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半導(dǎo)體工藝制程在進(jìn)入32nm以下的節(jié)點(diǎn)后，每一步都?xì)v盡艱辛，傳統(tǒng)的工藝技術(shù)已經(jīng)無法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來了全新的GAA工藝；而5nm之后的時(shí)代，全新GAA技術(shù)有望延續(xù)現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)路線的壽命。

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GAA簡(jiǎn)介

　　目前臺(tái)積電、三星、Intel、格芯量產(chǎn)的先進(jìn)工藝普遍是基于FinFET鰭式晶體管的；但是在5nm之后，F(xiàn)inFET幾乎已經(jīng)達(dá)到了物理極限，其不斷拉高的深度和寬度之比（為了避免短溝道效應(yīng)，鰭片的寬度應(yīng)該小于柵極長度的0.7倍），將使得鰭片難以在本身材料內(nèi)部應(yīng)力的作用下維持直立形態(tài)。

　　業(yè)內(nèi)各大廠商和著名的研究機(jī)構(gòu)都提出了自己的看法。其中一種比較主流的方式被稱作Gate-All-Around環(huán)繞式柵極技術(shù)，簡(jiǎn)稱為GAA橫向晶體管技術(shù)，也可以被稱為GAAFET。在應(yīng)用了GAA技術(shù)后，業(yè)內(nèi)估計(jì)基本上可以解決3nm乃至以下尺寸的半導(dǎo)體制造問題。

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數(shù)字后端先進(jìn)工藝知識(shí)科普

DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先進(jìn)工藝下底層金屬/poly加工制造的一種技術(shù)，先進(jìn)工...

2023-12-01 標(biāo)簽：MOS管 FinFET 數(shù)字后端 3501 0

GAA器件集成工藝與關(guān)鍵挑戰(zhàn)

GAA，一般指全環(huán)繞柵極晶體管(Gate-All-Around FET)。GAA被廣泛認(rèn)為是鰭式結(jié)構(gòu)(FinFET)的下一代接任者。下面簡(jiǎn)單介紹一下GA...

2023-08-22 標(biāo)簽：工藝晶體管 FET 1.1萬 0

遠(yuǎn)程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕...

2023-06-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子 FET 2631 0

芯片工程師，是時(shí)候了解GAA晶體管了

雖然只有12年的歷史，但finFET已經(jīng)走到了盡頭。從3nm開始，它們將被環(huán)柵 (GAA)取代，預(yù)計(jì)這將對(duì)芯片的設(shè)計(jì)方式產(chǎn)生重大影響。

2023-04-18 標(biāo)簽：芯片晶體管納米 2227 0

泛林集團(tuán)的選擇性刻蝕方法：Argos、Prevos和Selis

微縮（即縮小芯片中的微小器件，如晶體管和存儲(chǔ)單元）從來都不是容易的事情，但要想讓下一代先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件成為現(xiàn)實(shí)，就需要在原子級(jí)的尺度上創(chuàng)造新的結(jié)構(gòu)。當(dāng)...

2023-01-31 標(biāo)簽：集成電路存儲(chǔ)器泛林集團(tuán) 903 0

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TSMC A14 第二代 GAA 工藝解讀

在半導(dǎo)體行業(yè)，每一次制程工藝的突破都如同一場(chǎng)科技革命，它不僅重新定義了芯片性能的邊界，更為電子設(shè)備的智能化、高效能運(yùn)算等領(lǐng)域注入了強(qiáng)大的活力。而就在近期...

2025-04-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 TSMC GAA 493 0

三星芯片代工新掌門：先進(jìn)與成熟制程并重

據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子設(shè)備解決方案部新任foundry業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理韓真晚(Han Jinman)，在近期致員工的內(nèi)部信中明確提出了三星代工部門的發(fā)展策...

2024-12-10 標(biāo)簽：芯片制程 GAA 679 0

2nm突圍，背面供電技術(shù)的首個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）對(duì)于任何試圖將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)至埃米級(jí)的晶圓廠而言，GAA和背面供電似乎都成了逃不開的兩大技術(shù)。GAA和背面供電在滿足芯片性...

2024-06-14 標(biāo)簽：供電技術(shù)2nm GAA 4282 0

美國擬對(duì)中國實(shí)施尖端AI芯片技術(shù)出口限制

6月12日，國際科技界和商界再次因一則新聞而震動(dòng)。據(jù)國外權(quán)威媒體報(bào)道，美國政府正在考慮對(duì)中國實(shí)施新的出口限制措施，這一措施直指當(dāng)前人工智能（AI）領(lǐng)域的...

2024-06-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 AI 人工智能 1069 0

美國或?qū)⑦M(jìn)一步收緊技術(shù)對(duì)華出口

據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，美國政府正考慮深化對(duì)華出口管制措施，旨在阻礙中國獲取先進(jìn)的全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAA）技術(shù)及高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)...

2024-06-12 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 HBM GAA 439 0

三星電子開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統(tǒng)

據(jù)外媒報(bào)道，三星電子已開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統(tǒng)（SoC），預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galaxy S25系列。

2024-05-08 標(biāo)簽：三星電子 SoC芯片 EDA軟件 901 0

Q1半導(dǎo)體設(shè)備廠商財(cái)報(bào)，GAA和HBM成為最大增長點(diǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）作為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的上游，半導(dǎo)體設(shè)備廠商的財(cái)報(bào)向來反映了芯片生產(chǎn)制造需求上所發(fā)生的變化。隨著半導(dǎo)體設(shè)備大廠們紛紛公布了今年...

2024-05-02 標(biāo)簽：應(yīng)用材料 ASML 季度財(cái)報(bào) 4324 0

三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”！

近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。

2024-03-06 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管三星半導(dǎo)體人工智能芯片 1488 0

三星與Arm攜手，運(yùn)用GAA工藝技術(shù)提升下一代Cortex-X CPU性能

三星繼續(xù)推進(jìn)工藝技術(shù)的進(jìn)步，近年來首次量產(chǎn)了基于2022年GAA技術(shù)的3nm MBCFET ? 。GAA技術(shù)不僅能夠大幅減小設(shè)備尺寸，降低供電電壓，增強(qiáng)...

2024-02-22 標(biāo)簽：AI芯片 GAA 三星 963 0

Arm和三星電子將合作開發(fā)2nm制程

與Arm擴(kuò)大合作是否會(huì)對(duì)三星電子的代工業(yè)務(wù)帶來提振，備受關(guān)注。

2024-02-21 標(biāo)簽：arm 三星電子晶圓 1367 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
無人駕駛

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提供全球最前沿?zé)o人駕駛科技趨勢(shì)，中國無人駕駛開發(fā)者社區(qū)
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京瓷

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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會(huì)訂立、主要針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
華強(qiáng)pcb線路板打樣

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wifi6

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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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dcdc轉(zhuǎn)換器

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬伏的高頻電壓。
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電路過電流過電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過電流和過電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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過零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)。可作開關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
VDD

VDD

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
VHF

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HarmonyOS

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HarmonyOS最新信息分享，我們將為大家?guī)鞨armonyOS是什么意思的深度解讀，HarmonyOS官網(wǎng)地址、HarmonyOS開源相關(guān)技術(shù)解讀與設(shè)計(jì)應(yīng)用案例，HarmonyOS系統(tǒng)官網(wǎng)信息，華為harmonyOS最新資訊動(dòng)態(tài)分析等。
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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。
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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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