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      gan技術(shù)

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      2024-05-21 標(biāo)簽：OTPGaNVDD 1355 0

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      什么是LiDAR？ ? LiDAR 是Light Detection And Ranging（激光探測(cè)與測(cè)距）的縮寫，是使用近紅外光、可見光或紫外光照射...

      2024-05-16 標(biāo)簽：GaNRohm激光探測(cè)技術(shù) 908 0

      改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時(shí)間

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      在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。

      2024-05-09 標(biāo)簽：功率器件GaNHEMT 1203 0

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      毫無疑問，寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費(fèi)類及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。

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      作者：Kenton Williston 激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機(jī)、倉庫自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類...

      2024-05-05 標(biāo)簽：FET激光二極管測(cè)量 1010 0

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      作者：Bill Schweber 對(duì)更高效利用能源的推動(dòng)、更嚴(yán)格的法規(guī)要求以及低溫運(yùn)行的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，所有這些都為近來降低電機(jī)功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...

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      2024-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵GaNHEMT 1908 0

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      除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN ...

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      適配MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)GaN FETs

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      GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì)，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵...

      2024-02-29 標(biāo)簽：MOSFETGaN柵極驅(qū)動(dòng) 1216 0

      為什么GaN被譽(yù)為下一個(gè)主要半導(dǎo)體材料？

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      2024-02-29 標(biāo)簽：CMOSNMOS半導(dǎo)體材料 583 0

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