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標(biāo)簽 > 驅(qū)動(dòng)電壓
驅(qū)動(dòng)電壓,使器件開(kāi)始工作所需的最小供電電壓。
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可能會(huì)出現(xiàn)尖峰和低峰現(xiàn)象。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和B...
經(jīng)常聽(tīng)到功率循環(huán)這個(gè)實(shí)驗(yàn),總覺(jué)得這個(gè)不是很簡(jiǎn)單嗎,不就是IGBT溫度在一定范圍波動(dòng),然后經(jīng)過(guò)幾萬(wàn)次循環(huán),再測(cè)試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來(lái)確...
2023-10-19 標(biāo)簽:IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電壓 1759 0
達(dá)林頓模塊(Darlington Module)是一種電子元件,通常用于功率放大器、驅(qū)動(dòng)器和開(kāi)關(guān)電路中。它由兩個(gè)或多個(gè)晶體管組成,具有較高的電流增益和電...
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,在需求的不斷拉動(dòng)下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車(chē),可再生能源及...
2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓 1656 0
外置OTP及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點(diǎn)有哪些
深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733,是一款30W PD GAN帶OTP保護(hù)及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片,與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
基于使用振動(dòng)的觸覺(jué)反饋技術(shù)的運(yùn)用可能性
和偏心馬達(dá)的不同之處?超薄型Piezo(壓電)觸覺(jué)反饋設(shè)備 "PiezoHapt?執(zhí)行器"是使用了振動(dòng)的觸覺(jué)反饋技術(shù)及觸覺(jué)反饋等,擴(kuò)大了VR可運(yùn)用性的薄...
KP85402 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)耐壓為 650V,輸出峰值拉電流和灌電流能力分別為 300mA 和 1000mA,專(zhuān)用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFETs 或 IGBTs...
冷光片,也稱(chēng)為電致發(fā)光片(Electroluminescent Panel,簡(jiǎn)稱(chēng)EL Panel),是一種利用電場(chǎng)激發(fā)熒光材料發(fā)光的顯示技術(shù)。它具有薄型...
一個(gè)超聲波發(fā)射電路或者接收電路可以接多個(gè)探頭嗎?
在超聲波檢測(cè)系統(tǒng)中,探頭的使用通常取決于特定的應(yīng)用需求和系統(tǒng)設(shè)計(jì)。一個(gè)超聲波發(fā)射電路或接收電路理論上可以連接多個(gè)探頭,但在實(shí)際操作中,這種做法可能會(huì)受到...
用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET
增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC,并有使用預(yù)涂...
南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案
功率密度的大幅提升離不開(kāi)第三代半導(dǎo)體的助力,氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,它可在更高的頻率下運(yùn)行,且具有更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...
碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問(wèn)題。這兩種電壓對(duì)器件的導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
2025-06-04 標(biāo)簽:SiC碳化硅驅(qū)動(dòng)電壓 459 0
UCD7242-EP 數(shù)字雙通道同步降壓型電源驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCD7242 是一個(gè)完整的電源系統(tǒng),可隨時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)獨(dú)立的降壓電源。高壓側(cè) MOSFET、低壓側(cè) MOSFET、驅(qū)動(dòng)器、電流感應(yīng)電路和 必要的保護(hù)功能全...
2025-03-25 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器同步整流器 357 0
TPS51275C 具有 VREG5 常開(kāi) LDO 的 5.5V 至 24V 雙通道同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51275、TPS51275B 和 TPS51275C 是高性?xún)r(jià)比的雙同步降壓控制器,適用于筆記本電腦系統(tǒng)電源解決方案。它提供 5V 和 3.3V...
2025-03-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器降壓控制器電荷泵 346 0
TPS51285A 具有 3.2ms 軟啟動(dòng)的 5V 至 24V、雙同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51285A 和 TPS51285B 是具有 5 V 和 3.3 V LDO 的高性?xún)r(jià)比雙同步降壓控制器,適用于筆記本電腦系統(tǒng)電源解決方案。該器件...
2025-03-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器筆記本電腦降壓控制器 299 0
TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
2025-05-15 標(biāo)簽:ldoFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 250 0
TPSI31P1-Q1 具有 17V 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器和偏置電源的汽車(chē)級(jí)有源預(yù)充電控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPSI31P1-Q1 設(shè)計(jì)用于汽車(chē)預(yù)充電系統(tǒng),作為傳統(tǒng)無(wú)源預(yù)充電架構(gòu)的替代方案,傳統(tǒng)無(wú)源預(yù)充電架構(gòu)通常包括昂貴的機(jī)電繼電器 (EMR) 以及笨重的高功...
2025-05-06 標(biāo)簽:電阻器電源開(kāi)關(guān)偏置電源 247 0
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