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標(biāo)簽 > emi
EMI是指電子產(chǎn)品工作會(huì)對(duì)周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾,與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問題。干擾種類有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。
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LM25141 低 Iq、寬輸入范圍同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM25141 是一種同步降壓控制器,用于高壓寬 V~在~降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用??刂品椒ㄊ欠逯惦娏髂J娇刂啤k娏髂J娇刂铺峁┕逃械木€路前饋、逐周期電流限制和輕...
2025-03-24 標(biāo)簽:emi峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器 585 0
LM5141 低 Iq、寬輸入范圍同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5141 是一款同步降壓控制器,適用于高壓寬 V~在~降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用??刂品椒ㄊ欠逯惦娏髂J娇刂?。電流模式控制提供固有的線路前饋、逐周期電流限制和輕...
2025-03-24 標(biāo)簽:emi峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器 317 0
TPS40345 3V 至 20V、25A、同步降壓控制器,適用于成本優(yōu)化型應(yīng)用技術(shù)資料
TPS40345 是一款同步降壓控制器,可在 3V 至 20V 輸入下工作,可用于成本優(yōu)化型應(yīng)用。該控制器實(shí)現(xiàn)了一種電壓模式控制架構(gòu),具有輸入電壓前饋補(bǔ)...
UCC28750 具有次級(jí)側(cè)調(diào)節(jié) (SSR) 的電流模式反激式控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28750 是一款高度集成的電流模式、連續(xù)導(dǎo)通 PWM 控制器,針對(duì)使用光耦合器的高性能、低待機(jī)功率和高性價(jià)比的離線反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。在...
2025-03-19 標(biāo)簽:光耦合器emi反激式轉(zhuǎn)換器 415 0
220V交流電進(jìn)入通過保險(xiǎn)絲F(保險(xiǎn)絲一定要接在火線上,接在零線上熔斷后電路還會(huì)有電流,起不到保護(hù)作用),然后經(jīng)過EMI電路進(jìn)行濾波,經(jīng)過了濾波的220...
2025-03-19 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源emi 1018 0
AD8132低成本、高速差分放大器技術(shù)手冊(cè)
AD8132是一款低成本、差分或單端輸入至差分輸出放大器,通過電阻設(shè)置增益。相對(duì)于運(yùn)算放大器,AD8132在驅(qū)動(dòng)差分輸入ADC或驅(qū)動(dòng)信號(hào)長(zhǎng)線路傳輸方面取...
小尺寸低成本高速串行(HSS)接口對(duì)于體積小、功耗低、重量輕的移動(dòng)設(shè)備來說尤其有價(jià)值。當(dāng)移動(dòng)設(shè)備必須與遠(yuǎn)程網(wǎng)絡(luò)通信時(shí),會(huì)發(fā)生電磁干擾(EMI),因?yàn)楝F(xiàn)代...
2025-03-12 標(biāo)簽:emi無線通信高速數(shù)字接口 736 0
高頻應(yīng)用下的整流橋挑戰(zhàn):MDDEMI優(yōu)化與反向恢復(fù)時(shí)間控制方案
在高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用(如開關(guān)電源、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng))中,MDD整流橋的選型和設(shè)計(jì)直接影響系統(tǒng)效率和電磁兼容性(EMC)。高頻下的主要挑戰(zhàn)包括EMI(電磁干...
一前言隨著信息技術(shù)和半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展,電子產(chǎn)品的類型和功能模塊日益多樣化,對(duì)此要求的傳輸速率也日益提高。其中時(shí)鐘頻率的不斷提升,同時(shí)也帶來了更多的E...
電源電路的軟驅(qū)動(dòng)功能通過逐漸增加輸出電壓或電流,以消除啟動(dòng)時(shí)的沖擊電流,從而簡(jiǎn)化EMI問題,使系統(tǒng)能夠平滑啟動(dòng),減少對(duì)系統(tǒng)的沖擊,?開關(guān)電源芯片U622...
2025-03-07 標(biāo)簽:開關(guān)電源emi電源芯片 562 0
一前言EMC整改過程中,時(shí)鐘問題是我們經(jīng)常遇到的EMC難題之一,在前期設(shè)計(jì)中重點(diǎn)關(guān)注并做好相應(yīng)的處理措施,肯定是最優(yōu)解的。但是如果前期設(shè)計(jì)沒有注意或者結(jié)...
談到電動(dòng)汽車 (EV) ,所有 OEM 廠商都希望設(shè)計(jì)更輕、更小、更實(shí)惠的解決方案。此外,公用事業(yè)單位、監(jiān)管機(jī)構(gòu)和 OEM 廠商都在努力利用車輛與電網(wǎng) ...
2025-02-27 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器emiDC-DC 1553 0
技術(shù)資料LMG3422R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告的 600V 50mΩ GaN FET
LMG342xR050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) S...
2025-02-25 標(biāo)簽:emiti電源拓?fù)?/a> 640 0
低EMI振蕩器解決方案 | FCom富士晶振FCO-2C-LE與FCO-3C-LE系列
探索FCom富士晶振FCO-2C-LE與FCO-3C-LE系列低EMI振蕩器,專為高精度應(yīng)用設(shè)計(jì),提供突出性能和低電磁干擾。
技術(shù)資料#LMG3426R050 600V 50mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)
LMG342xR050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) S...
SG-9101擴(kuò)頻晶振降低EMI電磁干擾可編程晶振
擴(kuò)展頻譜技術(shù)是抗干擾通信中的主要應(yīng)用技術(shù)。擴(kuò)展頻譜時(shí)鐘晶振是一種可以通過調(diào)整時(shí)鐘頻率降低EMI電磁干擾的可編程有源晶振,愛普生在其技術(shù)資料中對(duì)其英文簡(jiǎn)稱...
快充電源芯片U876X產(chǎn)品型號(hào)有U8765/U8766,推薦最大輸出功率分別為65W/100W,集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN F...
遠(yuǎn)翔降壓恒流驅(qū)動(dòng)芯片F(xiàn)P7153布板建議說明以及電磁抗干擾EMI認(rèn)證對(duì)策分析
布板說明>大電流路徑走線要粗,鋪銅走線最佳。>開關(guān)切換連接點(diǎn)ICSW與L1,走線要短與粗,鋪銅走線最佳。>輸入...
2025-02-10 標(biāo)簽:emi驅(qū)動(dòng)芯片FP7153 340 0
使用EMI掃描儀和EMI測(cè)試接收機(jī)進(jìn)行EMI可視化分析
隨著電子設(shè)備的復(fù)雜性日益增長(zhǎng),EMC(電磁兼容)測(cè)試在產(chǎn)品設(shè)計(jì)與3C認(rèn)證過程中的作用愈發(fā)顯著。為通過3C認(rèn)證,企業(yè)在產(chǎn)品研發(fā)初期便積極引入EMI測(cè)試環(huán)節(jié)...
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