完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > DDR4
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn):16bit預(yù)取機(jī)制(DDR3為8bit),同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范,數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升;工作電壓降為1.2V,更節(jié)能。
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn):16bit預(yù)取機(jī)制(DDR3為8bit),同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范,數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升;工作電壓降為1.2V,更節(jié)能。
數(shù)據(jù)規(guī)格
DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型,容量為2GB,運(yùn)行電壓只有1.2V,工作頻率為2133MHz,而且憑借新的電路架構(gòu)最高可以達(dá)到3200MHz。相比之下,DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)頻率最高僅為1600MHz,運(yùn)行電壓一般為1.5V,節(jié)能版也有1.35V。僅此一點(diǎn),DDR4內(nèi)存就可以節(jié)能最多40%。
根據(jù)此前的規(guī)劃,DDR4內(nèi)存頻率最高有可能高達(dá)4266MHz,電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。
三星表示,這條DDR4內(nèi)存使用了曾出現(xiàn)在高端顯存顆粒上的“PseudoOpenDrain”(虛擬開(kāi)漏極)技術(shù),在讀取、寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候漏電率只有DDR3內(nèi)存的一半。
三星稱,2010年12月底已經(jīng)向一家控制器制造商提供了這種DDR4內(nèi)存條的樣品進(jìn)行測(cè)試,并計(jì)劃與多家內(nèi)存廠商密切合作,幫助JEDEC組織在2011年下半年完成DDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制定工作,預(yù)計(jì)2012年開(kāi)始投入商用。
DDR3和DDR4性能差距有多大
DDR3傳輸速度最高到2133MHz不等;而DDR4的傳輸速度從2133MHz起,最高可達(dá)4266MHz。
儲(chǔ)存方面同一單位的的DDR4芯片擁有比DDR3多一倍的儲(chǔ)存空間,同時(shí)DDR4能夠搭載最多8個(gè)模塊。比DDR3多一倍。這樣算下來(lái)同樣的空間DDR4模塊的最大容量比DDR3多4倍。DDR3所需的標(biāo)準(zhǔn)電源供應(yīng)是1.5V而DDR4降至1.2V,移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)的低功耗DDR4更降至1.1V。
DDR4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個(gè)針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超過(guò)70%。
默認(rèn)頻率DDR4 2133 CL15
DDR4 2133頻率下帶寬測(cè)試:48.4GB/s
DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后,單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來(lái)說(shuō),目前常見(jiàn)的大容量?jī)?nèi)存單條容量為8GB(單顆芯片512MB,共16顆),而DDR4則完全可以達(dá)到64GB,甚至128GB。而電壓方面,DDR4將會(huì)使用20nm以下的工藝來(lái)制造,電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移動(dòng)版的SO-DIMMD DR4的電壓還會(huì)降得更低。
總結(jié):
1:DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯,金手指變成彎曲狀2:DDR4內(nèi)存頻率提升明顯,可達(dá)4266MHz3:DDR4內(nèi)存容量提升明顯,可達(dá)128GB4:DDR4功耗明顯降低,電壓達(dá)到1.2V、甚至更低
ddr4 3200和3600差別大嗎 ddr4 3200和3600可以混用嗎
DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見(jiàn)的內(nèi)存頻率規(guī)格,它們?cè)谛阅苌蠒?huì)有一定的差別,但差別大小取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)景和系統(tǒng)配置。
扒一扒DDR4的新功能和PCB設(shè)計(jì)上的一些注意事項(xiàng)
VTT上拉電阻放置在相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)的末端,即靠近最后一個(gè)DDR4顆粒的位置放置;注意VTT上拉電阻到DDR4顆粒的走線越短越好,走線長(zhǎng)度小于500mil;每個(gè)...
內(nèi)存容量和硬盤(pán)容量的有什么區(qū)別?如何選擇合適的內(nèi)存
今天碰到一件扎心的事,朋友帶一妹子咨詢筆記本的配置。需求是日常辦公,偶爾PS一下,4K到5K的價(jià)格,我建議CPU最好要i5-8265、內(nèi)存8G、硬盤(pán)要,...
DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn),表示其頻率值,具有以下差異
ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在...
2023-08-09 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸主板內(nèi)存 2.7萬(wàn) 0
DDR4技術(shù)有什么特點(diǎn)?如何采用ANSYS進(jìn)行DDR4仿真?
本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn),并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來(lái)仿真DDR4的過(guò)程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存,因?yàn)橛布O客對(duì)DDR...
第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息,所以正式產(chǎn)品還沒(méi)上市就讓人沒(méi)了新鮮感,也許正是這個(gè)原因,很多小伙伴的好奇的目光開(kāi)始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái),特別是DDR5內(nèi)存...
