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采用GaN功率IC簡(jiǎn)化電力電子設(shè)計(jì)
早期的氮化鎵(GaN)功率器件需要復(fù)雜、昂貴且頻率受限的外部電路,以及復(fù)雜的封裝來(lái)保護(hù)和控制脆弱的柵極,這嚴(yán)重限制了市場(chǎng)的采用。單片集成的GaN功率IC...
2024-07-30 標(biāo)簽:電子設(shè)計(jì)GaN功率IC 774 0
安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更簡(jiǎn)單容易
GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。? 安森美(ons...
2024-07-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器安森美功率器件 936 0
GaN MOSFET(氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率器件,具有高功率密度、高效率和快速開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比...
采用集成智能GaN IC設(shè)計(jì)電動(dòng)汽車(chē)輔助電源
電動(dòng)汽車(chē)中的輔助電源,也被稱(chēng)為輔助電源模塊(APM),是車(chē)輛不可或缺的組成部分。其主要功能是將動(dòng)力電池中的電能高效地傳輸給低壓電氣負(fù)載和12V蓄電池。隨...
2024-07-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)電源GaN 864 0
在高密度GaN優(yōu)化型PFC轉(zhuǎn)換器中解決交流壓降恢復(fù)問(wèn)題
歡迎再次來(lái)到我們的技術(shù)專(zhuān)欄——模擬芯視界。在上一期中,我們介紹了 EMI(特別是輻射發(fā)射)的來(lái)源,以及一系列旨在減少模擬信號(hào)鏈的 EMI 的技術(shù),包括詳...
2024-07-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器德州儀器GaN 763 0
瑞薩電子氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢(shì)
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管是當(dāng)今電力電子領(lǐng)域的明星,它正在提高功率轉(zhuǎn)換效率、電機(jī)控制和功率密度,有效滿(mǎn)足當(dāng)前的市場(chǎng)需求和趨勢(shì)。
納芯微GaN HEMT驅(qū)動(dòng)芯片NSD2017在激光雷達(dá)中的優(yōu)勢(shì)
自動(dòng)駕駛是新能源汽車(chē)智能化的重要發(fā)展方向,而具備強(qiáng)感知能力的激光雷達(dá)則是L2+及以上級(jí)別自動(dòng)駕駛不可或缺的硬件設(shè)備。納芯微的單通道高速柵極驅(qū)動(dòng)芯片NSD...
2024-07-01 標(biāo)簽:GaN驅(qū)動(dòng)芯片激光雷達(dá) 1209 0
GaN智能功率模塊(IPM)實(shí)現(xiàn)高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)
氮化鎵(GaN)在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)為電源轉(zhuǎn)換器帶來(lái)了系統(tǒng)級(jí)的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)。在本文中,我們將...
2024-06-17 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN智能功率模塊 1644 0
#參考設(shè)計(jì)#72 W基于PowiGaN的InnoSwitch 4-QR超緊湊型電源
72 W隔離反激式電源,適用于采用InnoSwitch 4-QR(INN 4275 C-H186)高頻準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)IC的電器,可實(shí)現(xiàn)最小Transform...
? 氮化鎵(GaN)功率器件中千伏特?fù)舸╇妷旱难菔鹃L(zhǎng)期以來(lái)一直激勵(lì)著電力電子和其他應(yīng)用的優(yōu)化。這是由于電力系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換效率的潛力大大提高。GaN器件可分為...
24W原邊GAN電源芯片方案U8607簡(jiǎn)化電源BOM
24W原邊GAN電源芯片方案U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開(kāi)關(guān)管,可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。
外置OTP及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點(diǎn)有哪些
深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733,是一款30W PD GAN帶OTP保護(hù)及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片,與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...
什么是LiDAR?LiDAR技術(shù)的新時(shí)代 前景廣闊未來(lái)可期
什么是LiDAR? ? LiDAR 是Light Detection And Ranging(激光探測(cè)與測(cè)距)的縮寫(xiě),是使用近紅外光、可見(jiàn)光或紫外光照射...
2024-05-16 標(biāo)簽:GaNRohm激光探測(cè)技術(shù) 1171 0
R24C2T25可簡(jiǎn)化SiC的選擇和評(píng)估過(guò)程
毫無(wú)疑問(wèn),寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費(fèi)類(lèi)及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。
2024-05-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管GaN 687 0
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...
晶體管級(jí)異質(zhì)集成技術(shù)及其實(shí)用案例分析
化合物半導(dǎo)體微波器件的典型特點(diǎn)是不同結(jié)型器件性能差異明顯,表1給出了幾種常用的化合物半導(dǎo)體微波器件與Si CMOS性能對(duì)比,另外化合物半導(dǎo)體還擁有GaA...
適用于自主駕駛車(chē)輛 LiDAR 的 GaN FET 快速指南
作者:Kenton Williston 激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車(chē)輛、無(wú)人機(jī)、倉(cāng)庫(kù)自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中,大多都有人類(lèi)...
如何利用 GaN 功率器件實(shí)現(xiàn)出色的中等功率電機(jī)變頻器
作者:Bill Schweber 對(duì)更高效利用能源的推動(dòng)、更嚴(yán)格的法規(guī)要求以及低溫運(yùn)行的技術(shù)優(yōu)勢(shì),所有這些都為近來(lái)降低電機(jī)功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...
2024-05-05 標(biāo)簽:變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 895 0
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