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在整個(gè)應(yīng)力作用下，性能略有下降。正如預(yù)期的那樣，跨導(dǎo)和漏電流隨著時(shí)間的推移而減小。電子遷移率下降對(duì)溫度的影響
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...
芯片缺陷是什么？芯片缺陷檢測(cè)做什么？芯片缺陷檢測(cè)怎么做？
在芯片生產(chǎn)制造過(guò)程中，各工藝流程環(huán)環(huán)相扣，技術(shù)復(fù)雜，材料、環(huán)境、工藝參數(shù)等因素的微變常導(dǎo)致芯片產(chǎn)生缺陷，影響產(chǎn)品良率。
2023-11-30 標(biāo)簽：編碼器機(jī)器視覺(jué)GaN 4003 0
邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器的工作原理和應(yīng)用現(xiàn)狀
根據(jù)諧振腔制造工藝的不同，半導(dǎo)體激光芯片分為 邊發(fā)射激光芯片（EEL） 和 垂直腔面發(fā)射激光芯片 （VCSEL）兩大類，其具體結(jié)構(gòu)差異如圖1所示。相比于...
本推文簡(jiǎn)述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
在汽車和可再生能源領(lǐng)域，英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計(jì)勝利，相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財(cái)政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英...
什么是異構(gòu)集成？什么是異構(gòu)計(jì)算？異構(gòu)集成、異構(gòu)計(jì)算的關(guān)系？
異構(gòu)集成主要指將多個(gè)不同工藝節(jié)點(diǎn)單獨(dú)制造的芯片封裝到一個(gè)封裝內(nèi)部，以增強(qiáng)功能性和提高性能。
利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能
利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能
2023-11-23 標(biāo)簽：IC封裝電機(jī)驅(qū)動(dòng) 911 0
谷歌新作UFOGen：通過(guò)擴(kuò)散GAN實(shí)現(xiàn)大規(guī)模文本到圖像生成
擴(kuò)散模型和 GAN 的混合模型最早是英偉達(dá)的研究團(tuán)隊(duì)在 ICLR 2022 上提出的 DDGAN（《Tackling the Generative Le...
RF前端的高功率末級(jí)功放已被GaN功率放大器取代。柵極負(fù)壓偏置使其在設(shè)計(jì)上有別于其它技術(shù)，有時(shí)設(shè)計(jì)具有一定挑戰(zhàn)性；
以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導(dǎo)體效率的提高，碳化...
淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...
使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)將持續(xù)下去，從而實(shí)現(xiàn)新的市場(chǎng)、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計(jì)工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案...
廈門(mén)大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果
近日，廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進(jìn)展，相關(guān)成果以“Green Vertical-C...
氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電...
在單個(gè)器件上實(shí)現(xiàn)光電探測(cè)和神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)傳感器兩種角色的轉(zhuǎn)換
光電探測(cè)器和神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)傳感器作為兩種典型的光電子器件，在光信息的感知和處理方面具有重要作用。
2023-11-04 標(biāo)簽：SEMGaN視覺(jué)傳感器 1645 0
請(qǐng)教各位大佬們一個(gè)問(wèn)題，把晶體管漏極寄生電容和電感去嵌以后做負(fù)載牽引，功率圓中心在實(shí)電阻處，但是最大效率圓心不在這個(gè)位置，這個(gè)是為什么呢？
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