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標(biāo)簽 > 非易失性存儲器
非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存,非易失性存儲器(英語:non-volatile memory,縮寫為NVM)是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
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在應(yīng)用編程(IAP)應(yīng)該是MCU使用過程中常見的一種功能,MCU廠商為了加速用戶的產(chǎn)品開發(fā),都會在其SDK中添加相關(guān)示例,而且也有不少用戶只需要簡單的集...
A4964KJPTR-T 電機(jī)速度也可以在沒有 SPI 的情況下驅(qū)動,只需提供脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 信號即可。它有非易失性存儲器可以存儲電機(jī)設(shè)置,上...
2022-07-28 標(biāo)簽:微控制器BLDC電機(jī)驅(qū)動器 1251 0
目前支持AI推理的最低成本處理解決方案是用于物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的現(xiàn)成單芯片微控制器。這種芯片將通用CPU、SRAM和IO功能與非易失性存儲器(NVM)相結(jié)合。然...
2023-09-29 標(biāo)簽:cpu物聯(lián)網(wǎng)AI 1165 0
NVSRAM在通信設(shè)備中的性能和可靠性方面的考慮因素
NVSRAM在通信設(shè)備中具有良好的性能和可靠性,使其成為一種受歡迎的數(shù)據(jù)存儲解決方案。
EEPROM為什么會成為嵌入式系統(tǒng)開發(fā)理想選擇
EEPROM適合的應(yīng)用眾多,但對于汽車、醫(yī)療或航天系統(tǒng)等可靠性要求較高的應(yīng)用,開發(fā)人員則希望使用FRAM等更可靠的存儲器解決方案。
2023-12-15 標(biāo)簽:微控制器閃存嵌入式系統(tǒng) 941 0
嵌入式軟件可靠性設(shè)計(jì)的編程要點(diǎn)
設(shè)備的可靠性涉及多個方面:穩(wěn)定的硬件、優(yōu)秀的軟件架構(gòu)、嚴(yán)格的測試以及市場和時間的檢驗(yàn)等等。
ReRAM與DB HiTek的BCD工藝集成的關(guān)鍵優(yōu)勢
通過ReRAM和BCD技術(shù)的協(xié)同作用,通關(guān)鍵目標(biāo)之一是實(shí)現(xiàn)單片集成,讓模擬、數(shù)字和功率組件能夠無縫地共存于同一芯片上,不僅僅簡化了設(shè)計(jì)流程,還提升了整體...
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問時間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲元件相結(jié)合,可提供...
0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
內(nèi)存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序,內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。
應(yīng)用于電力監(jiān)測儀中的存儲鐵電存儲器PB85RS2MC
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元,對標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛,無污染。
基于輸入輸出堆棧的鍵值存儲系統(tǒng)優(yōu)化方案
在本文中,我們分析了利用本地文件系統(tǒng)保存WAL的一些缺陷,在此基礎(chǔ)上提出了一種新的WAL機(jī)制,該機(jī)制根據(jù)WAL文件的特性直接管理原始設(shè)備(或分區(qū)),避免...
2023-07-31 標(biāo)簽:SSD存儲系統(tǒng)非易失性存儲器 339 0
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