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標(biāo)簽 > 閾值電壓
閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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TLV809系列 3 引腳電壓監(jiān)控器(復(fù)位 IC),帶低電平有效、推挽式復(fù)位技術(shù)手冊(cè)
在上電期間,當(dāng)電源電壓 (V ~DD 系列~ ) 變得大于 1.1 V。此后,監(jiān)控電路監(jiān)控 V~DD 系列~并保持?RESET?活動(dòng)狀態(tài),只要 V~DD...
2025-04-11 標(biāo)簽:定時(shí)器電源電壓監(jiān)控電路 361 0
TLV803系列 3針電壓監(jiān)控器(復(fù)位IC)具有低電平和開(kāi)漏復(fù)位功能技術(shù)手冊(cè)
TLV8x3 系列監(jiān)控電路提供電路初始化和定時(shí)監(jiān)控,主要用于 DSP 和基于處理器的系統(tǒng)。 TLV803、TLV853 和 TLV863 在功能上等效。...
TLV863M 3 引腳電壓監(jiān)控器,具有低電平有效開(kāi)漏復(fù)位輸入反向引腳輸出數(shù)據(jù)手冊(cè)
TLV863M是一款3引腳SOT23封裝的電壓監(jiān)控器,主要用于電路初始化和時(shí)序監(jiān)控,特別是在DSP和處理器基系統(tǒng)中。該器件具有低功耗、固定延遲時(shí)間的電源...
TPS40041 2.25 至 5.5 V 輸入,600 kHz,低引腳數(shù)同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS40040 和 TPS40041 DC-DC 控制器設(shè)計(jì)為在 2.25 V 至 5.5 V 輸入源下工作。為了減少外部組件的數(shù)量,幾個(gè)作參數(shù)在內(nèi)部...
MOS管的閾值電壓(Threshold Voltage)是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù),它決定了MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài),對(duì)MOS...
二極管閾值電壓和導(dǎo)通電壓是兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù),它們對(duì)于二極管的工作特性和應(yīng)用至關(guān)重要。以下是對(duì)這兩個(gè)參數(shù)的詳細(xì)對(duì)比和分析,包括定義、測(cè)量、影響因素以及在實(shí)際應(yīng)...
滯回比較器(Hysteresis Comparator),也稱為施密特觸發(fā)器(Schmitt Trigger)或遲滯比較器,是一種具有特殊功能的比較器電...
2024-07-30 標(biāo)簽:施密特觸發(fā)器輸入信號(hào)閾值電壓 3612 0
滯回比較器(Hysteresis Comparator)是一種具有滯回特性的比較器,其輸出在輸入電壓變化時(shí)具有滯后現(xiàn)象。滯回比較器廣泛應(yīng)用于模擬電路、數(shù)...
同向滯回比較器是一種常用的模擬電路,其主要功能是將輸入信號(hào)與參考電壓進(jìn)行比較,并根據(jù)比較結(jié)果輸出高電平或低電平。同向滯回比較器具有滯回特性,即在輸入信號(hào)...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的閾值電壓(Vt)是其工作性能中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),它決定了晶體管從關(guān)閉狀態(tài)過(guò)渡到開(kāi)啟狀態(tài)所需的柵極電壓大小。M...
NAND Flash上的,指的是用于向閃存單元寫入數(shù)據(jù)時(shí)使用的較高編程電壓。通常高于用于其他操作如讀取或擦除的正常工作電壓。
2024-05-30 標(biāo)簽:電荷泵VccNand flash 3704 0
防反電路,通常指的是防止電流反向流動(dòng)的電路,確保電流只能沿一個(gè)方向流動(dòng)。
在實(shí)際應(yīng)用中,G極一般串聯(lián)一個(gè)電阻,防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管,并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個(gè)軟啟動(dòng)的作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓二極管MOS管 2672 0
合科泰半導(dǎo)體推出一款N溝道MOS管HKTQ80N03
MOS管有N溝道MOS和 P溝道MOS等,N溝道MOS是在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作漏極...
2024-04-12 標(biāo)簽:鋰電池電機(jī)驅(qū)動(dòng)DFN封裝 1260 0
電源解決方案跟摩爾定律有何關(guān)系?它如何跟上摩爾定律的步伐?
根據(jù)電源解決方案或與功耗、能源效率或整體能源或碳足跡相關(guān)的分析來(lái)對(duì)任何系統(tǒng)(或系統(tǒng)集合)進(jìn)行分析時(shí),將源與負(fù)載分開(kāi)出來(lái)能幫助整個(gè)過(guò)程。
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開(kāi)關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特...
在SPICE模擬器中應(yīng)該調(diào)諧優(yōu)化哪些模型參數(shù)?需要全部調(diào)優(yōu)嗎?
在SPICE模擬器中有幾十種標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體器件模型,例如,用于GaN器件的最新ASM-HEMT模型有近200個(gè)模型參數(shù),而一個(gè)硅基的CMOS器件的BSIM...
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