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標簽 > GaN器件
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半導體產(chǎn)業(yè)往往指以半導體材料為基礎的整個產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，這里可以包括半導體材料的生產(chǎn)（屬于化學產(chǎn)業(yè)），利用半導體材料生產(chǎn)加工的產(chǎn)業(yè)，幫助半導體材料生產(chǎn)加工的...
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集...
對于工程師來說，設計 GaN PA 的第一步就是獲得半導體制造商的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊 ；第二部就是查看 S 參數(shù)。PA 設計工程師還可以利用測得的負載牽引數(shù)據(jù)...
在柵極關斷時，CGS和Con中的電荷將快速達到平衡。此處必須確保Con大于CGS，以確保穩(wěn)態(tài)的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨撝担瑥亩谟查_關應用中關斷晶體管。
氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉換應用的系統(tǒng)成本。迅速增長的采納的eGaN的?在大批量這些應用FET...
SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結構，帶來了諸多優(yōu)勢：首先，“絕緣埋層”實現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質隔離，減小了寄生電容，開關頻率得以提高。
隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應用。
不同種類的 GaN 可能具有不同的柵極驅動要求，這可能是使用 GaN 組件進行設計時面臨的最大挑戰(zhàn)之一。
高效率當然是一個優(yōu)點，但有時“高”的說法并不準確，例如：家用電子設備散發(fā)出“較高”的熱量，可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量，或許能從能源使用...
蕪湖第三代半導體工程中心SiC和GaN器件產(chǎn)線全面貫通
蕪湖第三代半導體工程中心自2017年6月啟動建設。啟迪新材料集團和蕪湖市建設投資有限公司通力合作，在蕪湖市委、市政府和高新區(qū)管委會以及發(fā)改委、科技局、經(jīng)...
NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化鎵或垂直 GaN）。垂直 GaN...
新品推薦 | 東科推出業(yè)內首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片
DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉換芯片。它具有超高集成度，內置有源箝位拓撲所需的兩顆GaNHEMT功率管，邏輯控制電...
全球SiC和GaN功率器件市場規(guī)模將達到56.436億美元
第三代半導體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導體，該類半導體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱...
西電郝躍院士團隊實現(xiàn)硅與GaN器件的晶圓級單片異質集成
氮化鎵高功率器件在電力電子領域中受到越來越多的關注，在汽車電子、機電控制、光伏產(chǎn)業(yè)和各類電源系統(tǒng)中得到越來越多的應用。電力電子器件更加需要常關態(tài)增強型氮...
BM6GD11BFJ-LB羅姆首款面向高耐壓GaN器件驅動的隔離型柵極驅動器IC開始量產(chǎn)
? 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“ BM6GD11BFJ-...
GaN器件用于從交流到直流的功率轉換，然后用于轉換負載的直流電壓，可以將Si器件的整體效率從77%提高到接近84%，如圖3所示。根據(jù)一級數(shù)據(jù)中心運營商G...
2018-08-25 標簽：物聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心gan器件 2071 0
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領導者納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術的智能GaNFast功率芯片已升級以...
大聯(lián)大世平集團推出基于ON Semiconductor產(chǎn)品的小型工業(yè)電源供應器方案
GaN驅動器對性能至關重要，驅動器使驅動電壓保持在電壓最大限值內并不是唯一的要求。
2021-06-16 標簽：氮化鎵工業(yè)電源ON Semiconductor 1726 0
面向1200V功率應用的異質襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢
近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導體的開發(fā)和市場導入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。
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