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集成驅動器

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集成驅動器技術

如何配置電源管理IC實現(xiàn)PWM風扇驅動

風扇速度控制塊允許工程師使用電壓輸入來控制風扇速度。驅動風扇的 PWM 的占空比與輸入電壓成正比（介于 0 V 和 3 V 之間）。

2022-05-02 標簽：電源管理 PWM 電源管理IC 6890 0

在系統(tǒng)中采用低端驅動器的常見應用介紹

NPN/ PNP圖騰柱具有由PWM輸出驅動的同相配置。該電路可防止雙極性階段的直通，因為一次只有一個圖騰柱器件可以正向偏置。

2021-05-26 標簽：MOSFET 整流器晶體管 3921 0

交流伺服集成驅動器設計分析

交流伺服驅動控制包括交流異步電動機與永磁同步電動機的驅動控制。傳統(tǒng)的交流伺服驅動控制，需要建立定制的伺服控制系統(tǒng)。雖然提供定制運算的軟件設計平臺可以減輕...

2017-11-10 標簽：交流伺服永磁同步電動機集成驅動器 3335 0

用集成驅動器優(yōu)化GaN性能

氮化鎵（GaN）晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關...

2016-05-09 標簽：GaN 集成驅動器共源電路 3188 0

技術資料#LMG3422R030 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 600V 30mΩ GaN FET

LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。 LMG3...

2025-02-25 標簽：ti GaN 開關模式電源 748 0

技術資料#LMG3411R070 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 70mΩ GaN

LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，L...

2025-02-26 標簽：過流保護 GaN 電力電子系統(tǒng) 701 0

技術資料#LMG3612 具有集成驅動器和保護功能的 650V 120mΩ GaN FET

LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...

2025-02-24 標簽：封裝 GaN 柵極驅動器 671 0

技術資料#LMG3522R050 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 650V 50mΩ GaN FET

LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。 LMG352...

2025-02-24 標簽：電感電源轉換器 GaN 664 0

技術文檔：LMG3616 具有集成驅動器和保護功能的 650V 270mΩ GaN FET

LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...

2025-02-24 標簽：GaN 柵極驅動器開關模式電源 644 0

技術資料LMG3422R050 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 600V 50mΩ GaN FET

LMG342xR050 集成了一個硅驅動器，可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關 S...

2025-02-25 標簽：emi ti 電源拓撲 640 0

技術文檔#LMG3426R030 600V 30mΩ GaN FET，帶集成驅動器、保護和零電壓檢測

LMG342xR030 集成了一個硅驅動器，可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關 S...

2025-02-24 標簽：開關電源電壓檢測 GaN FET 608 0

技術資料#LMG3411R050 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 50mΩ GaN

LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，L...

2025-02-25 標簽：電子系統(tǒng)PFC GaN 599 0

技術資料#LMG3410R050 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN

LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，L...

2025-02-26 標簽：MOSFET GaN 輸出電容 589 0

技術資料#LMG3526R030 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的650V 30mΩ GaN FET

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LMG3100 評估模塊（EVM）是一款緊湊、易于使用的功率級，帶有外部 PWM 信號。該板可配置為降壓轉換器、升壓轉換器或其他使用半橋的轉換器拓撲...

2025-02-21 標簽：電源模塊降壓轉換器場效應晶體管 549 0

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LMG3100 器件是一款具有集成驅動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵（GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on）和最大電流版本，L...

2025-02-21 標簽：電平轉換器 FET GaN 501 0

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LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...

2025-02-20 標簽：電源 ti FET 457 0

LMG3422EVM-043評估模塊LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡概述

LMG342XEVM-04X具有兩個LMG342XR0X0 600-V GaN FET，采用半橋配置，具有集成驅動器和保護功能，并具有所有所需的偏置電路...

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2025-02-25 標簽：電感 GaN 功率晶體管 447 0

LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋，集成驅動器、保護和電流感應概述

LMG2652 是一個 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET...

2025-02-21 標簽：電平轉換器 FET GaN 444 0

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