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標(biāo)簽 > cmos
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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上次我的文章解釋了所謂的7nm不是真的7nm,是在實(shí)際線寬無法大幅縮小的前提下,通過改變晶體管結(jié)構(gòu)的方式縮小晶體管實(shí)際尺寸來達(dá)到等效線寬的效果那么新的問...
英特爾、三星和臺(tái)積電公布下一代晶體管進(jìn)展
英特爾是三者中最早演示 CFET 的,早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。這一次,英特爾報(bào)告了圍繞 CFET 制造的最簡單電路(inve...
傳統(tǒng)的帶隙電壓基準(zhǔn)如圖1所示,雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓差ΔVBE具有正溫度系數(shù),而雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓VBE具有負(fù)溫度系數(shù),如果將兩個(gè)電壓進(jìn)...
2023-12-15 標(biāo)簽:集成電路CMOS電壓基準(zhǔn) 3627 0
請教一下經(jīng)受過嚴(yán)重ESD電擊的CMOS IC的可靠性會(huì)降低嗎?
靜電放電(ESD)是電子設(shè)備中一種常見的危害,它可能導(dǎo)致集成電路(IC)的損壞。對于CMOS IC來說,經(jīng)受過嚴(yán)重ESD電擊的可靠性會(huì)降低。
半導(dǎo)體芯片究竟是如何發(fā)展起來的?又是如何工作的?
1883年,著名發(fā)明家托馬斯·愛迪生(Thomas Edison)在一次實(shí)驗(yàn)中,觀察到一種奇怪現(xiàn)象。
動(dòng)態(tài)范圍(Dynamic Range)是圖像傳感器重要的參數(shù)之一,它決定了圖像傳感器能接收的陰影部分到高光部分的光亮強(qiáng)度分布范圍,也就是決定了所拍攝出來...
設(shè)計(jì)低泄漏飛安電路—低電流設(shè)計(jì)技術(shù)
本文的第 1 部分定義并描述了承載這些低電流的設(shè)計(jì),解釋了設(shè)計(jì)這些電路時(shí)出現(xiàn)的問題,并研究了屏蔽和防護(hù)方法的應(yīng)用。
2023-12-13 標(biāo)簽:CMOS運(yùn)算放大器發(fā)生器 1749 0
基于原位摻雜和淺臺(tái)面型架構(gòu)的短波紅外InGaAs光電二極管開發(fā)
隨著安防、汽車、工業(yè)、農(nóng)業(yè)等各個(gè)領(lǐng)域需求的不斷增長,短波紅外(SWIR)傳感器的發(fā)展也隨之興起。
PCB板設(shè)計(jì)中抗ESD的常見方法和措施全面總結(jié)
在板的設(shè)計(jì)當(dāng)中,可以通過分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實(shí)現(xiàn)的抗設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過程中,通過預(yù)測可以將絕大多數(shù)設(shè)計(jì)修改僅限于增減元器件。通過調(diào)整布局布線,能夠很好...
2023-12-11 標(biāo)簽:CMOS元器件半導(dǎo)體芯片 1331 0
共讀好書 你即使從來沒有學(xué)過物理,從來沒學(xué)過數(shù)學(xué)也能看懂,但是有點(diǎn)太簡單了,適合入門,如果你想了解更多的CMOS內(nèi)容,就要看這一期的內(nèi)容了,因?yàn)橹挥辛私?..
關(guān)于靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM的簡單介紹
SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來,SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 標(biāo)簽:CMOSsram靜態(tài)存儲(chǔ)器 2205 0
左右后視鏡處或下方車身處 側(cè)視攝像頭主要是用于盲點(diǎn)監(jiān)測BSD,根據(jù)安裝位置可以實(shí)現(xiàn)前視或后視作用。目前大部分主機(jī)廠會(huì)選擇安裝在汽車兩側(cè)的后視鏡下方的位置...
上下拉電阻能否增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力?
一個(gè)最簡單的二極管與門如下圖。與門實(shí)現(xiàn)邏輯與操作Y=A&B,即A或者B任意為L的時(shí)候,輸出Y為L,只有當(dāng)A和B都為H時(shí),Y才為H。
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