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數(shù)明半導(dǎo)體SiLM824x系列隔離雙通道門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)器介紹
數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅(qū)動(dòng),而SiLM824...
2023-08-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率器件GaN 1749 0
定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國(guó)襯底上的能力可以帶來(lái)卓越或新穎的功能,并對(duì)電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡(jiǎn)要描...
在建模實(shí)驗(yàn)中,imec 的研究人員比較了140GHz工作頻率下三種不同功率放大器實(shí)現(xiàn)的性能:全 CMOS 實(shí)現(xiàn)、帶有 SiGe 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HB...
2023-08-14 標(biāo)簽:功率放大器移動(dòng)通信GaN 1026 0
年復(fù)一年,越來(lái)越多的用戶(hù)通過(guò)無(wú)線方式傳輸越來(lái)越多的數(shù)據(jù)。為了跟上這一趨勢(shì)并使數(shù)據(jù)傳輸更快、更高效,第五代移動(dòng)通信 (5G) 正在推出,業(yè)界已經(jīng)在關(guān)注未來(lái)...
用于深紫外線傳感應(yīng)用的GaN型紫外線傳感器。 與Si型紫外線傳感器相比,新產(chǎn)品對(duì)UV-B和UV-C深紫外線具有更高的靈敏度。 通過(guò)使用GaN,產(chǎn)品的...
幾種led襯底的主要特性對(duì)比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為:襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中,襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底,GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延...
如今,我們已經(jīng)無(wú)法想象沒(méi)有電的生活了。我們生活的各個(gè)方面越來(lái)越依賴(lài)于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過(guò)程中,功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。
車(chē)載充電器(OBC)是電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)的重要組成部分(HEV)。OBC通常由一個(gè)AC/DC(功率因數(shù)校正電路)和一個(gè)隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2023-08-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)變換器DC-DC 1839 0
氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)難點(diǎn) 氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)優(yōu)點(diǎn)
GaN器件具有高功率密度和高熱耗散特性。在有源相控陣?yán)走_(dá)中,需要高功率的射頻信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)每個(gè)天線元素,這要求對(duì)高功率GaN器件的射頻功率和熱管理進(jìn)行有效的...
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無(wú)引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)
什么是半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料SiC 4457 0
氮化鎵(GaN)是一種第三代半導(dǎo)體材料,與硅相比,它的禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅,尤其在高頻和高速開(kāi)關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動(dòng)性、...
高效氮化鎵電源設(shè)計(jì)方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效,減少 AC/DC 電源損耗,進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如,借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC),...
GaN開(kāi)發(fā)的PC200材料的特點(diǎn)及使用時(shí)的要點(diǎn)
隨著能夠高頻驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體“GaN”的普及,開(kāi)關(guān)電源的高頻化也逐漸變成了現(xiàn)實(shí)。變壓器產(chǎn)品中使用鐵氧體材料,但根據(jù)驅(qū)動(dòng)頻率的不同,磁芯損耗(鐵耗)會(huì)有很大的...
2023-08-22 標(biāo)簽:變壓器半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電源 1497 0
“后起之秀”氮化鎵未來(lái)幾大新的增長(zhǎng)點(diǎn)
來(lái)源:電子工程專(zhuān)輯 比碳化硅器件,氮化鎵功率器件在同時(shí)對(duì)效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場(chǎng)景中,將更有優(yōu)勢(shì),比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。...
羅姆推出650VGaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器
通常GaN Hemt驅(qū)動(dòng)存在2個(gè)難題:驅(qū)動(dòng)電壓低,容易誤啟動(dòng);柵極耐電壓低,柵極容易損耗,因此需要專(zhuān)門(mén)的驅(qū)動(dòng)器,不僅增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度,也額外增加了系統(tǒng)成本。
2023-07-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaN外圍電路 1029 0
絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)面市已有些時(shí)日,事實(shí)上,通用電氣(GE)早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起,IGBT成為了中壓和高壓(...
最有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料——金剛石基GaN問(wèn)世
美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局(DARPA)微系統(tǒng)技術(shù)辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示,化合物半導(dǎo)體行業(yè)將很快進(jìn)入第三波...
2023-07-17 標(biāo)簽:GaN金剛石寬禁帶半導(dǎo)體 745 0
芯元基實(shí)現(xiàn)高效純紅光量子點(diǎn)芯片技術(shù)分析
芯元基的量子點(diǎn)MIP技術(shù),在GaN晶圓的每個(gè)子像素的側(cè)壁均做有金屬電極結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)除了有利于像素的共陰極設(shè)計(jì)外,也可以更好的解決獨(dú)立子像素間的光串?dāng)_問(wèn)...
雷達(dá)的常見(jiàn)分類(lèi)方法及發(fā)展趨勢(shì)
GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性,但也需要更多的測(cè)試和優(yōu)化,在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì): 優(yōu)勢(shì): GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性,可以提...
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