024-05-29 標(biāo)簽:二極管硅二極管載流子 1739 0

穩(wěn)壓二極管的工作原理 穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)

穩(wěn)壓二極管(也稱為齊納二極管)是一種特殊類型的半導(dǎo)體二極管,它能夠維持穩(wěn)定的電壓,即使在電流或溫度發(fā)生變化的情況下。穩(wěn)壓二極管的工作原理基于其獨(dú)特的反向...

2024-05-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管載流子 2734 0

質(zhì)子調(diào)控醌烯醇轉(zhuǎn)化助力高性能水系鋅電池

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羰基氧化還原化學(xué)中C=O與C-O-之間的非均相烯醇化反應(yīng)是廣泛存在于自然界的重要生理過(guò)程。該研究揭示了基于有機(jī)羰基的水系有機(jī)電極材料的廣泛應(yīng)用,其中通過(guò)...

2024-05-23 標(biāo)簽:鋅電池電解液載流子 743 0

什么是PIN二極管 PIN二極管的工作原理及特性

PIN二極管 ,即P-I-N二極管,是一種半導(dǎo)體器件,由P型半導(dǎo)體、本征半導(dǎo)體(I型,即未摻雜的半導(dǎo)體)和N型半導(dǎo)體三個(gè)部分組成。

2024-05-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PIN二極管載流子 5783 0

碳化硅襯底片比較重要的參數(shù)有哪些?

碳化硅襯底片比較重要的參數(shù)有哪些?

Lattice Parameters:晶格參數(shù)。確保襯底的晶格常數(shù)與將要生長(zhǎng)的外延層相匹配,以減少缺陷和應(yīng)力。

2024-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1367 0

什么是霍爾效應(yīng)?霍爾電勢(shì)的大小與方向和哪些因素有關(guān)?

霍爾效應(yīng)是電磁效應(yīng)的一種,當(dāng)電流通過(guò)一個(gè)位于磁場(chǎng)中的導(dǎo)體時(shí),導(dǎo)體內(nèi)的電荷載流子(如電子或空穴)會(huì)受到磁場(chǎng)的洛倫茲力作用而發(fā)生偏轉(zhuǎn),導(dǎo)致導(dǎo)體橫向(垂直于電...

2024-05-16 標(biāo)簽:霍爾效應(yīng)磁傳感器載流子 9893 0

半導(dǎo)體應(yīng)變片受力時(shí)阻值的變化主要是由什么引起的

半導(dǎo)體應(yīng)變片是一種利用半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)來(lái)測(cè)量力學(xué)應(yīng)變的傳感器。

2024-05-16 標(biāo)簽:傳感器應(yīng)變片載流子 4197 0

金屬應(yīng)變片和半導(dǎo)體應(yīng)變片的異同

金屬應(yīng)變片和半導(dǎo)體應(yīng)變片都是用于測(cè)量機(jī)械應(yīng)變的傳感器,它們通過(guò)將機(jī)械形變轉(zhuǎn)換為電阻變化來(lái)工作。

2024-05-16 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體應(yīng)變片 8263 0

如何使用雙條結(jié)構(gòu)改進(jìn)窄脊高功率激光二極管遠(yuǎn)場(chǎng)角呢?

如何使用雙條結(jié)構(gòu)改進(jìn)窄脊高功率激光二極管遠(yuǎn)場(chǎng)角呢?

在激光器芯片的設(shè)計(jì)和應(yīng)用中,遠(yuǎn)場(chǎng)角度是一個(gè)重要的參數(shù)。它描述了激光器發(fā)出的光束在遠(yuǎn)離芯片后,其發(fā)散程度。

2024-05-01 標(biāo)簽:CCD濾波器激光器 949 0

氧化硅薄膜具體有什么用途呢?

氧化硅薄膜整個(gè)半導(dǎo)體制造過(guò)程是十分常見(jiàn)且不可或缺的,那么它具體有什么用途呢?

2024-04-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管載流子 1299 0

單晶硅的少子壽命是指什么?表面形態(tài)對(duì)單晶硅少子壽命有何影響?

單晶硅的少子壽命是指什么?表面形態(tài)對(duì)單晶硅少子壽命有何影響?

單晶硅的少子壽命是指非平衡少數(shù)載流子(電子或空穴)在半導(dǎo)體材料中從產(chǎn)生到消失(即通過(guò)復(fù)合過(guò)程失去)的平均時(shí)間。

2024-04-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體單晶硅載流子 4557 0

異質(zhì)外延對(duì)襯底的要求是什么?

異質(zhì)外延對(duì)襯底的要求是什么?

異質(zhì)外延是一種先進(jìn)的晶體生長(zhǎng)技術(shù),它指的是在一個(gè)特定的襯底材料上生長(zhǎng)出與襯底材料具有不同晶體結(jié)構(gòu)或化學(xué)組成的薄膜或外延層的過(guò)程,即:在一種材料的基片上生...

2024-04-17 標(biāo)簽:載流子 1173 0

單晶硅電阻率的控制原理介紹

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本文介紹了硅摻雜其他元素的目的、分凝現(xiàn)象、電阻率與摻雜濃度之間的關(guān)系、共摻雜技術(shù)等知識(shí),解釋了單晶硅電阻率控制原理。

2024-04-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體單晶硅載流子 3003 0

影響雪崩二極管響應(yīng)速度的原因有哪些?

雪崩二極管,也稱為碰撞雪崩渡越時(shí)間二極管(IMPATT),是一種在微波頻率下使用的二極管,其工作原理基于載流子在高電場(chǎng)中的雪崩倍增效應(yīng)。

2024-04-03 標(biāo)簽:二極管雪崩二極管高頻振蕩器 2188 0

Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析

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Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加...

2024-04-02 標(biāo)簽:MOSFET電壓控制體二極管 2101 0

高效介孔鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的電子注入和缺陷鈍化!

高效介孔鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的電子注入和缺陷鈍化!

大多數(shù)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(PSC)均采用分層結(jié)構(gòu),其中包括空穴傳輸層(HTL)和貴金屬電極。可印刷介觀鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(p-MPSC)不需要傳統(tǒng)p-n結(jié)所...

2024-03-20 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池光電器件電流電壓 1226 0

可充電電池中的高熵電解質(zhì)設(shè)計(jì)

可充電電池中的高熵電解質(zhì)設(shè)計(jì)

可充電電池領(lǐng)域在高效和可持續(xù)能源技術(shù)需求的增加的推動(dòng)下,已經(jīng)取得了顯著的進(jìn)步。

2024-03-15 標(biāo)簽:鋰離子電池電解質(zhì)可充電電池 6863 0

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可靠性測(cè)試中,如何減少HCI和電遷移的測(cè)試時(shí)間?

許多可靠性“磨損”測(cè)試監(jiān)測(cè)的是一個(gè)性能參數(shù),該參數(shù)隨著對(duì)數(shù)變化的時(shí)間長(zhǎng)度而穩(wěn)步下降。

2024-03-13 標(biāo)簽:DRAMNMOS晶體管 2986 0

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  • 直流電壓
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    buck是降壓型電路,boost是升壓型電路,可以分開(kāi)單獨(dú)使用,buck-boost電路就是把2種電路合在一起,可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能,常見(jiàn)的buck-boost電路有兩種,第一種是輸入與輸出電壓極性相反,只需采用一個(gè)開(kāi)關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開(kāi)關(guān)管和兩個(gè)二極管,可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
  • 識(shí)別技術(shù)
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