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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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新式DRAM存取技術(shù)提升動(dòng)態(tài)隨機(jī)DRAM訪問速度
本文透過對(duì)于靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究,提出一種新的 存取技術(shù) ,可望提升動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存( DRAM )單元的訪問速度。 超頻...
單片機(jī)控制的動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)緩存器的DRAM讀/寫控制過程
讀取一字節(jié)數(shù)據(jù)的程序段如下: 讀取數(shù)據(jù)時(shí),T1先置1,其后的RD信號(hào)將行地址送到地址線AB上,并使D。觸發(fā)器鎖存Tl,Q,變成低電平,使RAS有效(低電...
我們都知道硬盤的機(jī)械結(jié)構(gòu)應(yīng)該是好用的,我對(duì)那些部分也不感興趣。我的興趣在于大多數(shù)硬盤背面都有的那一小塊PCB板子,上面有SATA接口和電源接口。
本文作者曾經(jīng)為計(jì)算機(jī)主板制造公司撰寫關(guān)于自動(dòng)超頻(overclock)的BIOS,發(fā)現(xiàn)微處理器由于受限于主存儲(chǔ)器的性能而必須降低頻率頻率來(lái)維持計(jì)算機(jī)系統(tǒng)...
2018-02-02 標(biāo)簽:dram 984 0
關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)涉及的專業(yè)名詞介紹及各存儲(chǔ)器的區(qū)別
RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM,random access memory(隨機(jī)存取...
關(guān)于Graphcore IPU設(shè)計(jì)背后的思考
采用同構(gòu)多核(many-core)架構(gòu),超過1000個(gè)獨(dú)立的處理器。每個(gè)處理器核的處理能力和具體支持的操作還不清楚。支持all-to-all的核間通信,...
3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過它
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái),最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì),3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者:...
隨著人們對(duì)數(shù)據(jù)需求增多,存儲(chǔ)系統(tǒng)的瓶頸越來(lái)越明顯。而在嵌入式領(lǐng)域移動(dòng)設(shè)備和工業(yè)自動(dòng)化控制等惡劣環(huán)境下,傳統(tǒng)硬盤機(jī)械結(jié)構(gòu)已經(jīng)無(wú)法滿足要求,而所有這一切隨著...
DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力,因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能,用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM ...
對(duì)RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM的簡(jiǎn)單介紹
RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器...
Kevin K. Chang:解決了DRAM問題 提出新的架構(gòu)改進(jìn)DRAM延遲問題
在內(nèi)存和存儲(chǔ)代價(jià)高昂的時(shí)候,數(shù)據(jù)移動(dòng)被限制在一個(gè)寄存器大小的塊中,或者最多是來(lái)自磁盤的512字節(jié)塊。但如今,在存儲(chǔ)容量達(dá)千兆字節(jié)的存儲(chǔ)空間和海量?jī)?nèi)存的情...
通過CPLD進(jìn)行接口連接和編程控制的大容量、高速度FIFO設(shè)計(jì)
許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存,但是由于成本和容量限制,常采用多個(gè)FIFO芯片級(jí)聯(lián)擴(kuò)展,這往往導(dǎo)致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,成本高。本文分別針對(duì)Hynix公司...
嵌入式應(yīng)用存儲(chǔ)技術(shù)介紹 DRAM發(fā)展動(dòng)態(tài)
DRAM的容量越來(lái)越大,速度越來(lái)越高,價(jià)格也越來(lái)越便宜。DDR3雙列直插內(nèi)存模塊(DIMM)目前的最高容量已經(jīng)達(dá)到16GB,運(yùn)行速率為533至800MH...
2018-03-12 標(biāo)簽:dram嵌入式系統(tǒng) 6495 0
DDR 控制器部產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān) 概述 DDR DRAM內(nèi)存控制器要滿足眾多市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的需求。一款出色的內(nèi)存控制器必須能夠增加存儲(chǔ)器接口的帶寬,滿足CPU、圖...
許多高性能儀器使用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)作為本地存儲(chǔ)器,DRAM是一種高密度、高帶寬的存儲(chǔ)器。選擇具有DRAM的NI FlexRIO FPGA模...
聚焦于關(guān)注零售行業(yè)內(nèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器發(fā)展趨勢(shì)!我們將在本文中介紹最后一項(xiàng)相關(guān)技術(shù),這項(xiàng)技術(shù)已在多家商店中引入,并且在不久之后將繼續(xù)被廣泛采用。這些裝置將為消...
2017-11-08 標(biāo)簽:控制器dram可穿戴設(shè)備 8213 0
關(guān)于自主駕駛及其存儲(chǔ)需求的討論有很多,但很少有人談及汽車中其他需要使用存儲(chǔ)的系統(tǒng)。汽車中有四個(gè)主要系統(tǒng)會(huì)使用存儲(chǔ),且每個(gè)系統(tǒng)的存儲(chǔ)需求各不相同。
DRAM原理 5 :DRAM Devices Organization
隨著系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高,系統(tǒng)會(huì)接入多個(gè) DRAM Devices。而多個(gè) DRAM Devices 不同的組織方式,會(huì)帶來(lái)不同的...
2017-03-28 標(biāo)簽:DRAM 1614 0
次世代記憶體換當(dāng)家?關(guān)于新當(dāng)家的那點(diǎn)事
據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo),IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱,兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù),成...
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