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氮化鎵(GaN)芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性,例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等,這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛...
2024-01-10 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體材料氮化鎵 2459 0
氮化鎵是一種無機(jī)化合物,化學(xué)式為GaN,它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì),使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是...
氮化鎵融資方面,今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域,相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進(jìn)化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大,達(dá)12億人民幣,投資方...
2024-01-10 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)光伏SiC 430 0
氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤點(diǎn)
同為第三代半導(dǎo)體材料,氮化鎵時(shí)常被人用來與碳化硅作比較,雖然沒有碳化硅發(fā)展的時(shí)間久,但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度...
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主...
功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件,是專門用來進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力,處理電壓...
傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對這一挑戰(zhàn)時(shí),其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。
由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn),GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達(dá)成。但是,隨著GaN功率器件輻照強(qiáng)化及驅(qū)動(dòng)方式的創(chuàng)新改良,宇航電源將會(huì)得到更大...
在中國深空探索及載人航天任務(wù)逐漸增多的背景下,對電能的需求也隨之上升,從而推動(dòng)了對宇航電源的高效率與小型化的設(shè)計(jì)需求。宇航電源是航天器系統(tǒng)的心臟,既要為...
基于微納結(jié)構(gòu)的MEMS熱輻射紅外光源技術(shù)原理
一些光柵結(jié)構(gòu)也實(shí)現(xiàn)了向二維方向的拓展,使TE、TM兩個(gè)極化方向產(chǎn)生相干的熱發(fā)射成為可能。如圖8所示為SiC交叉狹縫光柵結(jié)構(gòu)示意圖及光譜發(fā)射圖。
讓AC/DC電源適配器體積縮小一半、效率超95%,剖析TI低功耗GaN新品
電源適配器作為電子設(shè)備的核心組件之一,隨著電子設(shè)備升級迭代速度加快,電源適配器也在經(jīng)歷著前所未有的快速發(fā)展。為了提高充電效率和安全性,電源適配器在高性能...
使用 GaN 器件縮小外部醫(yī)療 AC/DC 電源的尺寸
作者:Bill Schweber 投稿人:DigiKey 北美編輯 盡管電池技術(shù)和低功耗電路取得了進(jìn)步,但醫(yī)療系統(tǒng)是完全不受束縛的純電池設(shè)計(jì)可能不可行、...
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變(IGBT/SiC/GaN)
報(bào)告內(nèi)容包含: 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 ...
針對氧氣(O2)和三氯化硼(BCl3)等離子體進(jìn)行原子層蝕刻的研究
基于GaN的高電子遷移率,晶體管,憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度,應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言,GaN的相關(guān)材料,如Al...
低功耗GaN在常見交流/直流電源拓?fù)渲械膬?yōu)勢
消費(fèi)者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器,越來越多的用戶希望可以使用緊湊...
本文研究了四個(gè)經(jīng)常被忽略的因素對基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響:器件的[寄生電容]()、時(shí)變功耗(Ploss)下的結(jié)溫度(*T*~j~)動(dòng)力學(xué)、殼...
2023-12-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器濾波器氮化鎵 1843 0
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱,暫態(tài)電壓失穩(wěn),慣量缺失。新能源滲透率提高,電網(wǎng)強(qiáng)度下降,暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...
2023-12-06 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBT功率器件 1600 0
什么是d-GaN、e-GaN 和 v-GaN?其有何特點(diǎn)及應(yīng)用?
GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 6811 0
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