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      dram

      dram

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      DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

      文章：2273個 瀏覽：185499次 帖子：82個

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      2023-11-27 標(biāo)簽：集成電路CMOSDRAM 1309 0

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      2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM晶圓 1237 0

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      2023-11-23 標(biāo)簽：電容器DRAM虛擬制造 699 0

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      　DRAM測試發(fā)生在晶圓探針和封裝測試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動了測試流程，包括ATE要求和相關(guān)測試內(nèi)容。

      2023-11-22 標(biāo)簽：控制器DRAM晶圓 7203 0

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      芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下，DRAM——尤其是高帶寬存儲器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄，也...

      2023-11-22 標(biāo)簽：DRAMSRAM數(shù)據(jù)中心 1363 0

      簡單認(rèn)識動態(tài)隨機存取存儲器

      20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣...

      2023-11-17 標(biāo)簽：mcuDRAMSDRAM 1691 0

      使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口

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      持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓...

      2023-11-16 標(biāo)簽：電容器DRAM虛擬制造 851 0

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      2023-11-14 標(biāo)簽：PCMDRAM存儲器 1965 0

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      HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM，它可以為高性能計算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介...

      2023-11-09 標(biāo)簽：DRAM數(shù)據(jù)傳輸HBM 1.7萬 0

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      在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中，“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的，尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點值相匹配，可以說晶體管的小型化已經(jīng)...

      2023-11-08 標(biāo)簽：MOSFETDRAM存儲器 834 0

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      美光的低功耗內(nèi)存解決方案為驍龍XR2 Gen 2平臺上的元宇宙應(yīng)用提供高速和高能效。 美光科技宣布，其低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X(LPDDR5X)DRAM和...

      2023-10-27 標(biāo)簽：高通閃存嵌入式 1619 0

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      2023-10-27 標(biāo)簽：驅(qū)動器DRAMNAND 1082 0

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      本文將介紹芯片設(shè)計中動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。

      2023-10-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM存儲器 6438 0

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      2023-10-19 標(biāo)簽：DRAM封裝技術(shù)IC封裝 1130 0

      為什么有的芯片是引腳封裝，而手機芯片則是用的底部BGA球珊封裝？

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      所謂的芯片，其實只有中間很小的一部分，仔細(xì)看它的結(jié)構(gòu)，芯片是正面朝上，內(nèi)部的電路會連接到四周的凸塊。

      2023-10-17 標(biāo)簽：處理器DRAMBGA封裝 2123 0

      R128點燈指南加強篇—LEDC點三色流水燈（WS2812）

      R128-DevKit 擁有4顆 WS2812LED，本文將詳細(xì)敘述如何點亮他們。

      2023-10-13 標(biāo)簽：led控制器DRAM 6347 0

      探索閃存內(nèi)存如何應(yīng)對“內(nèi)存墻”的可行性

      探索閃存內(nèi)存如何應(yīng)對“內(nèi)存墻”的可行性

      首先，內(nèi)存請求與閃存內(nèi)存之間存在顆粒度不匹配。這導(dǎo)致了在閃存上需要存在明顯的流量放大，除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外：例如，將64B的緩存行...

      2023-10-09 標(biāo)簽：閃存DRAMgpu 1393 0

      MRAM會取代DDR嗎？簡單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別

      MRAM會取代DDR嗎？簡單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別

      在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲產(chǎn)品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。

      2023-10-07 標(biāo)簽：電容器DRAM存儲器 5105 0

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      開關(guān)電源 步進電機 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機
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