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憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進。
幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點
本設(shè)計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。 VDD 電容 VDD 引腳應(yīng)有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶...
為什么GaN的管子動態(tài)電流比靜態(tài)電流???
性質(zhì)不同:靜態(tài)電流是沒有信號輸入時的電流,也就是器件本身在不受外部因素影響下的本身消耗電流。動態(tài)電流是把單位時間里通過導(dǎo)體任一橫截面的電量。
氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機械性質(zhì),因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的...
Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較!
碳化硅(SiC)技術(shù)改進了各種應(yīng)用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比,碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現(xiàn)...
任何一個電子元件,不論是一個三極管還是一個集成電路(Integrated Circuit, IC),想要使用它,都需要把它連入電路里。一個三極管,只需要...
基于GAN先驗的退化感知特征插值人臉修復(fù)網(wǎng)絡(luò)
人臉修復(fù)是一種典型的ill-posed問題、可逆圖像修復(fù)問題,其解不唯一且必存在。高度退化和多退化的場景下,高質(zhì)量的人臉修復(fù)明顯更具有挑戰(zhàn)性。
ICLR 2023 Spotlight:2D圖像轉(zhuǎn)換3D
本文提出的人體 NeRF 基于參數(shù)化人體模型 SMPL,它提供了方便的人體姿勢以及形狀的控制。進行 NeRF 建模時,如下圖所示,本文將人體分為 16 ...
本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。閱讀本白皮書后,您應(yīng)該對平面磁性技術(shù)的優(yōu)勢以及自動化工作流程如何輕松...
2023-02-22 標簽:意法半導(dǎo)體電力電子SiC 1653 0
使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開關(guān)
眾所周知,因為 GaN PA 需要使用特定的偏置時序,所以在某些設(shè)計中,GaN 功率放大器的上電和下電可能會具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當,可能會導(dǎo)致組件損壞...
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,具有高擊穿電場強度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性,是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器,能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵(以下簡稱“GaN”) 功率開關(guān)。只...
使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容
本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測量結(jié)果、三電流探頭法原理和測量結(jié)果。
2023-02-19 標簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體器件 909 0
GaN IC設(shè)計系統(tǒng)級優(yōu)勢分析
數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實現(xiàn)卓越性能的一個很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號塊不再“轉(zhuǎn)換”為數(shù)字信號塊。
氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件,氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛,氮化鎵在數(shù)據(jù)中心,新能源汽車等領(lǐng)域都有運用。那么這么牛的氮化鎵技...
氮化鎵(GaN)是一種具有半導(dǎo)體特性的化合物,是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與碳化硅(SiC)并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶...
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體,具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能,滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求,智...
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