長鑫存儲動態(tài)

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  長鑫存儲"半導(dǎo)體器件冷卻設(shè)備"專利公開

  該發(fā)明涉及一種新型半導(dǎo)體器件冷卻裝置，主要由冷卻部及驅(qū)動部組成。冷卻部內(nèi)置第一冷卻介質(zhì)通道，驅(qū)動部可在第一位置與第二位置

  2024-04-26 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體器件 長鑫存儲 619 0

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  長鑫存儲公布新型存儲器延時控制電路

  具體來說，譯碼模塊負(fù)責(zé)接收并解析模式寄存器信號，產(chǎn)生多個譯碼信號。而延時模塊則由多個延時子模塊組成，可以根據(jù)譯碼信號選擇

  2024-04-26 標(biāo)簽： 寄存器 存儲器 長鑫存儲 710 0

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  長鑫存儲科技有限公司“沉積設(shè)備、靜電卡盤、加熱系統(tǒng)及其控溫技術(shù)”

  此項(xiàng)發(fā)明涉及一種新型沉積設(shè)備、靜電卡盤和加熱機(jī)構(gòu)，并提供了相應(yīng)的控溫方法。加熱機(jī)構(gòu)主要由導(dǎo)熱板、加熱組件及控制器組成。加

  2024-04-15 標(biāo)簽： 控制器 熱元件 長鑫存儲 731 0

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  長鑫存儲獲半導(dǎo)體器件制備裝置及方法專利

  這項(xiàng)發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備設(shè)備及制備策略，主要包含氣體管道、氣體優(yōu)化系統(tǒng)及反應(yīng)腔室三大組件。其中，氣體管道設(shè)有多個氣體入

  2024-04-03 標(biāo)簽： 晶圓 半導(dǎo)體器件 長鑫存儲 591 0

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  長鑫科技融資108億元！增資助推DRAM業(yè)務(wù)騰飛，估值達(dá)1400億元

  本輪所有投資人均以相同條款及價格，與長鑫科技、上述三個早期股東簽署增資協(xié)議，并將簽署《關(guān)于長鑫科技集團(tuán)股份有限公司之股東

  2024-03-30 標(biāo)簽： DRAM 長鑫存儲 3140 0

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  長鑫存儲新專利揭示半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與制造方法

  這個新穎的發(fā)明主要是關(guān)于一款包含以下幾個部分的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)：基底，基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)，它處

  2024-03-14 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 電容 長鑫存儲 934 0

• 首款國產(chǎn)LPDDR5存儲芯片來了！已在小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證

  LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動態(tài)隨機(jī)存儲器。與上一代LPDDR4X相比，長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和

  2023-12-06 標(biāo)簽： 芯片 長鑫存儲 LPDDR5 1938 0

• 長鑫存儲取得時鐘信號生成技術(shù)專利

  據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，長鑫存儲技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“時鐘信號生成電路、方法及存儲器”的專利，授權(quán)公告號CN11663

  2023-12-04 標(biāo)簽： 時鐘信號 長鑫存儲 697 0

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  中國長鑫存儲自主研發(fā) LPDDR5 完成

  長鑫存儲最近在其官網(wǎng)上宣布，已研發(fā)出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、P

  2023-12-03 標(biāo)簽： 芯片 DRAM 長鑫存儲 1242 0

• 長鑫存儲LPDDR5正式進(jìn)軍移動終端市場

  資料顯示，LPDDR是低功耗的DRAM存儲器，由DDR內(nèi)存演化而來。LPDDR的架構(gòu)和接口針對低功耗應(yīng)用進(jìn)行了專門優(yōu)化，

  2023-12-01 標(biāo)簽： DRAM DDR LPDDR 795 0

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