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finfet

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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

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finfet技術(shù)

淺談半導(dǎo)體晶體管間距的縮放面積及連續(xù)節(jié)點(diǎn)的有效密度

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翻譯自——newelectronics 摩爾定律已經(jīng)不能用了嗎?其實(shí)這取決于哪一方面。 斯坦福大學(xué)電氣工程教授Philip Wong與來(lái)自麻省理工學(xué)院、...

2021-01-25 標(biāo)簽:CMOS電路設(shè)計(jì)eda 3679 0

FinFET的效用已趨于極限 淺談晶體管縮放的難題

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作者:泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開(kāi)關(guān)——制造帶來(lái)了顛覆性變革。與此前...

2021-01-25 標(biāo)簽:晶體管FinFET柵極晶體管 3505 0

數(shù)字后端先進(jìn)工藝知識(shí)科普

數(shù)字后端先進(jìn)工藝知識(shí)科普

DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先進(jìn)工藝下底層金屬/poly加工制造的一種技術(shù),先進(jìn)工...

2023-12-01 標(biāo)簽:MOS管FinFET數(shù)字后端 3500 0

FinFET工藝之self-heating概念介紹

FinFET工藝之self-heating概念介紹

當(dāng)做到FinFET工藝時(shí)才了解到這個(gè)名詞,在平面工藝時(shí)都沒(méi)有接觸SHE(self-heating effect)這個(gè)概念。為什么到FinFET下開(kāi)始需要...

2023-12-07 標(biāo)簽:MOSSOIFinFET 3441 0

FinFET 發(fā)展的演變

技術(shù)路線圖始終是雙向的,一半來(lái)自技術(shù)方面的進(jìn)步,另一半來(lái)自市場(chǎng)的需求。

2022-08-10 標(biāo)簽:MOSFET3D晶圓 3175 0

深度解析finFET設(shè)計(jì)規(guī)則

深度解析finFET設(shè)計(jì)規(guī)則

inFET 技術(shù)有幾個(gè)含義。最重要的是,硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的,而不是由電路設(shè)計(jì)者決定的。這意味著每個(gè)晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿...

2024-02-21 標(biāo)簽:多晶硅晶體管集成芯片 2969 0

FinFET制造工藝的具體步驟

FinFET制造工藝的具體步驟

本文介紹了FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)制造過(guò)程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。

2025-01-20 標(biāo)簽:晶圓晶體管柵極 2715 0

SoC系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員:FinFET對(duì)你來(lái)說(shuō)意味著什么?

大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō),這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜 (FDSOI...

2013-12-09 標(biāo)簽:FPGAMOSFETSoC 2550 0

芯片工程師,是時(shí)候了解GAA晶體管了

雖然只有12年的歷史,但finFET已經(jīng)走到了盡頭。從3nm開(kāi)始,它們將被環(huán)柵 (GAA)取代,預(yù)計(jì)這將對(duì)芯片的設(shè)計(jì)方式產(chǎn)生重大影響。

2023-04-18 標(biāo)簽:芯片晶體管納米 2224 0

如何選擇滿足FPGA設(shè)計(jì)需求的工藝?

當(dāng)今的可編程邏輯供應(yīng)商必須研究各種工藝選擇,才能滿足采用FPGA的設(shè)計(jì)的各類需求。本文將介紹三類工藝特性,它們與現(xiàn)代FPGA內(nèi)部結(jié)構(gòu)的聯(lián)系,以及FPGA...

2013-06-13 標(biāo)簽:FPGATSMCAltera 1953 0

傳統(tǒng)過(guò)孔數(shù)顯著增加 條狀過(guò)孔成大勢(shì)所趨

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對(duì)于28納米及以下節(jié)點(diǎn),各種新的設(shè)計(jì)要求使我們不得不調(diào)整傳統(tǒng)的數(shù)字電路板圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程。尤其值得一提的是,過(guò)孔的使用受到了很大的影響。新的過(guò)孔類型已推...

2013-09-02 標(biāo)簽:PCB設(shè)計(jì)FinFET28nm 1775 0

集成電路設(shè)計(jì)與制造過(guò)程

集成電路設(shè)計(jì)與制造過(guò)程

一個(gè)復(fù)雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十(百)億個(gè)晶體管,這些晶體管通過(guò)細(xì)金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過(guò)程極其復(fù)雜,需要經(jīng)歷數(shù)百個(gè)精確控制的步驟。

2025-03-03 標(biāo)簽:處理器集成電路半導(dǎo)體 1763 0

適用于1nm邏輯技術(shù)節(jié)點(diǎn)器件架構(gòu)解析

由于從平面 FET 過(guò)渡到 FinFET,晶體管尺寸減小了,而性能卻提高了。這種轉(zhuǎn)變是必要的,因?yàn)槠矫?FET 的性能在柵極長(zhǎng)度減小時(shí)開(kāi)始下降。FinF...

2022-07-21 標(biāo)簽:晶體管FinFET 1741 0

使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)預(yù)測(cè)先進(jìn)FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能

負(fù)載效應(yīng) (loading) 的控制對(duì)良率和器件性能有重大影響,并且它會(huì)隨著 FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件工藝的持續(xù)微縮變得越來(lái)越重要[1-2]...

2023-01-06 標(biāo)簽:晶體管FinFET負(fù)載效應(yīng) 1592 0

低功耗貫穿芯片設(shè)計(jì)全流程

低功耗一直是便攜式電子設(shè)備的關(guān)鍵要求,但近年來(lái),在人工智能、5G、大數(shù)據(jù)中心、汽車等應(yīng)用快速發(fā)展的推動(dòng)下,對(duì)低功耗的需求已經(jīng)擴(kuò)散到更多的終端產(chǎn)品中。

2023-02-14 標(biāo)簽:soc散熱器RTL 1579 0

FinFET布局和布線要經(jīng)受的重大考驗(yàn)

隨著高級(jí)工藝的演進(jìn),電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。

2017-05-04 標(biāo)簽:布線finfet 1552 0

layout相關(guān)—芯片中相鄰單元的漏電流

看到這個(gè)題目,可能不少朋友都會(huì)滿臉問(wèn)號(hào),我們知道cell內(nèi)部會(huì)有l(wèi)eakage,難道cell與cell之間也會(huì)有l(wèi)eakage嗎?

2023-12-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管Layout 1462 0

數(shù)字電路處理中仿照技術(shù)正在漸漸沒(méi)落

在這樣一個(gè)對(duì)數(shù)字電路處理有利的世界中,仿照技術(shù)更多地用來(lái)處理對(duì)它們晦氣的進(jìn)程。但這個(gè)現(xiàn)象或許正在改動(dòng)。

2020-04-06 標(biāo)簽:傳感器數(shù)字電路FinFET 1461 0

金屬布線的工藝為半導(dǎo)體注入生命的連接

金屬布線的工藝為半導(dǎo)體注入生命的連接

經(jīng)過(guò)氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝,晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容(Capacitor);

2023-04-28 標(biāo)簽:DRAM晶圓晶體管 1275 0

背面電力傳輸 下一代邏輯的游戲規(guī)則改變者

背面電力傳輸 下一代邏輯的游戲規(guī)則改變者

背面電力傳輸打破了在硅晶圓正面處理信號(hào)和電力傳輸網(wǎng)絡(luò)的長(zhǎng)期傳統(tǒng)。通過(guò)背面供電,整個(gè)配電網(wǎng)絡(luò)被移至晶圓的背面。硅通孔 (TSV) 將電源直接從背面?zhèn)魉偷秸?..

2023-08-30 標(biāo)簽:處理器晶體管電源完整性 1147 0

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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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