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鐵電存儲(chǔ)器

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　　鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來。

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鐵電存儲(chǔ)器資訊

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20(MB85RS2MT)在公交IC卡中的應(yīng)用

2024-06-19 標(biāo)簽：IC卡鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 743 0

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2024-06-13 標(biāo)簽：鐵電存儲(chǔ)器智能手表國(guó)芯思辰 982 0

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2024-05-27 標(biāo)簽：打印機(jī)鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 797 0

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20在售票機(jī)中的應(yīng)用，兼容FM25V20A

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國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20兼容MB85RS2MT廣泛用于邊緣計(jì)算

2024-05-10 標(biāo)簽：鐵電存儲(chǔ)器邊緣計(jì)算國(guó)芯思辰 667 0

鐵電存儲(chǔ)器SF25C20兼容MB85RS2MT應(yīng)用于醫(yī)療血氧儀

2024-04-30 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 659 0

智能電表使用國(guó)產(chǎn)SF25C20晶圓合封MCU助力企業(yè)降本增效

2024-04-15 標(biāo)簽：鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 1116 0

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2024-04-07 標(biāo)簽：鐵電存儲(chǔ)器燃?xì)獗?/a>國(guó)芯思辰 767 0

FRAM鐵電白皮書|型號(hào)、結(jié)構(gòu)、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用等

FeRAM鐵電存儲(chǔ)器是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FeRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池...

2024-03-30 標(biāo)簽：fram 鐵電存儲(chǔ)器 968 0

國(guó)產(chǎn)SF25C20在企業(yè)級(jí)SSD領(lǐng)域中的應(yīng)用，兼容FM25V20A

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2024-03-11 標(biāo)簽：SSD 鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 619 0

誰(shuí)是DRAM的替代者？下一代DRAM，關(guān)注什么？

長(zhǎng)期以來，人們一直期望持久內(nèi)存會(huì)帶來計(jì)算范式的轉(zhuǎn)變，但這不太可能很快發(fā)生。

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國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20(MB85RS2MT)用于測(cè)量?jī)x器

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2024-01-31 標(biāo)簽：鐵電存儲(chǔ)器測(cè)量?jī)x器國(guó)芯思辰 556 0

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC（MB85RS2MT）用于旋轉(zhuǎn)編碼器

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2023-12-19 標(biāo)簽：編碼器鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 599 0

NFC傳感器應(yīng)答器可使用國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS2MC(MB85RS2MT)

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2023-12-13 標(biāo)簽：傳感器 fram 鐵電存儲(chǔ)器 743 0

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC(FM25V20A)的充電樁電表方案

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基于FRAM PB85RS2MC（兼容MB85RS2MT）便攜式的采集器

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基于國(guó)產(chǎn)FRAM的微控制器為便攜式電子提高安全性低功耗

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2023-10-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器鐵電存儲(chǔ)器汽車儀表盤 1820 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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