3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。

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3d nand技術(shù)

pSLC帶來的“新”存儲(chǔ)容量偽SLC如何兼顧耐用性和經(jīng)濟(jì)性

（作者：Swissbit AG 存儲(chǔ)解決方案總經(jīng)理 Roger Griesemer）如今，在 NAND 閃存行業(yè)中，隨處可見存儲(chǔ)密度又達(dá)到新高的各種新...

2021-11-16 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲(chǔ) 2.0萬 0

存儲(chǔ)芯片是什么存儲(chǔ)芯片的分類及發(fā)展歷史

存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品，我們?nèi)粘Ｋ械碾娮釉O(shè)備基本都會(huì)用到存儲(chǔ)器。據(jù)WSTS預(yù)測(cè)，2023年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1675億美元，...

2023-07-07 標(biāo)簽：fpga asic 存儲(chǔ)芯片 1.6萬 0

一文讀懂3D NAND存儲(chǔ)器進(jìn)化史

通過3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。

2018-04-16 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 3D NAND 1.3萬 0

64層第二代3D NAND存儲(chǔ)產(chǎn)品及解決方案

幫助智能手機(jī)制造商通過人工智能 (AI)、虛擬現(xiàn)實(shí)和面部識(shí)別等新一代移動(dòng)功能來增強(qiáng)用戶體驗(yàn).

2018-04-08 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器美光 3d nand 9572 0

探討半導(dǎo)體制造原子層刻蝕與沉積工藝的自限性反應(yīng)

原子層刻蝕和沉積工藝?yán)米韵扌苑磻?yīng)，提供原子級(jí)控制。泛林集團(tuán)先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽博士分享了他對(duì)這個(gè)話題的看法。技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求...

2021-02-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體行業(yè)3d nand 8616 0

基于64層3D NAND技術(shù)的企業(yè)級(jí)SATA固態(tài)硬盤

更輕松地向數(shù)據(jù)中心添加閃存，并憑借快速、一致的性能消除存儲(chǔ)瓶頸，降低總體擁有成本。

2018-04-10 標(biāo)簽：美光科技固態(tài)硬盤 3D NAND 6594 0

市場(chǎng)對(duì)于3D NAND的需求有多大?140層3D NAND層數(shù)還會(huì)遠(yuǎn)嗎?

而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候，存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，4...

2018-06-03 標(biāo)簽：東芝閃存芯片 3D NAND 6064 0

3D NAND技術(shù)工藝發(fā)展與主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)探討

本文為您講述ROM存儲(chǔ)介質(zhì)3D NAND技術(shù)工藝的發(fā)展，現(xiàn)階段主流的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，包括傳統(tǒng)eMMC，三星和蘋果提出的UFC標(biāo)準(zhǔn)和NVMe標(biāo)準(zhǔn)。

2016-10-12 標(biāo)簽：內(nèi)存 3D NAND 3667 1

高深寬比刻蝕和納米級(jí)圖形化推進(jìn)存儲(chǔ)器的路線圖

探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案

2022-01-10 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 EUV 3d nand 3085 0

SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲(chǔ)芯片大揭秘

3D NAND的好處自然就是能夠比現(xiàn)在的閃存提供功能大的存儲(chǔ)空間，存儲(chǔ)密度可以達(dá)到現(xiàn)有閃存的三倍以上，未來甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出來。

2015-06-01 標(biāo)簽：存儲(chǔ)技術(shù)SSD 3D NAND 2848 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間...

2023-06-15 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片蝕刻技術(shù) 2715 0

典型3D NAND閃存結(jié)構(gòu)技術(shù)分析

這種存儲(chǔ)技術(shù)的成功與其不斷擴(kuò)展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。大約每?jī)赡?，NAND 閃存行業(yè)就會(huì)顯著提高位存儲(chǔ)密度，以...

2023-06-27 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 3d nand 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2714 0

原子級(jí)工藝實(shí)現(xiàn)納米級(jí)圖形結(jié)構(gòu)的要求

技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對(duì)制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝現(xiàn)在可以達(dá)到僅7 nm的fin寬度，比30個(gè)硅原子稍大一點(diǎn)。半導(dǎo)體制造已經(jīng)跨越了從納...

2020-06-02 標(biāo)簽：制造工藝 EUV 3d nand 2660 0

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個(gè)階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使...

2023-05-30 標(biāo)簽：晶體管蝕刻工藝 3d nand 2310 0

深入解析泛林集團(tuán)Striker ICEFill電介質(zhì)填充技術(shù)

沉積技術(shù)是推進(jìn)存儲(chǔ)器件進(jìn)步的關(guān)鍵要素。但隨著3D NAND堆棧的出現(xiàn)，現(xiàn)有填充方法的局限性已開始凸顯。

2021-02-22 標(biāo)簽：DRAM 3d nand 存儲(chǔ)器件 2300 0

研華提供最新存儲(chǔ)和內(nèi)存全面解決方案！

數(shù)據(jù)安全是研華解決方案的核心。研華SQFlash系列提供全方位保護(hù)，包括數(shù)據(jù)加密（TCG-OPAL、FIPS）、數(shù)據(jù)安全擦除和異常斷電保護(hù)。

2022-09-02 標(biāo)簽：閃存技術(shù)3d nand 智慧交通 2222 0

存儲(chǔ)芯片將走向何方？存儲(chǔ)芯片的分類

應(yīng)用了閃存堆疊技術(shù)的3D NAND Flash的出現(xiàn)，比以往的2D NAND Flash提供了更大存儲(chǔ)空間，滿足了業(yè)界日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求，因而成為主流。

2023-04-10 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片 3d nand 2076 0

關(guān)于半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析（設(shè)計(jì)、制造和后制造）

半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。

2024-02-19 標(biāo)簽：DRAM NAND 半導(dǎo)體制造 2052 0

3D NAND的主要制作流程

SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據(jù)產(chǎn)品的不同，膜層的層數(shù)也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實(shí)際有64，128，400層等層數(shù)。

2024-03-19 標(biāo)簽：3d nand 芯片制程 1851 0

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長(zhǎng)孔洞。這些通孔貫穿整個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)，并填充了導(dǎo)電材料，它們?cè)诿總€(gè)...

2024-03-20 標(biāo)簽：刻蝕 3d nand 1838 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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