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標(biāo)簽 > cmos
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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人工檢測(cè)與機(jī)器視覺(jué)自動(dòng)檢測(cè)的區(qū)別分析
機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)具有高效率、高度自動(dòng)化的特點(diǎn),可以實(shí)現(xiàn)很高的分辨率精度與速度。機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)與被檢測(cè)對(duì)象無(wú)接觸,安全可靠。
2022-12-26 標(biāo)簽:傳感器CMOS機(jī)器視覺(jué) 1599 0
我們的研究遠(yuǎn)景來(lái)自多年的研究資助。由NSF、DARPA、UC探索計(jì)劃和我們的BWRC的工業(yè)贊助商。
Lumerical關(guān)于CMOS Image Sensor的寬帶模擬
本例介紹了CMOS傳感器仿真工作流,其中包括三維寬帶光學(xué)和電學(xué)仿真,與前面的案例(Lumerical 針對(duì) CMOS image sensor 仿真中的...
在本文中,我們將介紹相反的問(wèn)題:我們有一個(gè)3.3V輸出,我們需要驅(qū)動(dòng)一個(gè)5V系統(tǒng)。
2022-12-20 標(biāo)簽:CMOS二極管轉(zhuǎn)換器 4766 0
mos管的工作區(qū)域 從之前的文章中可以知道,mos管有三個(gè)工作區(qū)域: 截止區(qū)域 線(xiàn)性(歐姆)區(qū)域 飽和區(qū)域 當(dāng) VGS VTH時(shí),mos管工作在截止區(qū)域...
2022-12-19 標(biāo)簽:CMOS開(kāi)關(guān)電路MOS管 3.6萬(wàn) 0
采用28納米CMOS技術(shù)的12-b 10-GS/s交錯(cuò)式流水線(xiàn)ADC
本文介紹了一種 12 位 10GS/s 交錯(cuò) (IL) 流水線(xiàn)模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)。該 ADC 采用 4 GHz 輸入信號(hào)實(shí)現(xiàn) 55 dB 的信噪比和...
2022-12-15 標(biāo)簽:CMOS轉(zhuǎn)換器adc 3080 0
16位16MS/s SAR ADC采用55nm CMOS進(jìn)行片上校準(zhǔn)
逐次逼近寄存器(SAR)ADC已獲得大量研究 過(guò)去十年左右的興趣[1]-[9]。相對(duì)簡(jiǎn)單的架構(gòu)由于 無(wú)需運(yùn)算放大器即可重用硬件 更節(jié)能,更易于在進(jìn)程之間...
仿真在構(gòu)建任何系統(tǒng)時(shí)都起著關(guān)鍵作用。它允許設(shè)計(jì)人員預(yù)見(jiàn)問(wèn)題并防止耗時(shí)且昂貴的修訂。目標(biāo)始終是第一次就做對(duì)!在高速數(shù)字接口仿真的情況下,如果設(shè)計(jì)不當(dāng),簡(jiǎn)單...
如何有效地比較CMOS開(kāi)關(guān)與固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容,CDS(關(guān)閉),是衡量關(guān)斷開(kāi)關(guān)阻止源極信號(hào)耦合到漏極的能力的指標(biāo)。它是固態(tài)繼電器(也稱(chēng)為 PhotoMOS、OptoMOS、光...
當(dāng)核心區(qū)域和 I/O 區(qū)域都已經(jīng)生長(zhǎng)晶體管后,沉積多晶硅層(Poly-Si)和硬掩模層(薄的SiON和PECVD二氧化硅)。沉積柵疊層(Cate-Sta...
2022-12-08 標(biāo)簽:CMOS晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7676 1
利用CMOS數(shù)字隔離器提高智能計(jì)量解決方案的數(shù)據(jù)完整性和可靠性
隨著消費(fèi)者從傳統(tǒng)的機(jī)電電表升級(jí)到聯(lián)網(wǎng)的智能電表,自動(dòng)讀表(AMR)市場(chǎng)預(yù)計(jì)在未來(lái)幾年將以?xún)晌粩?shù)的速度增長(zhǎng)。當(dāng)今先進(jìn)的智能電表使用最新的集成電路(IC)技...
2022-12-03 標(biāo)簽:CMOS光耦合器數(shù)字隔離器 1146 0
關(guān)于5G相關(guān)RFIC/CMOS技術(shù)
今天大多數(shù)收音機(jī)都會(huì)向各個(gè)方向噴射能量。這不僅是對(duì)權(quán)力的巨大浪費(fèi),而且會(huì)導(dǎo)致更多的干擾!
IS61LV25616AL異步SRAM存儲(chǔ)器功能簡(jiǎn)介
IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量為256Kx 16bits的且引腳功能完全兼容的4Mb的異步SRAM。也是一款大容量且存儲(chǔ)時(shí)間相對(duì)較短...
介紹關(guān)于SRAM兩大問(wèn)題挑戰(zhàn)
平面到FinFET的過(guò)渡對(duì)SRAM單元的布局效率有重大影響。使用FinFET逐漸縮小關(guān)鍵節(jié)距已導(dǎo)致SRAM單元尺寸的迅速減小。鑒于對(duì)更大的片上SRAM容...
什么是硅光技術(shù)?硅光子技術(shù)三大優(yōu)勢(shì)介紹
在芯片技術(shù)的發(fā)展過(guò)程中,隨著芯片制程的逐步縮小,互連線(xiàn)引起的各種效應(yīng)成為影響芯片性能的重要因素。芯片互連是目前的技術(shù)瓶頸之一,而硅光子技術(shù)則有可能解決這一問(wèn)題。
2022-11-22 標(biāo)簽:處理器CMOS數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 9786 0
適配于智能駕駛系統(tǒng)各類(lèi)不同視覺(jué)傳感器的去畸變方法
我們知道,攝像頭在進(jìn)行圖像拍攝時(shí),最理想的位置是能垂直與拍攝平面的,這樣能保證圖像能按照原來(lái)的幾何比重重現(xiàn)。
2022-11-22 標(biāo)簽:CMOS視覺(jué)傳感器智能駕駛 1969 0
高速CMOS光耦合器在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用
從20世紀(jì)80年代中期開(kāi)始,現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)技術(shù)就準(zhǔn)備進(jìn)入工廠。工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)根據(jù)其性能能力進(jìn)行分類(lèi)。人們最終選擇的現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)主要取決于總線(xiàn)能夠處理的數(shù)據(jù)量及其...
2022-11-21 標(biāo)簽:CMOS光耦合器現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn) 1137 0
模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)-第三章課后習(xí)題深度解答
前言 《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》是本人讀書(shū)期間的學(xué)習(xí)用書(shū),在工作中也逐漸成為手頭必備的工具書(shū)。該書(shū)的內(nèi)容以其語(yǔ)言精練,內(nèi)容詳實(shí),重在基礎(chǔ)等特點(diǎn),逐漸成...
了解為高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)供電方案的挑戰(zhàn)
了解為當(dāng)今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)供電方案的關(guān)鍵挑戰(zhàn),是設(shè)計(jì)一個(gè)滿(mǎn)足每位設(shè)計(jì)工程師要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的優(yōu)化的電源系...
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠什么去存儲(chǔ)信息的呢
靜態(tài)ram是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)記憶信息的;動(dòng)態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來(lái)記憶信息的
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