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標(biāo)簽 > 閾值電壓
閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時,電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對其閾值電壓 Vth 的影響,實際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜,但是也可以有一些簡化的分析,這里主要還是分析當(dāng)晶...
解答74HC14中正向閾值電壓和負向閾值電壓是什么/電壓為多少
74HC14是施密特觸發(fā)器。正向閾值指輸入端電壓由低變高達到輸出翻轉(zhuǎn)時的值。反向閾值指輸入電壓由高到低變化輸出翻轉(zhuǎn)時的輸入電壓值。正向輸入閾值電壓是輸入...
2018-10-24 標(biāo)簽:施密特觸發(fā)器閾值電壓74HC14 1.9萬 1
NMOS晶體管的閾值電壓公式 nmos晶體管的閾值電壓與哪些因素有關(guān)
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ(2φF/Cox),其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓,γ為晶體管的偏置系數(shù),φF為晶體管的反向偏置電勢,C...
MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些?如何區(qū)分是什么原因失效的?
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,其主要功能是控制電流的流動。
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管EOS 1.1萬 0
WPE效應(yīng)的概念 如何讓減小WPE效應(yīng)呢?
如果模擬IC工程師你經(jīng)常用.18um以上的工藝,那么你很可能從來沒有關(guān)注過WPE以及LOD(Length Of Diffusion)效應(yīng)。
雙向電平轉(zhuǎn)換工作原理 自動雙向電平轉(zhuǎn)換芯片介紹
如今整個電路系統(tǒng),性能要求越來越高,功耗要求越來越低,其設(shè)計也越來越復(fù)雜,在目前復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計中會存在各個元器件之間的工作電壓不一致的情況;
2023-12-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器場效應(yīng)管 6473 0
首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tra...
2023-04-25 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 6383 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的閾值電壓(Vt)是其工作性能中的一個關(guān)鍵參數(shù),它決定了晶體管從關(guān)閉狀態(tài)過渡到開啟狀態(tài)所需的柵極電壓大小。M...
聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串?dāng)_問題
碳化硅具有更快的切換速度(更短的切換時間),較低的損耗,更高的開關(guān)頻率,更高的耐壓能力以及更好的溫度特性,相應(yīng)地帶來效率的替身,系統(tǒng)磁性元器件減小,功率...
MOS管的閾值電壓(Threshold Voltage)是一個至關(guān)重要的參數(shù),它決定了MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài),對MOS...
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