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標(biāo)簽 > GaN
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Flyback反激變換器的三種工作模式和參數(shù)設(shè)計(jì)
過(guò)去幾年,由于USB Type-C PD充電協(xié)議的廣泛使用,加之GaN技術(shù)的普及,使得基于GaN的PD適配器具有更廣泛的兼容性和更便攜的形態(tài),小功率電源...
現(xiàn)代世界里,沒(méi)有人可以說(shuō)自己跟半導(dǎo)體沒(méi)有關(guān)系。半導(dǎo)體聽(tīng)起來(lái)既生硬又冷冰冰,但它不僅是科學(xué)園區(qū)里那幫工程師的事,你每天滑的手機(jī)、用的電腦、看的電視、聽(tīng)的音...
氮化鎵(GaN)的晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu),它們分別為纖鋅礦(Wurtzite)、閃鋅礦(Zincblende)和巖鹽礦(Rocksalt)。通常的情況下...
氮化鎵GaN詳細(xì)對(duì)比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用
作者:馬坤 (郵箱:kuner0806@163.com) 隨著中國(guó)芯GaN產(chǎn)品上市,引起了大家的關(guān)注,PD產(chǎn)品更是多姿多彩;納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科Ga...
用GAN生成音樂(lè)成功了!GANSynth是一種快速生成高保真音頻的新方法
GANSynth 生成音樂(lè)有多強(qiáng)呢?Jesse Engel 用一句話解釋:“我們證明了,我們可以比標(biāo)準(zhǔn)的 WaveNet 快 5 萬(wàn)倍地生成樂(lè)器音頻,并...
基于GaN的開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)是關(guān)鍵要素
輸入電壓兼容TTL電平,并且最大輸入電壓可以高達(dá)14V,而不考慮VDD軌電壓。同時(shí),在高側(cè)/低側(cè)的應(yīng)用中,低傳播延遲和軌到軌的時(shí)鐘傾斜對(duì)效率也是至關(guān)重要...
如何解決數(shù)據(jù)稀疏而對(duì)深度學(xué)習(xí)的影響問(wèn)題?詳細(xì)方法概述
深度學(xué)習(xí),有太多令人驚嘆的能力!從12年的圖像識(shí)別開(kāi)始,深度學(xué)習(xí)的一個(gè)個(gè)突破,讓人們一次又一次的刷新對(duì)它的認(rèn)知。然而,應(yīng)用深度學(xué)習(xí),一直有一個(gè)巨大的前提...
2018-08-12 標(biāo)簽:圖像識(shí)別GAN深度學(xué)習(xí) 2.0萬(wàn) 0
氮化鎵 (GaN) 技術(shù):屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝及最新進(jìn)展
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) :其屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝以及最新進(jìn)展。這種更深入的探討有助于我們了解 :為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個(gè)技術(shù)驅(qū)...
我們?cè)贗mageNet數(shù)據(jù)集上進(jìn)行了大量的實(shí)驗(yàn),以驗(yàn)證所提出的self-attention機(jī)制和穩(wěn)定技術(shù)的有效性。SAGAN在圖像合成方面的表現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)...
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) :其屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝以及最新進(jìn)展。這種更深入的探討有助于我們了解 :為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個(gè)技術(shù)驅(qū)...
AlGaN和GaN界面陷阱對(duì)AlGaN與GaN及HEMT負(fù)閾值電壓漂移的影響說(shuō)明立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2019-10-09 標(biāo)簽:仿真晶體管GaN 3411 0
第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件立即下載
類別:無(wú)線通信 2017-11-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料sicgan 1602 0
生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)在計(jì)算機(jī)視覺(jué)領(lǐng)域有什么應(yīng)用立即下載
類別:人工智能 2018-12-06 標(biāo)簽:人工智能GAN計(jì)算機(jī)視覺(jué) 1494 0
動(dòng)漫生成器讓照片秒變手繪日漫風(fēng)!?。?/a>
如果有模型能將真實(shí)畫面轉(zhuǎn)化為日漫風(fēng)格的手繪畫面,那一定非常炫酷。最近機(jī)器之心發(fā)現(xiàn)確實(shí)有這些模型,從 CartoonGAN 到 AnimeGAN 都能生成...
2020-05-12 標(biāo)簽:GaN生成器計(jì)算機(jī)圖形學(xué) 5.3萬(wàn) 0
不管是外出游玩還是出差商旅,大多數(shù)人的背包里肯定少不了手機(jī)、電腦、充電器。為了減輕人們的出行負(fù)擔(dān),筆記本電腦的設(shè)計(jì)也逐漸輕薄便攜,不過(guò),不管電腦怎么革新...
CGD徐維利:生成式AI需求驟升,第三代半導(dǎo)體成關(guān)鍵
又到歲末年初時(shí),電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題,收到了數(shù)十位國(guó)內(nèi)外創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次電子發(fā)燒友網(wǎng)特別采訪了CGD亞太區(qū)FA...
2023-12-26 標(biāo)簽:GaNCGD第三代半導(dǎo)體 2.8萬(wàn) 0
GaN HEMT概述/分類/結(jié)構(gòu)/工作原理
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表...
雖然近期對(duì)GAN存在著大量炒作,但它顯然是近年來(lái)從AI領(lǐng)域出現(xiàn)的最有趣的新概念之一,我們可以期待在不久的將來(lái)看到更多基于GAN的令人興奮的新應(yīng)用。
前言:【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄,目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)鏈,理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié),同時(shí)迅速了解各大細(xì)分環(huán)...
半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年,一路上挾風(fēng)帶雨,好不風(fēng)光。不過(guò)隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限,摩爾定律對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的加速度...
經(jīng)典電力電子設(shè)備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外,經(jīng)典的硅器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了極限。鑒于這些前提,很明顯 WBG 技術(shù)是...
50kW/L功率密度,3.3美元/kW成本的電機(jī)實(shí)現(xiàn)難點(diǎn)是什么?
U.S. DRIVE給電機(jī)和電控的發(fā)展定了一個(gè)目標(biāo),那就是到2025年時(shí),電機(jī)控制器的效率不能低于98%;功率密度要達(dá)到100kW/L;成本要降到2.7...
型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
---|---|---|---|
GS61008P-MR | 增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價(jià)格
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