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      標(biāo)簽　>　MOS管

      MOS管

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      mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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      MOS管簡(jiǎn)介

      　　mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

      　　定義

      　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。

      　　場(chǎng)效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

      MOS管百科

      　　mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

      　　定義

      　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。

      　　場(chǎng)效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

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      mos管知識(shí)

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      mos管技術(shù)

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      Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。

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      預(yù)計(jì)2031年全球UPS不間斷電源設(shè)備市場(chǎng)將達(dá)到172.1億美元的規(guī)模，年復(fù)增長(zhǎng)率在4.1%左右。面對(duì)該千億市場(chǎng)，生產(chǎn)廠家該如何保障自身供應(yīng)鏈穩(wěn)定，從而...

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      mos管帖子

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      類別：電子資料 2024-07-22 標(biāo)簽：MOS管深愛半導(dǎo)體

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      mos管資訊

      飛虹FHP70N11V場(chǎng)效應(yīng)管在音響功放中的應(yīng)用

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      飛虹半導(dǎo)體兩大行業(yè)盛會(huì)圓滿落幕

      4月，作為國內(nèi)深耕于IGBT、MOS管的廠家代表，飛虹半導(dǎo)體成功參加了第104屆中國電子展（深圳）以及慕尼黑上海電子展，兩大行業(yè)盛會(huì)圓滿落幕。

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      車規(guī)級(jí)二三極管、MOS管、LDO選型應(yīng)用 為車燈保駕護(hù)航

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      在汽車照明系統(tǒng)中，常用到保護(hù)器件、二極管、三極管、MOSFET、LDO、IC等功率半導(dǎo)體器件，這些元器件承載著至關(guān)重要的作用：浪涌靜電防護(hù)、整流、隔離、...

      2025-04-24 標(biāo)簽：三極管二極管MOS管 202 0

      合科泰功率MOSFET在智能照明行業(yè)的選型

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      在智能照明的應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)，工程師關(guān)注的重點(diǎn)一直在燈光的穩(wěn)定表現(xiàn)和使用壽命方面。功率MOSFET作為電路的核心器件，通過控制電流的精確通斷，影響了LED照明...

      2025-04-15 標(biāo)簽：MOSFETMOS管智能照明 335 0

      飛虹半導(dǎo)體亮相第105屆中國電子展

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      第104屆中國電子展即CITE2025即將在深圳會(huì)展中心（福田）隆重舉辦。2025年4月9-11日飛虹半導(dǎo)體受邀參展，攜其在大功率分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果...

      2025-04-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管分立器件 188 0

      國產(chǎn)MOS管質(zhì)量與可靠性優(yōu)勢(shì)剖析

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      在電子元件領(lǐng)域，MOS管作為電力電子系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，其質(zhì)量與可靠性至關(guān)重要。近年來，國產(chǎn)MOS管憑借多方面的顯著優(yōu)勢(shì)，在全球市場(chǎng)中逐漸嶄露頭角。 芯片設(shè)...

      2025-04-07 標(biāo)簽：MOS管 122 0

      硅基MOS管制造的八大核心工藝步驟解析

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      新能源汽車、5G、AI推動(dòng)MOS管需求激增，國產(chǎn)替代加速工藝升級(jí)。合科泰MOS管覆蓋多場(chǎng)景需求，型號(hào)如HKTQ30N03（高頻開關(guān)）、HKTG120N3...

      2025-03-31 標(biāo)簽：MOS管 287 0

      廣東佳訊電子 MOS管在儲(chǔ)能產(chǎn)品應(yīng)用方案

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      儲(chǔ)能是未來新型電力系統(tǒng)的核心資產(chǎn)，賽道景氣度高。儲(chǔ)能的市場(chǎng)增長(zhǎng)將在未來兩年呈現(xiàn)出迅速發(fā)展的趨勢(shì)，接下來跟著小編步伐，帶大家全面了解儲(chǔ)能行業(yè)的應(yīng)用及選型。

      2025-03-28 標(biāo)簽：MOS管儲(chǔ)能 189 0

      MOS管功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)要點(diǎn)

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      2025-03-28 標(biāo)簽：MOS管功耗計(jì)算 262 0

      MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)

      MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)

      MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)是確保其穩(wěn)定工作和延長(zhǎng)使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對(duì)MOS管功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)的詳細(xì)分析： 一、MOS管的功耗計(jì)算 MOS...

      2025-03-27 標(biāo)簽：MOS管MOS 275 0

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        DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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        行程開關(guān)
        +關(guān)注
        行程開關(guān)，位置開關(guān)（又稱限位開關(guān)）的一種，是一種常用的小電流主令電器。利用生產(chǎn)機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件的碰撞使其觸頭動(dòng)作來實(shí)現(xiàn)接通或分?jǐn)嗫刂齐娐?，達(dá)到一定的控制目的。通常，這類開關(guān)被用來限制機(jī)械運(yùn)動(dòng)的位置或行程，使運(yùn)動(dòng)機(jī)械按一定位置或行程自動(dòng)停止、反向運(yùn)動(dòng)、變速運(yùn)動(dòng)或自動(dòng)往返運(yùn)動(dòng)等。
      • μModule
        μModule
        +關(guān)注
      • MC34063A
        MC34063A
        +關(guān)注
      • 火線
        火線
        +關(guān)注
        單相電路里的兩根供電電線，一根叫火線（學(xué)名相線），另一根則叫零線（學(xué)名中性線）。火線和零線的區(qū)別在于它們對(duì)地的電壓不同。如果火線和零線一旦碰起來，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零，這時(shí)的電流非常大，在火線和零線的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線燒得熔化。
      • 調(diào)理電路
        調(diào)理電路
        +關(guān)注
      • 拓?fù)潆娐?
        拓?fù)潆娐?
        +關(guān)注
      • NE556
        NE556
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      • A類放大器
        A類放大器
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