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標(biāo)簽 > 非易失性存儲(chǔ)器
非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存,非易失性存儲(chǔ)器(英語(yǔ):non-volatile memory,縮寫(xiě)為NVM)是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
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ufs是內(nèi)存還是閃存 手機(jī)ufs閃存有什么作用
UFS(Universal Flash Storage)是一種用于存儲(chǔ)的閃存標(biāo)準(zhǔn),而不是內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。它是一種閃存存儲(chǔ)技術(shù),用于移動(dòng)設(shè)備和其他便攜式電子設(shè)備...
2023-07-18 標(biāo)簽:電子設(shè)備UFS非易失性存儲(chǔ)器 2.3萬(wàn) 0
NVM,即Non-Volatile Memory,非易失性存儲(chǔ)器。
2023-08-29 標(biāo)簽:FlaSh嵌入式系統(tǒng)ROM 9457 0
關(guān)于Gen-Z語(yǔ)義存儲(chǔ)(memory-semantic)體系架構(gòu)探討
不要與人口學(xué)中的千禧世代搞混了,Gen-Z是一種語(yǔ)義存儲(chǔ)(memory-semantic)體系架構(gòu),它已經(jīng)發(fā)展到了一定程度,需要更好地定義來(lái)適應(yīng)更大規(guī)模...
2020-10-23 標(biāo)簽:cpu加速器數(shù)據(jù)中心 7355 0
非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
隨著消費(fèi)者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性,開(kāi)發(fā)人員對(duì)修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡(jiǎn)便性要求越來(lái)越高。從存儲(chǔ)器角度看,這預(yù)示著可能需要用性能更高、...
2012-08-20 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器 7023 0
SAP HANA 和非易失性存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)分析
SAP HANA 也對(duì)介質(zhì)的特點(diǎn)做了仔細(xì)的考量,結(jié)合 Main 內(nèi)存的訪問(wèn)特點(diǎn)(例如 容量大、讀多寫(xiě)少等),很自然的,先把 DCPMM 當(dāng)做字節(jié)尋址的持...
2022-06-10 標(biāo)簽:DRAM非易失性存儲(chǔ)器 5925 0
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)...
2017-12-18 標(biāo)簽:非易失性存儲(chǔ)器 5606 0
為了充分利用這些架構(gòu),NVM 中的代碼必須足夠快以最小化等待狀態(tài)。NVM 中的數(shù)據(jù)也應(yīng)該快速以提高系統(tǒng)性能。
2022-06-02 標(biāo)簽:相變存儲(chǔ)器NOR閃存非易失性存儲(chǔ)器 5498 0
與NAND Flash相比,NOR Flash具有較低的存儲(chǔ)密度和較高的成本,但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機(jī)訪問(wèn)性能。
2024-02-19 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)芯片非易失性存儲(chǔ)器 5265 0
芯片設(shè)計(jì)中ROM的概念、分類、設(shè)計(jì)流程
在芯片設(shè)計(jì)中,ROM(只讀存儲(chǔ)器)是一個(gè)非常重要的存儲(chǔ)元件。
2023-10-29 標(biāo)簽:緩沖器ROM芯片設(shè)計(jì) 4545 0
本文解釋了如何使用現(xiàn)成的串行 EEPROM 的 EPROM 仿真模式以及不尋常的編碼方案來(lái)解決問(wèn)題。 動(dòng)機(jī) 出于保修原因,有時(shí)需要對(duì)某些事件進(jìn)行計(jì)數(shù)和記...
Can-Bus總線技術(shù)是“控制器局域網(wǎng)總線技術(shù)(Controller Area Network-BUS)”的簡(jiǎn)稱,它具有極強(qiáng)的抗干擾和糾錯(cuò)能力,最早被...
2023-07-26 標(biāo)簽:微控制器驅(qū)動(dòng)器CAN總線 3768 0
什么是FRAM?關(guān)于鐵電存儲(chǔ)器FRAM的特性介紹
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是:“非易失性”、“高讀寫(xiě)耐久性”、“寫(xiě)入速度快”和“低功耗”。
與 NOR 或 NAND 閃存不同,PCM 的工作原理是基于鍺銻碲 (GST) 合金的電阻率變化。這種合金根據(jù)快速的溫度變化改變電阻率,而電阻率決定了位...
2022-04-16 標(biāo)簽:mcu非易失性存儲(chǔ)器 3611 0
MSPM0L1306開(kāi)發(fā)板教程- NVM(FLASH)
MSPMPL系列中的NVM(Non Volatile Memory)非易失性存儲(chǔ),也就是我們常說(shuō)的FLASH。
對(duì)于某些應(yīng)用,數(shù)字電位器需要非易失性存儲(chǔ)功能。兩種器件類型(易失性和非易失性存儲(chǔ)器)在市場(chǎng)上都已確立。
2021-05-15 標(biāo)簽:數(shù)字電位器數(shù)模轉(zhuǎn)換器非易失性存儲(chǔ)器 3449 0
在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別,硬盤(pán)屬于“ 非易失性存儲(chǔ)器”,而內(nèi)存是“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”,屬于“易失性存儲(chǔ)設(shè)備“。
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