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標簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))
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最近幾年,電子產(chǎn)品的價格走勢不斷降低,大家也覺得日后的電子產(chǎn)品會越來越便宜,但事實是從去年開始,手機、電腦、家電等產(chǎn)品價格一直在持續(xù)漲價,而這其中的主要...
第四代低功耗動態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應用解決方案
許多半導體已經(jīng)實際應用于汽車內(nèi),如電動車(含油電混合車)所使用的功率半導體、車身與被動安全裝置使用的微控制器、數(shù)字信號處理器、半導體傳感器、不同種類的內(nèi)...
為了兼具可擴展性和數(shù)據(jù)處理速度,對于各種應用,如圖像數(shù)據(jù)偵錯、視頻數(shù)據(jù)壓縮、音頻數(shù)據(jù)增益、馬達控制等,可編程數(shù)據(jù)處理模塊(Programmable Da...
2020-07-02 標簽:輸入輸出DRAM數(shù)據(jù)處理 982 0
基于DDR DRAM控制器實現(xiàn)MPMA存取輸入/輸出端口的設計
為了兼具可擴展性和數(shù)據(jù)處理速度,對于各種應用,如圖像數(shù)據(jù)偵錯、視頻數(shù)據(jù)壓縮、音頻數(shù)據(jù)增益、馬達控制等,可編程數(shù)據(jù)處理模塊(Programmable Da...
大體上1Xnm工藝相當于16-19nm級別、1Ynm相當于14-16nm,1Znm工藝相當于12-14nm級別。
驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力應該是來自對帶寬有強烈需求的專業(yè)應用領域,比如云服務器、邊緣計算等等,由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務器CPU核心數(shù)量...
英特爾和 AMD 的核戰(zhàn)爭越演愈烈,現(xiàn)在的臺式機開始 6 核起跳,可以預見,馬上內(nèi)存的性能又將成為新的瓶頸。
除了設計沒有DRAM的SSD或USB磁盤驅(qū)動器的成本外,還有其他原因。 閃存控制器的設計要么具有外部DRAM(動態(tài)隨機存取內(nèi)存)接口,要么就沒有具備。一...
基于NOR Flash的數(shù)據(jù)運算方法專利揭秘
Computing in Memroy是在DRAM中嵌入邏輯電路,打造“存算一體”架構,存算一體架構會大幅降低資料在存儲器與處理器之間往返的負擔,降低芯...
四級單元(QLC)NAND正在進入企業(yè)領域,它可幫助降低價格,低于目前領先的三級單元(TLC)NAND。四級單元應該會讓NAND閃存在未來幾年保持主流地...
長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉(zhuǎn)變
在今日舉辦的中國閃存技術峰會(CFMS)上,長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士做了題為《DRAM技術趨勢與行業(yè)應用》的演講,披露了DRA...
DRAM公司告訴英特爾他們在承諾Rambus之前需要有約束力的訂單
SAN JOSE - 參加英特爾公司匆忙召集的Direct Rambus承諾會議的DRAM制造商告訴MPU據(jù)芯片公司官員在會議上透露,只有當PC OEM...
基于個人經(jīng)驗對 Arduino 入門套件作了相關介紹,開啟創(chuàng)客世界大門
ATmega328P 處理器是一款低功耗 8 位微控制器,采用增強型精簡指令集計算機 (RISC) 架構
2019-08-02 標簽:DRAMArduino創(chuàng)客 9478 0
SF-EP1C學習板:基于SDRAM讀寫的串口調(diào)試實驗
通常DRAM是有一個異步接口的,這樣它可以隨時響應控制輸入的變化。而SDRAM有一個同步接口,在響應控制輸入前會等待一個時鐘信號,這樣就能和計算機的系統(tǒng)...
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