DDR5內(nèi)存和DDR4內(nèi)存差異總結(jié)
DDR5的主要特性是芯片容量,不僅僅是更高的性能和更低的功耗,DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率,更好的刷新方案以及增加的存儲(chǔ)體組以獲得額外的性能。
JESD79_4 DDR4 Spec---DDR4 規(guī)范立即下載
類別:規(guī)則標(biāo)準(zhǔn) 2013-07-11 標(biāo)簽:DDR4DDR4規(guī)范
類別:規(guī)則標(biāo)準(zhǔn) 2018-06-26 標(biāo)簽:DDR4規(guī)格
DDR4的布線設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和指導(dǎo)立即下載
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2020-12-28 標(biāo)簽:內(nèi)存布線DDR4
DDR4布線之a(chǎn)llegro約束規(guī)則設(shè)置綜述立即下載
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2021-09-08 標(biāo)簽:allegroDDR4
類別:嵌入式開(kāi)發(fā) 2017-10-13 標(biāo)簽:ddr4psdo
如何進(jìn)行DDR4的設(shè)計(jì)資料概述及分析仿真案例概述立即下載
類別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2018-12-19 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)DDR4
DDR3和DDR4的設(shè)計(jì)與仿真學(xué)習(xí)教程免費(fèi)下載立即下載
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2019-10-29 標(biāo)簽:DDR3內(nèi)存DDR4
類別:規(guī)則標(biāo)準(zhǔn) 2022-11-29 標(biāo)簽:SDRAMDDR4
4GDDR4對(duì)比8G/16G實(shí)測(cè),你的電腦內(nèi)存真的夠嘛?
雖然,SSD現(xiàn)在經(jīng)取代內(nèi)存成為電腦升級(jí)的明星硬件,但坦率講,這應(yīng)當(dāng)基于這些年內(nèi)存升級(jí)“玄學(xué)”誘導(dǎo)的多數(shù)主機(jī)內(nèi)存容量水平已然十分優(yōu)秀的前提,比如4G其實(shí)已...
2016-11-11 標(biāo)簽:DDR4 4.6萬(wàn) 0
賽揚(yáng)G4930到底怎么樣 賽揚(yáng)G4930基礎(chǔ)信息介紹
也許很少有小伙伴注意到,賽揚(yáng)G4930這塊早已發(fā)布的處理器悄悄上市。雖然也掛著九代酷睿核心的頭銜,但它仍然只有雙核雙線程,頻率也只比前一代提升了100M...
全志H618和rk3566參數(shù)對(duì)比 隨著科技的發(fā)展,現(xiàn)在市面上推出了越來(lái)越多的智能設(shè)備。在這些設(shè)備中,芯片是其中非常重要的一個(gè)部分。目前常見(jiàn)的智能設(shè)備芯...
雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,...
SDRAM,DDR3,DDR2,DDR4,DDR1的區(qū)別對(duì)比及其特點(diǎn)分析
DDR3 SDRAM(Double Data Rate Three SDRAM):為雙信道三次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。 DDR4 SDRAM(Doubl...
淺談國(guó)產(chǎn)內(nèi)存現(xiàn)狀 國(guó)產(chǎn)DDR4的崛起
目前中國(guó)正在大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),但是在內(nèi)存市場(chǎng)卻有一些缺憾,全球內(nèi)存市場(chǎng)幾乎被美國(guó)、韓國(guó)壟斷,去年的內(nèi)存價(jià)格居高不下?,F(xiàn)在目前國(guó)內(nèi)正在發(fā)展存儲(chǔ)芯片,國(guó)產(chǎn)...
公布最新技術(shù)路線圖!長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)計(jì)劃再建兩座 DRAM 晶圓廠
據(jù)報(bào)道,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(CXMT)公布了最新的DRAM技術(shù)路線圖,從其路線規(guī)劃來(lái)看,其研發(fā)的產(chǎn)品線包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LP...
2019-12-03 標(biāo)簽:DRAMDDR4長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 2.2萬(wàn) 0
RK3568與RK3588的區(qū)別 RK3568和RK3588是瑞芯微推出的兩款高性能芯片,兩款芯片具有不同的特點(diǎn),本文將從不同的角度比較兩款芯片的異同,...
DDR4意義就是把入門(mén)級(jí)內(nèi)存提升到了4GB,更大的容量...
DDR4的頻率數(shù)字是基于什么原則來(lái)規(guī)定的呢?
內(nèi)存頻率的這些數(shù)字是怎么來(lái)的呢?
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |