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標簽 > 驅動電壓
驅動電壓,使器件開始工作所需的最小供電電壓。
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MOSFET在雪崩效應發(fā)生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高,器件的可靠性越好。參數:雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)
模態(tài)是指傳輸線對的特殊激勵狀態(tài)。兩線上有相同的驅動電壓時為偶模;兩線上有相反的驅動電壓時為奇模。
對MOS管在開關狀態(tài)下的Miller效應的原因與現象進行分析
MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中,延長開關頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性,可謂是臭名昭著,各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
針對一字型懸臂梁RF MEMS開關的兩種降低驅動電壓RF MEMS開關方法
通過理論分析和仿真,并與傳統(tǒng)的一字型懸臂梁作對比,驗證了增大局部驅動面積和降低彈性系數可以減小懸臂梁開關的驅動電壓。
SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 標簽:SiC驅動電壓SiC MOSFET 2839 0
IGBT的工作原理和結構 IGBT是一種三端子功率半導體器件,由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、柵極和發(fā)射極組成。IGBT的工...
電源占空比對驅動電壓的影響是一個復雜的電子技術問題,涉及到許多電子元件和電路設計的原理。 電源占空比的定義和作用 電源占空比是指在一定時間內,電源輸出的...
IGBT焊機驅動電壓的測量是一個專業(yè)且復雜的技術問題,涉及到電子電路、測量技術、焊接工藝等多個方面。 一、IGBT焊機概述 IGBT(Insulated...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅動波形是電力電子技術中非常重要的一個方面,它直接影響到IGBT的開關速度、損耗、可靠性等性能指標。在本文中,我們將介紹IG...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導體器件,廣泛應用于電力電子領域。IGBT...
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