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標簽 > 非易失性存儲器
非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存,非易失性存儲器(英語:non-volatile memory,縮寫為NVM)是指當電流關(guān)掉后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準,可分為二大類產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
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非易失性存儲器(Non-Volatile Memory, NVM)是指即使在電源關(guān)閉或失去外部電源的情況下,仍能保持存儲數(shù)據(jù)的計算機存儲器。這類存儲器在...
如何在Arm平臺上進行SPDK NVMe over TCP優(yōu)化呢?
隨著存儲介質(zhì)在 I/O 性能方面不斷演進,存儲軟件占用的總事務(wù)時間百分比變得越來越大。提高存儲軟件棧的性能和效率至關(guān)重要。
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲器。它是...
ReRAM與DB HiTek的BCD工藝集成的關(guān)鍵優(yōu)勢
通過ReRAM和BCD技術(shù)的協(xié)同作用,通關(guān)鍵目標之一是實現(xiàn)單片集成,讓模擬、數(shù)字和功率組件能夠無縫地共存于同一芯片上,不僅僅簡化了設(shè)計流程,還提升了整體...
EEPROM為什么會成為嵌入式系統(tǒng)開發(fā)理想選擇
EEPROM適合的應(yīng)用眾多,但對于汽車、醫(yī)療或航天系統(tǒng)等可靠性要求較高的應(yīng)用,開發(fā)人員則希望使用FRAM等更可靠的存儲器解決方案。
2023-12-15 標簽:微控制器閃存嵌入式系統(tǒng) 847 0
什么是FRAM?關(guān)于鐵電存儲器FRAM的特性介紹
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是:“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
NVSRAM在通信設(shè)備中的性能和可靠性方面的考慮因素
NVSRAM在通信設(shè)備中具有良好的性能和可靠性,使其成為一種受歡迎的數(shù)據(jù)存儲解決方案。
在芯片設(shè)計中,ROM(只讀存儲器)是一個非常重要的存儲元件。
窄帶隙InSe/In2Se3鐵電異質(zhì)結(jié)中可大幅調(diào)控的圓光生電流效應(yīng)
鐵電材料中的光生電流效應(yīng)在太陽能電池、光電探測和非易失性存儲器等領(lǐng)域具有應(yīng)用潛力,吸引了廣泛的研究興趣,但目前可覆蓋全太陽光譜的窄帶隙鐵電材料還很少見。
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