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gan技術(shù)

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作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,越來越多地...

2023-06-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電源管理德州儀器 9294 0

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2023-06-15 標(biāo)簽:功率器件GaN功率半導(dǎo)體 1037 0

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2023-06-14 標(biāo)簽:晶體管GaNHEMT 3485 0

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? 3D對象的生成模型在VR和增強現(xiàn)實應(yīng)用中越來越受歡迎。但使用標(biāo)準(zhǔn)的3D表示(如體素或點云)來訓(xùn)練這些模型是具有挑戰(zhàn)性的,并且需要復(fù)雜的工具來進行適當(dāng)...

2023-06-14 標(biāo)簽:3DGaN模型 1513 0

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2023-06-13 標(biāo)簽:二極管功率器件GaN 1923 0

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2023-06-10 標(biāo)簽:薄膜晶體單晶 1806 0

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2023-05-24 標(biāo)簽:GaN碳化硅5G 835 0

碳化硅上的氮化鎵:襯底挑戰(zhàn)

RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò),氮化鎵(GaN)之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵(GaAs)和Si LDMOS相比,GaN長期以來一直具有難以超越的優(yōu)勢:

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