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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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淺談半導(dǎo)體晶體管間距的縮放面積及連續(xù)節(jié)點(diǎn)的有效密度
翻譯自——newelectronics 摩爾定律已經(jīng)不能用了嗎?其實(shí)這取決于哪一方面。 斯坦福大學(xué)電氣工程教授Philip Wong與來(lái)自麻省理工學(xué)院、...
2021-01-25 標(biāo)簽:CMOS電路設(shè)計(jì)eda 3679 0
作者:泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開(kāi)關(guān)——制造帶來(lái)了顛覆性變革。與此前...
當(dāng)做到FinFET工藝時(shí)才了解到這個(gè)名詞,在平面工藝時(shí)都沒(méi)有接觸SHE(self-heating effect)這個(gè)概念。為什么到FinFET下開(kāi)始需要...
技術(shù)路線圖始終是雙向的,一半來(lái)自技術(shù)方面的進(jìn)步,另一半來(lái)自市場(chǎng)的需求。
inFET 技術(shù)有幾個(gè)含義。最重要的是,硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的,而不是由電路設(shè)計(jì)者決定的。這意味著每個(gè)晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿...
SoC系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員:FinFET對(duì)你來(lái)說(shuō)意味著什么?
大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō),這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜 (FDSOI...
雖然只有12年的歷史,但finFET已經(jīng)走到了盡頭。從3nm開(kāi)始,它們將被環(huán)柵 (GAA)取代,預(yù)計(jì)這將對(duì)芯片的設(shè)計(jì)方式產(chǎn)生重大影響。
當(dāng)今的可編程邏輯供應(yīng)商必須研究各種工藝選擇,才能滿足采用FPGA的設(shè)計(jì)的各類需求。本文將介紹三類工藝特性,它們與現(xiàn)代FPGA內(nèi)部結(jié)構(gòu)的聯(lián)系,以及FPGA...
傳統(tǒng)過(guò)孔數(shù)顯著增加 條狀過(guò)孔成大勢(shì)所趨
對(duì)于28納米及以下節(jié)點(diǎn),各種新的設(shè)計(jì)要求使我們不得不調(diào)整傳統(tǒng)的數(shù)字電路板圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程。尤其值得一提的是,過(guò)孔的使用受到了很大的影響。新的過(guò)孔類型已推...
2013-09-02 標(biāo)簽:PCB設(shè)計(jì)FinFET28nm 1775 0
一個(gè)復(fù)雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十(百)億個(gè)晶體管,這些晶體管通過(guò)細(xì)金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過(guò)程極其復(fù)雜,需要經(jīng)歷數(shù)百個(gè)精確控制的步驟。
適用于1nm邏輯技術(shù)節(jié)點(diǎn)器件架構(gòu)解析
由于從平面 FET 過(guò)渡到 FinFET,晶體管尺寸減小了,而性能卻提高了。這種轉(zhuǎn)變是必要的,因?yàn)槠矫?FET 的性能在柵極長(zhǎng)度減小時(shí)開(kāi)始下降。FinF...
使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)預(yù)測(cè)先進(jìn)FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能
負(fù)載效應(yīng) (loading) 的控制對(duì)良率和器件性能有重大影響,并且它會(huì)隨著 FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件工藝的持續(xù)微縮變得越來(lái)越重要[1-2]...
2023-01-06 標(biāo)簽:晶體管FinFET負(fù)載效應(yīng) 1592 0
低功耗一直是便攜式電子設(shè)備的關(guān)鍵要求,但近年來(lái),在人工智能、5G、大數(shù)據(jù)中心、汽車等應(yīng)用快速發(fā)展的推動(dòng)下,對(duì)低功耗的需求已經(jīng)擴(kuò)散到更多的終端產(chǎn)品中。
FinFET布局和布線要經(jīng)受的重大考驗(yàn)
隨著高級(jí)工藝的演進(jìn),電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。
看到這個(gè)題目,可能不少朋友都會(huì)滿臉問(wèn)號(hào),我們知道cell內(nèi)部會(huì)有l(wèi)eakage,難道cell與cell之間也會(huì)有l(wèi)eakage嗎?
2023-12-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管Layout 1462 0
數(shù)字電路處理中仿照技術(shù)正在漸漸沒(méi)落
在這樣一個(gè)對(duì)數(shù)字電路處理有利的世界中,仿照技術(shù)更多地用來(lái)處理對(duì)它們晦氣的進(jìn)程。但這個(gè)現(xiàn)象或許正在改動(dòng)。
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