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標(biāo)簽 > PHEMT
PHEMT是對(duì)高電子遷移率晶體管(HEMT)的一種改進(jìn)結(jié)構(gòu),也稱為贗調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(PMODFET)。雖然普通結(jié)構(gòu)的HEMT具有很好的高頻、高速性能,但是也存在有一個(gè)很大的問(wèn)題,那就是其性能的溫度穩(wěn)定性較差。
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ADH463S 航空航天GaA、低噪聲AGC放大器,2至20 GHz,LH250封裝技術(shù)手冊(cè)
ADH463S是一款采用GaAs PHEMT技術(shù)的低噪聲自動(dòng)增益控制(AGC)放大器。LNA在2 GHz至20 GHz范圍內(nèi)提供15 dB的典型增益。A...
HMC694LP4/694LP4E模擬可變?cè)鲆娣糯笃鳎捎肧MT封裝,6-17GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC694LP4E是一款GaAs MMIC PHEMT模擬可變?cè)鲆娣糯笃?,工作頻率范圍為6至17 GHz。 該放大器適合微波無(wú)線電應(yīng)用,提供高達(dá)22 ...
HMC997LC4模擬可變?cè)鲆娣糯笃?,采用SMT封裝,17-27GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC997LC4是一款GaAs MMIC PHEMT模擬可變?cè)鲆娣糯笃骱?或驅(qū)動(dòng)器放大器,工作頻率范圍為17至27 GHz。 該放大器提供高達(dá)20.5...
HMC996LP4E模擬可變?cè)鲆娣糯笃鳎捎肧MT封裝,5-12GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC996LP4E是一款GaAs PHEMT MMIC模擬可變?cè)鲆娣糯笃骱?或驅(qū)動(dòng)器放大器,工作頻率范圍為5至12 GHz。 該放大器提供高達(dá)18.5...
HMC6187LP4E可變?cè)鲆娣糯笃?,采用SMT封裝,27-31.5GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC6187LP4E是一款GaAs MMIC pHEMT模擬可變?cè)鲆娣糯笃骱?或驅(qū)動(dòng)器放大器,工作頻率范圍為27至31.5 GHz,適合用于微波無(wú)線電...
HMC8120 71GHz至76GHz,E頻段可變?cè)鲆娣糯笃骷夹g(shù)手冊(cè)
HMC8120是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)、假晶(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)可變?cè)鲆娣糯笃骱?或驅(qū)動(dòng)器放大器,工作頻率范圍為7...
HMC942LP4E x2有源倍頻器,25-31GHz輸出技術(shù)手冊(cè)
HMC942LP4E是一款x2有源寬帶倍頻器,使用GaAs pHEMT技術(shù),采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由+4 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),該倍頻器...
HMC814LC3B x2有源倍頻器SMT技術(shù)手冊(cè)
HMC814LC3B是一款使用GaAs PHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由+4 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),該倍頻器...
HMC814是一款采用GaAs pHEMT技術(shù)的x2有源寬帶倍頻器芯片。 由+4 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),該倍頻器在13至24.6 GHz范圍內(nèi)提供+17 d...
AS169-73 PHEMT砷化鎵集成電路單刀雙擲開關(guān)規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-08-03 標(biāo)簽:砷化鎵PHEMT單刀雙擲開關(guān) 283 0
利用 HEMT 和 PHEMT 改善無(wú)線通信電路中的增益、速度和噪聲
利用 HEMT 和 PHEMT 改善無(wú)線通信電路中的增益、速度和噪聲
利用GaAs PHEMT設(shè)計(jì)MMIC LNA
在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對(duì)于從噪聲中析出信號(hào)十分關(guān)鍵。控制系統(tǒng)內(nèi)噪聲還有其他技術(shù),包括過(guò)濾和低溫冷卻,但低噪聲放大器的良好性能,提供了一種被...
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